- •Часть 1 - Физические основы электроники
- •Оглавление
- •Глава 1. Общие сведения об электронных приборах
- •Глава 2. Физические основы электроники. Электрофизические свойства полупроводников.
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды
- •Глава 4. Биполярные транзисторы
- •Глава 5. Полевые транзисторы
- •Глава 6. Силовые полупроводниковые приборы
- •Глава 7. Оптоэлектронные приборы
- •Глава 8. Электровакуумные приборы
- •Глава 1 Общие сведения об электронных приборах
- •1.1 Назначение и классификация электронных приборов
- •1.Преобразование энергии (например, преобразование энергии света в электрическую энергию или преобразование переменного тока в постоянный);
- •1.2 Характеристики, параметры, эквивалентные схемы эп
- •Глава 2
- •Физические основы электроники
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Электропроводность полупроводников
- •2.1 Собственные полупроводники
- •2.2 Примесные полупроводники
- •2.3. Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия
- •2.4 Электрические переходы.
- •2.4.1. Классификация электрических переходов
- •2.5 Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состояние
- •2.7. Математическая модель р-п –перехода. Вольт – амперная характеристика
- •2.8 Ёмкость p-n перехода
- •2.9 Пробой p-n перехода
- •Глава 3 Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика диода
- •3.2 Эквивалентная схема диода
- •3.3 Влияние температуры на вах диода
- •3.4 Выпрямительные диоды
- •3.5 Импульсные диоды
- •3.6 Диоды Шотки.
- •3.7 Стабилитроны и стабисторы
- •3.8 Варикапы
- •3.9. Туннельные и обращенные диоды
- •3.10 Маркировка полупроводниковых диодов
- •Глава 4
- •4.1 Общие сведения о биполярных транзисторах
- •4 .2 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •4.3. Распределение концентрации носителей в базе. Влияние напряжений на переходах на токи транзистора
- •4.4. Режимы работы биполярного транзистора
- •4.5 Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Математическая модель транзистора
- •4.7 Вольтамперные характеристики (вах) биполярного транзистора
- •4.8. Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры
- •4.9. Формальные схемы замещения транзистора и их параметры
- •4.10. Методика графического определения h – параметров транзистора
- •4.11. Зависимости характеристик и параметров транзистора
- •1.12. Собственные шумы электронных приборов
- •4.13. Предельно допустимые параметры транзистора
- •Глава 5
- •5.1. Основные сведения и классификация
- •5.2. Устройство и принцип действия и вах полевого транзистора с электронно-дырочным переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.4. Вах полевого транзистора (математическая модель).
- •5.5. Дифференциальные параметры полевого транзистора и формальная схема замещения
- •5.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •5.7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры
- •Глава 6 Силовые полупроводниковые приборы
- •Тиристоры делятся на две группы: диодные тиристоры (динисторы) и триодные (тиристоры). Для коммутации цепей переменного тока разработаны специальные симметричные тиристоры — симисторы
- •6.1. Тиристоры
- •Структура диристора, вах и принцип работы
- •Глава 7
- •3.Оптроны.
- •7.1.Фотоприемные устройства Фотоприемные устройства предназначены для преобразования светового излучения в электрические сигналы. В основу работы фотоприемников положны следующие физические явления:
- •7.1.1. Фоторезистор
- •7.1.2. Фотодиоды
- •7.1.2. Фототранзисторы:
- •7.1.3. Фототиристоры
- •7.2 Светоизлучающие приборы
- •7.2.1. Светоизлучающие диоды
- •7.2.2. Полупроводниковые лазерные диоды
- •7.3. Оптроны
- •7.4. Световоды
- •7.5. Знакосинтезирующие индикаторы
- •Глава 8 электровакуумные приборы
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Вакуумный диод
- •8.3. Триод
- •8 .4. Тетроды и пентоды
- •8.5. Электронно-лучевые трубки
Глава 6. Силовые полупроводниковые приборы
6.1. Динисторы, тиристоры, симисторы
6.2.
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
7.1.Фотоприемные устройства
7.2 Светоизлучающие приборы
7.3. Оптроны
7.4. Световоды
7.5. Знакосинтезирующие индикаторы
Глава 8. Электровакуумные приборы
8.1. Общие сведения
8.2. Вакуумный диод
8.3. Триод
8.4. Тетроды и пентоды
8.5. Электронно-лучевые трубки
Глава 1 Общие сведения об электронных приборах
1.1 Назначение и классификация электронных приборов
Электроника изучает явления связанные с протеканием электрического тока в вакууме, газе, твердом теле или жидкости, а также занимается изготовлением и практическим использованием устройств на основе перечисленных явлений.
Электронные приборы составляют основу элементной базы электронных устройств.
Элементная база электроники– это элементы и компоненты, из которых состоят блоки и узлы радиоэлектронной аппаратуры.
Компоненты – это конструктивно законченные изделия. К ним относятся как дискретные радиоэлементы, а также интегральные микросхемы.
Элементы – это неделимая часть компоненты, которая выполняет роль какого либо радиоэлемента. Элементы могут быть пассивными (резисторы, конденсаторы) или активными. Активные элементы называют электронными приборами. Под термином электронные приборы (ЭП) понимают элементы, работа которых основана на протекании электрического тока в вакууме, газе, твердом теле или жидкости.
Можно выделить две основные задачи, решаемые с помощью ЭП:
1.Преобразование энергии (например, преобразование энергии света в электрическую энергию или преобразование переменного тока в постоянный);
2. осуществлять заданные преобразования сигналов (генерация, преобразование к удобному виду, хранение и т. д.)
Существует большое количество разных признаков, отличающих группы ЭП. Рассмотрим основные системы классификации ЭП.
По рабочей среде, в которой протекает электрический ток, можно выделить следующие ЭП: электровакуумные; газонаполненные; полупроводниковые или твердотельные; хемотронные.
По характеру преобразуемой энергии на входе и выходе ЭП.
электропреобразовательные, в электропреобразовательных ЭП энергия источников постоянного тока преобразуется в энергию колебаний той или иной формы и частоты;
фотоэлектрические - в них, энергия электромагнитных волн оптического диапазона преобразуется в электрический ток;
электронно-световые приборы, в них энергия электрического тока преобразуется в энергию оптического потока;
термоэлектрические, в них тепловой сигнал преобразуется в электрический,
акустоэлектронные приборы, в них происходит взаимодействие акустической и электрической энергии.
В зависимости от назначения и выполняемых функций – выпрямительные, усилительные, генераторные, переключательные, индикаторные и другие.
В зависимости от диапазона рабочих частот – низкочастотные (НЧ), среднечастотные (СЧ), высокочастотные (ВЧ), сверхвысокочастотные (СВЧ).
По мощности создаваемой или потребляемой – малой, средней и большой мощности.
Первые ЭП были дискретными. Они состояли из простых элементов и выполняли простые функции. Успехи полупроводниковой технологии привели к созданию нового класс ЭП – интегральных микросхем (ИМС). ИС – это микроэлектронное изделие, которое выполняет определенную (законченную) функцию преобразования и обработки сигналов и имеет высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов.
Таким образом, электроника включает в себя три равнозначных аспекта: физический, технологический и схемотехнический. Знание этих вопросов позволяет грамотно применять изделия электроники.