
- •Часть 1 - Физические основы электроники
- •Оглавление
- •Глава 1. Общие сведения об электронных приборах
- •Глава 2. Физические основы электроники. Электрофизические свойства полупроводников.
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды
- •Глава 4. Биполярные транзисторы
- •Глава 5. Полевые транзисторы
- •Глава 6. Силовые полупроводниковые приборы
- •Глава 7. Оптоэлектронные приборы
- •Глава 8. Электровакуумные приборы
- •Глава 1 Общие сведения об электронных приборах
- •1.1 Назначение и классификация электронных приборов
- •1.Преобразование энергии (например, преобразование энергии света в электрическую энергию или преобразование переменного тока в постоянный);
- •1.2 Характеристики, параметры, эквивалентные схемы эп
- •Глава 2
- •Физические основы электроники
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные полупроводники
- •2.2 Примесные полупроводники
- •2.3. Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •2.4 Электрические переходы.
- •2.4.1. Классификация электрических переходов
- •2.5 Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состояние
- •2.7. Математическая модель р-п –перехода. Вольт – амперная характеристика
- •2.8 Ёмкость p-n перехода
- •2.9 Пробой p-n перехода
- •Глава 3 Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика диода
- •3.2 Эквивалентная схема диода
- •3.3 Влияние температуры на вах диода
- •3.4 Выпрямительные диоды
- •3.5 Импульсные диоды
- •3.6 Диоды Шотки.
- •3.7 Стабилитроны и стабисторы
- •3.8 Варикапы
- •3.9. Туннельные и обращенные диоды
- •3.10 Маркировка полупроводниковых диодов
- •Глава 4
- •4.1 Общие сведения о биполярных транзисторах
- •4 .2 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •4.3. Распределение концентрации носителей в базе. Влияние напряжений на переходах на токи транзистора
- •4.4. Режимы работы биполярного транзистора
- •4.5 Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Математическая модель транзистора
- •4.7 Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора
- •4.8. Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •4.9. Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •4.10. Методика графического определения h – параметров транзистора
- •4.11. Зависимости характеристик и параметров транзистора
- •1.12. Собственные шумы электронных приборов
- •4.13. Предельно допустимые параметры транзистора
- •Глава 5
- •5.1. Основные сведения и классификация
- •5.2. Устройство и принцип действия и вах полевого транзистора с электронно-дырочным переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.4. Вах полевого транзистора (математическая модель).
- •5.5. Дифференциальные параметры полевого транзистора и формальная схема замещения
- •5.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •5.7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры
- •Глава 6 Силовые полупроводниковые приборы
- •Тиристоры делятся на две группы: диодные тиристоры (динисторы) и триодные (тиристоры). Для коммутации цепей переменного тока разработаны специальные симметричные тиристоры — симисторы
- •6.1. Тиристоры
- •Структура диристора, вах и принцип работы
- •Глава 7
- •3.Оптроны.
- •7.1.Фотоприемные устройства Фотоприемные устройства предназначены для преобразования светового излучения в электрические сигналы. В основу работы фотоприемников положны следующие физические явления:
- •7.1.1. Фоторезистор
- •7.1.2. Фотодиоды
- •7.1.2. Фототранзисторы:
- •7.1.3. Фототиристоры
- •7.2 Светоизлучающие приборы
- •7.2.1. Светоизлучающие диоды
- •7.2.2. Полупроводниковые лазерные диоды
- •7.3. Оптроны
- •7.4. Световоды
- •7.5. Знакосинтезирующие индикаторы
- •Глава 8 электровакуумные приборы
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Вакуумный диод
- •8.3. Триод
- •8 .4. Тетроды и пентоды
- •8.5. Электронно-лучевые трубки
Глава 8 электровакуумные приборы
8.1. Общие сведения
К электровакуумным приборам относятся все электронные лампы. Основой конструкции является баллон (стеклянный, металлический или керамический) из которого выкачивается воздух. В баллоне на траверсах (металлических проволоках) закрепляются электроды, которые могут иметь форму цилиндрическую или коробчатую. Носителями тока являются электроны, которые вводятся в междуэлектродное вакуумное пространство за счет термоэлектронной эмиссии из катода и движутся в электрическом поле в сторону анода. По сравнению с полупроводниковыми приборами электровакуумные имеют большие габариты, меньшую надежность, требуют затрат энергии для нагрева катода.
В настоящее время электровакуумные приборы находят ограниченное применение в мощных радиопередатчиках, кроме того, принцип работы вакуумных приборов используется в электролюминесцентных индикаторах и электронно-лучевых трубках.
В качестве термокатодов используют однородные катоды из тугоплавких металлов (вольфрам, молибден), активированные катоды, либо полупроводниковые. Активирование состоит в покрытии вольфрама или молибдена слоем металла с меньшей работой выхода. Это позволяет получить большую плотность тока эмиссии jэ, при меньшей температуре.
