3.10 Маркировка полупроводниковых диодов

Маркировка состоит из шести элементов, например:

3.10 Маркировка диодов.

Она состоит из шести элементов, например

К Д 2 1 7 А или К С 1 9 1 Е

^{1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6}

1 - Буква или цифра, указывает вид материала, из которого изготовлен диод:

1 или Г – Ge (германий); 2 или К – Si (кремний); 3 или А – GeAs.

2 - буква, указывает тип диода по его функциональному назначению:

Д – диод; С – стабилитрон, стабистор; В – варикап; И – туннельный диод; А – СВЧ диоды.

3. Назначение и электрические свойства.

4 и - 5 указывают порядковый номер разработки или электрические свойства (в стабилитронах – это напряжение стабилизации; в диодах – порядковый номер).

6. - Буква, указывает деление диодов по параметрическим группам (в выпрямительных диодах – деление по параметру U_обр.max, в стабилитронах деление по ТКН).

Глава 4

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Транзисторы – это полупроводниковые приборы с тремя выводами, и предназначены для усиления и генерации электрических сигналов.

Транзистор представляет собой трехполюсный прибор, что является частным случаем четырехполюсник. Транзисторы имеют три вывода: входной - для подачи управляющего сигнала, выходной и общий.

В ыходным сигналом транзистора является выходной ток. В зависимости от способа управления им транзисторы делятся на две группы:

1. Токовые. В них выходной ток пропорцианален входному току - I_вых = kI_вх. В создании выходного тока в таких транзисторах принимают участие два вида носителей заряда – электроны и дырки, а потому, их часто называют биполярными.

2. Полевые. В них выходной ток пропорцианален входному напряжению - I_вых = SU_вх._. Входное напряжение U_вх создаёт в объёме транзистора электрическое поле, управляющее выходным током. В этих транзисторах в создании выходного тока I_вых принимает участие один вид носителей заряда – электроны или дырки, а потому их иногда называют униполярными транзисторами.

4.1 Общие сведения о биполярных транзисторах

Б иполярные транзисторы это обьем полупроводника с тремя чередующимися р и n областями и с двумя близко расположенными, а потому взаимодействующими р-n-переходами. В зависимости от чередования р и n –областей, различают два типа биполярных транзисторов: р-п-р и п-р-п-типа.

Структуры и условные обозначения данных типов транзисторов показаны на рис. 2.1. Между каждой областью полупроводника и ее выводом имеется омический контакт, который на рис. 2.1 показан жирной чертой. Средний слой транзистора называют базой (Б), один из крайних - эмиттером (Э), другой — коллектором (К). Между эмиттером и базой возникает эмиттерный переход (ЭП), а между коллектором и базой – коллекторный переход (КП).

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы бывают: сплавные, эпитаксиально-диффузионные, планарные, мезатранзисторы и т. д. В зависимости от распределения примесей в базе транзисторы бывают: диффузионные, при равномерном распределения примесей и дрейфовые при неравномерном распределении примесей. Конструкция транзистора при сплавном и планарном методе изготовления показаны на рис.2. Для того чтобы конструкция работала, как транзистор, необходимо чтобы все инжектированные эмиттером носители заряда доходили до коллекторного перехода. Для этого необходимо: во первых - ширина базы W должна быть значительно меньше диффузионной длины L, т.е. W<<L, толщина базы состовляет (0.1-100 мкм); во вторых - S_Э. << S_к, где S_Э – площадь эмиттерного перехода; S_к – площадь коллекторного перехода.

Особенностью планарной технологии является то, что транзистор изготавливается путем многократной диффузии примесей только только на одну из сторон подложки. Кроме того, если на одной подложке сразу изготовить большое число транзисторов то они оказываются практически электрически изолированными друг от друга за счет двух обратно смещенных р-п переходов образованных между областями коллектора и подложкой. Это положено в основу изготовления интегральных схем.