
- •Часть 1 - Физические основы электроники
- •Оглавление
- •Глава 1. Общие сведения об электронных приборах
- •Глава 2. Физические основы электроники. Электрофизические свойства полупроводников.
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды
- •Глава 4. Биполярные транзисторы
- •Глава 5. Полевые транзисторы
- •Глава 6. Силовые полупроводниковые приборы
- •Глава 7. Оптоэлектронные приборы
- •Глава 8. Электровакуумные приборы
- •Глава 1 Общие сведения об электронных приборах
- •1.1 Назначение и классификация электронных приборов
- •1.Преобразование энергии (например, преобразование энергии света в электрическую энергию или преобразование переменного тока в постоянный);
- •1.2 Характеристики, параметры, эквивалентные схемы эп
- •Глава 2
- •Физические основы электроники
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные полупроводники
- •2.2 Примесные полупроводники
- •2.3. Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •2.4 Электрические переходы.
- •2.4.1. Классификация электрических переходов
- •2.5 Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состояние
- •2.7. Математическая модель р-п –перехода. Вольт – амперная характеристика
- •2.8 Ёмкость p-n перехода
- •2.9 Пробой p-n перехода
- •Глава 3 Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика диода
- •3.2 Эквивалентная схема диода
- •3.3 Влияние температуры на вах диода
- •3.4 Выпрямительные диоды
- •3.5 Импульсные диоды
- •3.6 Диоды Шотки.
- •3.7 Стабилитроны и стабисторы
- •3.8 Варикапы
- •3.9. Туннельные и обращенные диоды
- •3.10 Маркировка полупроводниковых диодов
- •Глава 4
- •4.1 Общие сведения о биполярных транзисторах
- •4 .2 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •4.3. Распределение концентрации носителей в базе. Влияние напряжений на переходах на токи транзистора
- •4.4. Режимы работы биполярного транзистора
- •4.5 Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Математическая модель транзистора
- •4.7 Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора
- •4.8. Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •4.9. Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •4.10. Методика графического определения h – параметров транзистора
- •4.11. Зависимости характеристик и параметров транзистора
- •1.12. Собственные шумы электронных приборов
- •4.13. Предельно допустимые параметры транзистора
- •Глава 5
- •5.1. Основные сведения и классификация
- •5.2. Устройство и принцип действия и вах полевого транзистора с электронно-дырочным переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.4. Вах полевого транзистора (математическая модель).
- •5.5. Дифференциальные параметры полевого транзистора и формальная схема замещения
- •5.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •5.7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры
- •Глава 6 Силовые полупроводниковые приборы
- •Тиристоры делятся на две группы: диодные тиристоры (динисторы) и триодные (тиристоры). Для коммутации цепей переменного тока разработаны специальные симметричные тиристоры — симисторы
- •6.1. Тиристоры
- •Структура диристора, вах и принцип работы
- •Глава 7
- •3.Оптроны.
- •7.1.Фотоприемные устройства Фотоприемные устройства предназначены для преобразования светового излучения в электрические сигналы. В основу работы фотоприемников положны следующие физические явления:
- •7.1.1. Фоторезистор
- •7.1.2. Фотодиоды
- •7.1.2. Фототранзисторы:
- •7.1.3. Фототиристоры
- •7.2 Светоизлучающие приборы
- •7.2.1. Светоизлучающие диоды
- •7.2.2. Полупроводниковые лазерные диоды
- •7.3. Оптроны
- •7.4. Световоды
- •7.5. Знакосинтезирующие индикаторы
- •Глава 8 электровакуумные приборы
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Вакуумный диод
- •8.3. Триод
- •8 .4. Тетроды и пентоды
- •8.5. Электронно-лучевые трубки
7.5. Знакосинтезирующие индикаторы
7.5.1. Виды знакосинтезирующих индикаторов
Знакосинтезирующие индикаторы (ЗСИ) не являются микросхемами. Их можно рассматривать как дискретные элементы, но применяются они совместно с интегральными микросхемами. Здесь будут рассматриваться только те виды ЗСИ, которые совместимы с интегральными микросхемами.
По принципу работы различают: вакуумные люминесцентные индикаторы (ВЛИ); жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ); полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы (ППЗИ).
По виду информационного поля: сегментные и матричные индикаторы.
По виду отображаемой информации: единичные, цифровые, шкальные, мнемонические.
7.5.2. Вакуумные люминесцентные индикаторы
ВЛИ построен по принципу вакуумного триода, анод которого покрыт люминофором, светящимся при попадании на анод электронов.