Плотность тока термоэлектронной эмиссии определяется законом Дэшмана-Ричардсона (с ростом температуры Т, плотность тока Jэ, резко возрастает):
Jэ = АТ2 ехр(-W0/kT) (8.1)
где
k
- постоянная
Больцмана, Wo
- работа
выхода, А
- величина,
для разных материалов имеющая значения
от
10 до
300 А/(см2-
К2).
В лампах чаще используют катоды косвенного
накала (подогревные), в которых нить
накала находится внутри цилиндрического
катода. Подогревные катоды имею большую
тепловую инерционность, поэтому их
накаливают переменным током. Катоды
прямого накала нагревают постоянным
током во избежать пульсаций тока эмиссии.
Кроме плотности тока эмиссии катоды
характеризуются рабочей температурой,
долговечностью и эффективностью.
Эффективность
- это
отношение тока эмиссии к мощности,
затраченной на нагрев нити накала, т.е.
H=Iэ/Рн.
Параметры катодов показаны в таблице
8.1
8.2. Вакуумный диод
Вакуумный
диод
- двухполюсный
прибор, основные элементы его конструкции
схематично показаны на рис.
8.1. Там же
показано условное обозначен
ие
диода.
С
хема
включения диода в статическом режиме
без нагрузки показана на рис.
8.2. К выводам
нити накала подключают напряжение
накала
L/н (в
маломощных лампах -
единицы вольт). Ток накала раскаляет
нить накала и нагрева
ет катод. Начинается термоэлектронная эмиссия. Если анодное напряжение Uак=0, то выходящие из катода электроны заполняют междуэлектродное пространство. При этом потенциал пространства понижается. Распределение потенциала в пространстве соответствует кривой 1на рис. 8.3.Между анодом и катодом создается объемный (пространственный) заряд. Потенциал пространства везде отрицателен, анодного тока нет (Ia1 =0).
При положительном анодном напряжении, равном Uак2, распределение потенциала соответствует кривой 2. Объемный заряд сохраняется, но область отрицательного потенциала уменьшается в пространстве. Потенциальный барьер уменьшается по величине. Некоторые электроны, выходящие из катода, преодолевают барьер, проходят за точку минимального потенциала, попадают в область, где градиент потенциала положителен, т. е. d(p/dx)>t. Эти электроны ускоряются полем, летят к аноду и создают анодный ток Ia1 =0 >0. Однако, часть электронов не может преодолеть потенциальный барьер, ибо вблизи катода поле замедляющее (d(p/dx<0). Эти электроны возвращаются обратно к катоду. Такой режим работы называется режимом объемного заряда. При этом ток анода меньше тока эмиссии Ia1<Iэ. В режиме объемного заряда увеличение анодного напряжения приводит к росту анодного тока.
При большом анодном напряжении Uа3 распределение потенциала cooтветствует кривой 3. В этом случае объемного заряда практически нет, во всех точках пространства (d(p/dx)>0, т.е. поле везде ускоряющее. Все электроны, выходящие из катода, устремляются к аноду. Теперь анодный ток равен току эмиссии: Ia1=Iэ. Такой режим называется режимом насыщения. В режиме насыщения дальнейший рост анодного напряжения не приводит к росту анодного тока.
Анодной характеристикой диода называется зависимость Iа=f(Uак) при Uн= const. Полагая, что скорость электрона у поверхности катода равна нулю, запишем систему уравнений:
уравнение d2U/dx2 = -qn/ε0, (8.1)
уравнение непрерывности j = -qnv , (8.2)
уравнение движения v2=2qU/m (8.3)
В этих уравнениях х - расстояние от катода, п - плотность электронов, j плотность тока, v - скорость электронов, q и т - заряд и масса электрона.
Решение этой системы уравнений дает выражение для теоретической вольт-амперной (анодной) характеристики диода:
Iа=GU3/2 (8.4)
З
десь
G
=2,33 10-6
S/r2,
S
- площадь
анода, г
- расстояние
анод-катод. Параметр G
- величина
постоянная для данного диода, называется
первеансом
лампы Выражение
(8.4) называют
законом степени
трех вторых.
Заметим, что закон (8.4)
справедлив только для режима объемного
заряда. Характеристики реальных диодов
по ряду причин идут более полого. На
рис.
8.4 показаны
теоретическая (пунктир) и реальная
характеристики диода.
Параметрами диода являются сопротивление постоянному току Rо=Uак/Iа и сопротивление переменному току (внутреннее сопротивление) Ri=dUa/dIа. При отрицательных анодных напряжениях анодного тока практически нет, т.е. диод обладает односторонней проводимостью.