
- •Часть 1 - Физические основы электроники
- •Оглавление
- •Глава 1. Общие сведения об электронных приборах
- •Глава 2. Физические основы электроники. Электрофизические свойства полупроводников.
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды
- •Глава 4. Биполярные транзисторы
- •Глава 5. Полевые транзисторы
- •Глава 6. Силовые полупроводниковые приборы
- •Глава 7. Оптоэлектронные приборы
- •Глава 8. Электровакуумные приборы
- •Глава 1 Общие сведения об электронных приборах
- •1.1 Назначение и классификация электронных приборов
- •1.Преобразование энергии (например, преобразование энергии света в электрическую энергию или преобразование переменного тока в постоянный);
- •1.2 Характеристики, параметры, эквивалентные схемы эп
- •Глава 2
- •Физические основы электроники
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные полупроводники
- •2.2 Примесные полупроводники
- •2.3. Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •2.4 Электрические переходы.
- •2.4.1. Классификация электрических переходов
- •2.5 Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состояние
- •2.7. Математическая модель р-п –перехода. Вольт – амперная характеристика
- •2.8 Ёмкость p-n перехода
- •2.9 Пробой p-n перехода
- •Глава 3 Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика диода
- •3.2 Эквивалентная схема диода
- •3.3 Влияние температуры на вах диода
- •3.4 Выпрямительные диоды
- •3.5 Импульсные диоды
- •3.6 Диоды Шотки.
- •3.7 Стабилитроны и стабисторы
- •3.8 Варикапы
- •3.9. Туннельные и обращенные диоды
- •3.10 Маркировка полупроводниковых диодов
- •Глава 4
- •4.1 Общие сведения о биполярных транзисторах
- •4 .2 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •4.3. Распределение концентрации носителей в базе. Влияние напряжений на переходах на токи транзистора
- •4.4. Режимы работы биполярного транзистора
- •4.5 Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Математическая модель транзистора
- •4.7 Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора
- •4.8. Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •4.9. Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •4.10. Методика графического определения h – параметров транзистора
- •4.11. Зависимости характеристик и параметров транзистора
- •1.12. Собственные шумы электронных приборов
- •4.13. Предельно допустимые параметры транзистора
- •Глава 5
- •5.1. Основные сведения и классификация
- •5.2. Устройство и принцип действия и вах полевого транзистора с электронно-дырочным переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.4. Вах полевого транзистора (математическая модель).
- •5.5. Дифференциальные параметры полевого транзистора и формальная схема замещения
- •5.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •5.7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры
- •Глава 6 Силовые полупроводниковые приборы
- •Тиристоры делятся на две группы: диодные тиристоры (динисторы) и триодные (тиристоры). Для коммутации цепей переменного тока разработаны специальные симметричные тиристоры — симисторы
- •6.1. Тиристоры
- •Структура диристора, вах и принцип работы
- •Глава 7
- •3.Оптроны.
- •7.1.Фотоприемные устройства Фотоприемные устройства предназначены для преобразования светового излучения в электрические сигналы. В основу работы фотоприемников положны следующие физические явления:
- •7.1.1. Фоторезистор
- •7.1.2. Фотодиоды
- •7.1.2. Фототранзисторы:
- •7.1.3. Фототиристоры
- •7.2 Светоизлучающие приборы
- •7.2.1. Светоизлучающие диоды
- •7.2.2. Полупроводниковые лазерные диоды
- •7.3. Оптроны
- •7.4. Световоды
- •7.5. Знакосинтезирующие индикаторы
- •Глава 8 электровакуумные приборы
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Вакуумный диод
- •8.3. Триод
- •8 .4. Тетроды и пентоды
- •8.5. Электронно-лучевые трубки
1.2 Характеристики, параметры, эквивалентные схемы эп
Для сравнения ЭП между собой, описания их свойств и представления их в виде электрической схемы применяют - характеристики, параметры, эквивалентные схемы ЭП.
в зависимости от числа выводов (полюсов, электродов) большинство ЭП являются двух или трехполюсниками. Последние, является частным случаем четырехполюсника.
Графическая или аналитическая зависимость между напряжением и током на выводах ЭП называется статической или просто вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Большинства электронных приборов (ЭП) имеют резко выраженные нелинейные зависимости между напряжением, приложенным к каким-либо электродам прибора, и током в цепи этих электродов. Для нелинейных элементов ВАХ является важнейшей характеристикой, поскольку она отражает физические явления, которые определяют работу электронного прибора, наглядно характеризует взаимосвязь токов и напряжений, изменяющихся в большом диапазоне, и позволяет судить о возможностях прибора даже не зная его принципа работы.
Если, конкретная ВАХ снята при изменении какого-либо дополнительного параметра, то образуется так называемое семейство ВАХ. Набор семейств ВАХ дает более полную информацию об ЭП по сравнению с набором одиночных ВАХ.
Часто информация о ВАХ оказывается избыточной, и свойства ЭП оценивают с помощью параметров ВАХ ЭП. Они характеризуют поведение ВАХ в области рабочей точки. Совокупность постоянных напряжений и токов на выводах ЭП называют рабочей точкой ЭП. Аналогично понятиям теории цепей под параметром ЭП понимают отношение отклика, т.е. выходного сигнала ЭП к величине воздействия, т.е. входному сигналу. В зависимости от характера входного сигнала различают два вида параметров ВАХ:
статическое сопротивление (статический параметр) – это сопротивление постоянному току в заданной рабочей точке (U0, I0)
R0=U0/I0;
дифференциальное сопротивление (дифференциальных параметров ВАХ ЭП) – это сопротивление переменному току малой амплитуды
Rдиф = dU/dIU/I=Um/Im.
