1. За счет малых площадей р-n перехода. 2. За счет больших площадей р-n перехода. 3. За счет увеличения ширины р-n перехода.

9. Каково соотношение между прямым Rпр и обратным Rобр сопротивлениями у выпрямительного диода.

1. Rпр = Rобр 2. Rпр  Rобр 3. Rпр  Rобр 4. Rпр Rобр 5. Rпр Rобр.

10. Какое свойство р-n перехода используется в выпрямительных диодах.

1. Односторонняя проводимость. 2 Барьерная емкость. 3 Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект.

11. Какое свойство р-n перехода используется в стабилитронах

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект.

12. Какое свойство р-n перехода используется в стабисторах.

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Туннельный эффект. 7. Особенность прямой ветви ВАХ.

13. Какое свойство используется в диодах Шотки.

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический пробой. 6. Свойство перехода металл-полупроводник.

14. Какую роль выполняет импульсный диод в схемах.

1. роль ключа. 2. Роль активного элемента. 3. Роль стабилизатора напряжения

15. Какое свойство р-n перехода используется в туннельных диодах.

1. Односторонняя проводимость. 2. Барьерная емкость. 3. Эффект Эрли. 4. Тепловой пробой. 5. Электрический (туннельный) пробой. 6. Туннельный эффект.

16. Какое условно-графическое обозначение имеет выпрямительный диод (рис.3.1.).

1. 2 . 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

17. Какое условно-графическое обозначение имеет стабилитрон (рис.3.1.)..

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

18. Какое условно-графическое обозначение имеет двуханодный стабилитрона (рис.3.1.)..

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

19. Какое условно-графическое обозначение имеет диод Шотки (рис.3.1.).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

20. Какое условно-графическое обозначение имеет варикап (рис.3.1.)..

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

21. Какое условно-графическое обозначение имеет тунельный диод (рис.3.1.).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

22. Какое условно-графическое обозначение имеет обращенный диод (рис.3.1.).

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

23. При каком смещении в номинальном режиме работает стабилитрон.

1. прямом 2. Обратном. 3. В обоих.

24. При каком смещении в номинальном режиме работает стабистор.

1. Прямом 2. Обратном. 3. В обоих.

25. При каком смещении в номинальном режиме работает варикап.

1. Прямом 2. Обратном. 3. В обоих.

26. При каком смещении в номинальном режиме работает выпрямительный диод.

1. Прямом 2. Обратном. 3. В обоих.

27. Какими носителями заряда определяется прямая ветвь ВАХ диода.

1. основные 2. неосновные 3. дырки 4. Электроны.

28. Какими носителями заряда определяется обратная ветвь ВАХ диода.

1. основные 2. неосновные 3. дырки 4. Электроны.

29. Каково соотношение между барьерной и диффузионной емкостью в варикапе.

1. Сдиф Сбар. 2. Сдиф< Сбар. 3. Сдиф= Сбар.

30. Показать ВАХ идеального выпрямительного диода (рис.3.2).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

31. Показать ВАХ реального выпрямительного диода (рис.3.2).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

32. Показать ВАХ стабилитрона (рис.3.2).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

33. Показать кулон-вольтную характеристику варикапа (рис.3.2).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

34. Показать ВАХ туннельного диода (рис.3.2).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

35. Показать ВАХ обращенного диода (рис.3.2).

1. 2. 3. 4. 5. 6.

36. Показать прямую ветвь ВАХ диода (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

37. Показать обратную ветвь ВАХ диода (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

38. Показать участок теплового пробоя.

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. де.

39. Показать рабочий участок ВАХ стабилитрона (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

40. Показать рабочий участок ВАХ стабистора (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

41. П оказать рабочий участок ВАХ туннельного диода (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. кл. 4.жи. 5.мн. 6. ом

42. Показать проводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

43. Показать непроводящий ток участок ВАХ обращенного диода (рис.3.2).

1. аб. 2. бв. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. ом

44. Показать участок, на котором преобладает диффузионная емкость (рис.3.2).

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.

45. Показать участок, на котором преобладает барьерная емкость (рис.3.2).

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.

46. Показать на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением (рис.3.2).

1. аб. 2. зи. 3. гд. 4.жи. 5.мн. 6. жз.

47. С каким физическим процессом связан участок аб (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Пробой перехода. 3. Туннельный эффект.

48. С каким физическим процессом связан участок бв (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Пробой перехода. 3. Туннельный эффект.

49. С каким физическим процессом связан участок гд (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

50. С каким физическим процессом связан участок де (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

51. С каким физическим процессом связан участок кл (рис. 3.2).

1 . движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

52. С каким физическим процессом связан участок мн (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

53. С каким физическим процессом связан участок жз (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

54. С каким физическим процессом связан участок зи (рис. 3.2).

1. движением основных носителей 2. движением неосновных носителей. 3. Тепловой пробой перехода. 4. Электрический пробой перехода. 5. Туннельный эффект.

55. Как называют выводы полупроводникового диода.

1. коллектор, база. 2. База, эмиттер. 3. Коллектор, база, эмиттер. 4. Анод 1, анод 2. 5. Сток, исток, затвор.

56. Что определяет быстродействие переключения импульсных диодов на р-п переходе.

1. накопление и рассасывание неосновных носителей заряда. 2. Перезаряд барьерной емкости. 3. 1и 2. 4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.

57. Что определяет быстродействие переключения диодов Шотки.

1. накопление и рассасывание неосновных носителей заряда.

2. Перезаряд барьерной емкости. 3. 1 и 2.

4. накопление и рассасывание основных носителей заряда.

58. Показать выражение для ВАХ диода.

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

59. Показать выражение для ВАХ идеального р-n перехода.

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

60. Показать выражение для прямой ветви ВАХ диода.

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

61. Показать выражение для обратной ветви ВАХ диода.

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

62. Показать выражение для барьерной емкости р-n перехода.

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.

63. Показать выражение для диффузионной емкости р-n перехода.

1. I=I₀(e^U/φт - 1); 2. I=I₀(e^(U-Ir)/φт; 3. I= - I₀; 4. I=I₀(e^(U-Ir)/φт - 1); 4. С=C₀(1 - φ_к/U)^{- ν}. 5. С=I_прτ/φ_т.