Д
ля
используемых люминофоров характерно
низковольтное свечение. Аноды
цифровых индикаторов располагаются
в виде сегментов, воспроизводящих
очертания цифр. Чаще используются
семисегментные цифры. Сетка
обычно бывает одна, общая для всех
анодов (рис. 16.1).
Чтобы исключить ненужную подсветку экрана, на сетку подаётся отрицательное (-2... - 4 В) смещение. Отпирающее импульсное напряжение сетки обычно равно анодному и составляет 30...50 В. Напряжение накала - единицы вольт. ВЛИ обеспечивают хорошую контрастность и высокую яркость (200...500 кд/м2). Срок службы ВЛИ 5...10 тысяч часов.
Управление ВЛИ может быть статическим или динамическим. В первом случае напряжение подаётся сразу на все аноды, участвующие в формировании цифры, т.е. весь знак формируется одновременно. Динамическое управление используется в многоразрядных индикаторах, в которых одноименные аноды (сегменты) соединены параллельно, а сетки - раздельные для каждого разряда. При этом способе на аноды всех разрядов подаются напряжения, необходимые для синтеза первого знака, а остальные разряды блокированы запирающими напряжениями на сетках. В следующем такте формируется знак второго разряда и т.д. Динамический способ позволяет уменьшить число выводов многоразрядного индикатора.
7.5.3. Жидкокристаллические индикаторы
Жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ) основаны на использовании электрооптических эффектов в жидких кристаллах: динамического рассеяния (ДР) и твист-эффекта (ТЭ). При ДР воздействие электрического поля напряжённостью около 5 кВ/см переориентирует молекулы так, что материал становится непрозрачным. При использовании ТЭ электрическое поле меняет плоскость поляризации света, проходящего через ЖКИ, в результате ЖКИ также становится непрозрачным. Схематическое устройство ЖКИ, работающего на просвет, показано на рис. 16.2.
М
ежду
двумя стеклянными пластинами помещаются
два электрода
и жидкокристаллическое вещество.
Конструкция ЖКИ,
работающего на отражение, отличается
тем, что задний электрод делают
светоотражающим.
Возбуждение ЖКИ можно осуществлять как постоянным, так и переменным током, однако при возбуждении постоянным током резко снижается срок службы. Возбуждение переменным током осуществляют либо сигналами разных частот, либо фазовым методом. При фазовом методе информацию можно выводить не более 4...5 раз в секунду, что достаточно для большинства применений. Схема возбуждения фазовым методом показана на рис. 16.3.
И
з
рис. 16.3 видно, что в зависимости от
управляющего сигнала, напряжение с
частотой 20...25 Гц поступает на сегмент
либо в фазе,
либо в противофазе с напряжением на
общем
электроде. При различных фазах происходит
возбуждение данного сегмента.
Основные особенности ЖКИ: малая потребляемая мощность (единицы мкВт/см2); низкие рабочие напряжения (1,5...15 В); хорошая видимость при дневном свете; долговечность (10...15 лет работы).
Недостатки: необходимость внешнего освещения и малое быстродействие. Основные области применения: наручные часы, микрокалькуляторы, переносные измерительные приборы и радиоприёмники.
7.5.4. Полупроводниковые знакосинтезнрующие индикаторы
О
сновой
ППЗИ является светодиод.
Особенностью
конструкции светодиода является окошко
для выхода света, излучаемого p-n-переходом.
Для уменьшения внутреннего отражения
над переходом имеется сферическое
покрытие
или миниатюрная линза. Основные материалы,
используемые при изготовлении
светодиодов: арсенид галлия и фосфид
галлия. В зависимости от
примесей получают светодиоды красного,
жёлтого, зелёного и синего свечения.
Светодиоды могут подключаться к выходам
микросхем непосредственно
или через сопротивления.
На рис.16.4а и 16.46 показаны схемы включения светодиодов для индикации состояния логического нуля и, соответственно, логической единицы на выходе микросхемы. Знакосинтезирующие индикаторы могут быть одноразрядными или содержать знаки нескольких разрядов.
Каждый разряд (цифра) состоит из нескольких диодов-сегментов. Наиболее часто используются семисегментные индикаторы, содержащие семь сегментов для воспроизведения цифр и один дополнительный сегмент для десятичной точки (рис. 16.5).
Н
а
рисунке показана схема индикатора с
общим анодом, но в некоторых типах
индикаторов сегменты соединяются по
схеме с общим катодом.
Основные параметры светодиодов: сила света 50...500 мккд; прямое напряжение 1,5...3 В; допустимое обратное напряжение 3...7 В; постоянный прямой ток 3...30 мА; срок службы 15...30 тысяч часов.