Очевидно, что вследствие нелинейности ВАХ значения статического R0 и дифференциального Rd параметра, зависят от выбора рабочей точки (U0, I0), причем их значения для одной рабочей точки не одинаковы.
Значения статического R0 и дифференциального Rd параметра можно найти, если известна аналитическое выражение ВАХ I=f(U) . Допустим, что имеется ЭП, у которого ВАХ описывается выражением I = AU2, где A — постоянный коэффициент, причем U О (рис. 1.2, а). Зависимость производной dI/dU=2АU от напряжения имеет вид, показанный на рис. 1.2,6. Из приведенного частного примера можно сделать вывод, который оказывается справедливым для всех электронных приборов с нелинейной ВАХ: Численное значение дифференциального параметра зависит от положения рабочей точки на ВАХ. Иногда производную д1/дU,, называют проводимостью, а величину, ей обратную, — сопротивлением ЭП переменному току Rd.
Е
сли
точное выражение для ВАХ неизвестно,
то численное значение статического R0
и дифференциального параметра Rd
можно найти непосредственно по имеющемуся
графику ВАХ в выбранной рабочей точке
(рис.
1.3, а).
Очевидно, что чем меньше U,
тем ближе значение параметра, полученного
графоаналитическим путем, к истинному
значению. Если входной сигнал гармонический,
то за амплитуду принимать половину
размаха сигнала.
Если амплитуда напряжения (тока) велика, то возможен следующий подход к использованию ВАХ для расчетов. Участок ВАХ, в пределах которого сигнал изменяется, заменяется прямой линией (рис. 1.3,6). Этот прием получил название линеаризации ВАХ. На линеаризованном участке поведение ВАХ характеризуется усредненными параметрами, например:
Статические ВАХ и дифференциальные параметры, найденные непосредственно по статическим ВАХ (аналитическим или графоаналитическим методом), целесообразно использовать для расчетов радиоэлектронных схем, работающих на частотах, на которых не сказываются реактивности ЭП и инерционность носителей заряда.
Более общим, является расчет радиоэлектронных схем с применением эквивалентных схем ЭП по переменному току. Иногда вместо термина «эквивалентная схема» используется термин «схема замещения». Смысл, вкладываемый в эти термины, идентичен. Эквивалентной принято называть схему, реакция которой на входное воздействие одинакова (с определенной степенью точности) с реакцией самого ЭП. Можно выделить два подхода к построению эквивалентной схемы ЭП. Основываясь на знании физических процессов и свойств отдельных областей ЭП, эквивалентную схему представляют в виде сопротивлений, емкостей, индуктивностей, источников тока или ЭДС, соединенных определенным образом между собой. Полученная таким образом эквивалентная схема называется физической. Однако эквивалентную схему можно получить, не обращаясь к внутренним процессам в ЭП, а установив лишь формальные соотношения между токами и напряжениями на внешних выводах ЭП. Такая эквивалентная схема называется формальной.
Фактически формальная эквивалентная схема сводит анализируемый ЭП к активному четырехполюснику с соответствующими входными и выходными токами и напряжениями. Один входной и один выходной выводы могут быть соединены между собой.
Для расчета схем, в которых ЭП представлен активным четырехполюсником, существует хорошо разработанная в теория электрических цепей методика. Но для ее использования с целью получения численных характеристик схемы необходимо иметь значения коэффициентов, описывающих четырехполюсник.
В последующих разделах будет показано, как взяв за основу формальную схему того или иного, вида и зная физическую эквивалентную схему ЭП, можно выразить параметры формальной эквивалентной схемы через параметры физической. Подчеркнем, что эквивалентные схемы, о которых шла речь, рассматриваются для переменных токов и напряжений. При этом считается, что по постоянному току в ЭП обеспечен определенный режим. Изменение режима по постоянному току ведет к изменению в той или иной степени значений параметров эквивалентных схем.
До последнего времени расчет радиоэлектронных схем проводился в основном вручную с применением простейших математических приборов: логарифмической линейки, арифмометров, непрограммируемых калькуляторов и т.п. Малая скорость вычисления, большая доля чисто механических расчетов приводили к тому, что всю информацию о ЭП (ВАХ, эквивалентные схемы) стремились максимально упростить для сокращения времени расчета. В ряде случаев (особенно при разработке сложных радиоэлектронных схем) велись лишь прикидочные расчеты, а доводка схем осуществлялась чисто экспериментально.
Появление быстродействующих ЭВМ с соответствующим программным обеспечением, персональных компьютеров, использование при расчетах интерактивного (диалогового) режима позволили в настоящее время перейти к машинному проектированию радиосхем. При машинном проектировании можно более точно учесть процессы в ЭП, что, естественно, приводит к усложнению и эквивалентных схем, и уравнений, их описывающих. При таких расчетах ЭП представляется математической моделью, под которой понимается система уравнений (или математическое описание другого вида), описывающая электрические процессы в приборе и позволяющая определить с требуемой точностью необходимые характеристика и параметры ЭП в различных условиях работы.