Министерство образования российской Федерации

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА

Кафедра теоретической радиотехники и электроники

Д.В. ПОГОДИН

Физические основы электроники

Учебное пособие для самоподготовке к тестированию

по дисциплине ФОЭ

Для студентов заочного и дневного отделения

Казань 2005 Физические основы электроники

Раздел 1.

Электрофизические свойства полупроводников. P-n переход.

1. Какой тип электропроводности имеет собственный (чистый) полупроводник.

1. p- n-типа . 2. n-типа. 4. p-типа. 5. i-типа.

2. Какие полупроводниковые материалы применяются при изготовлении полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов).

1. Примесные. 2. Чистые. 3. только n-типа. 4. только p-типа. 5. только i-типа.

3. Какую электропроводность имеет полупроводник n-типа.

1. Примесную. 2. электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную

4. Какую электропроводность имеет полупроводник р-типа.

1. Примесную. 2. Электронную. 3. Собственную. 4. Дырочную

5. Примесь называется донорной, которая создает:

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Вакансии.

6. Примесь называется акцепторной, которая создает:

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.

7. Примесь, создающая электроны называется

1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.

8. Примесь, создающая дырки называется

1. Акцепторной. 2. Донорной. 3. Электронной. 4. Дырочной.

9. Процесс образования свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:

1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.

10. Процесс исчезновения свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа называется:

1. Рекомбинация. 2. Генерация. 3. Инжекция. 4. Экстракция.

11. Какие свободные носители заряда в примесном полупроводнике называют основными.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой. 4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.

12. Какие свободные носители заряда в примесном полупроводнике называют неосновными.

1. Электроны. 2. Дырки. 3. Те, концентрация которых много больше концентрации другой. 4. Те, концентрация которых много меньше концентрации другой.

13. Какие свободные носители заряда являются основными в полупроводнике р-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации. 5. Ионы примесей.

14. Какие свободные носители заряда являются основными в полупроводнике n-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Фотоны. 4. Центры рекомбинации.5. Ионы примесей.

15. Какие основные носители заряда возникают в полупроводнике n-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Электроны и ионы донорной примеси. 4. Электроны и ионы акцепторной примеси.

16. Какие основные носители заряда возникают в полупроводнике р-типа.

1. Электроны . 2. Дырки. 3. Электроны и ионы донорной примеси. 4. Дырки и ионы акцепторной примеси.

17. Дырки являются основными носителями заряда в полупроводнике

1. n-типа. 2. р-типа. 3. i-типа.

18. Электроны являются основными носителями заряда в полупроводнике

1. n-типа. 2.р-типа. 3. i-типа.

19. Движение зарядов под действием сил электрического поля называется:

1. Дрейфом. 2. Диффузией. 3. Инжекцией. 4. Экстракцией.

20. В полупроводниках возможно два механизма движения зарядов

1. Дрейф и диффузия. 2. Диффузия и инжекция. 3. Диффузия и эксракция. 4. Экстракция и инжекция.

21. Электрический ток под действием градиента концентрации называется:

1. Диффузионным. 2. Дрейфовым. 3. Инжекционным. 4. Экстракционным.

22. Электрический ток под действием сил электрического поля называется: