Министерство образования российской Федерации

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА

Кафедра теоретической радиотехники и электроники

Погодин Д.В.

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебное пособие по дисциплине Электроника

Часть 1 - Физические основы электроники

Для студентов заочного и дневного отделения

Казань 2005

УДК 621.38/39(075) Составитель: Погодин Д.В.

Электроника. Учебное пособие по дисциплине “Электроника”. Часть 1- Физические основы электроники. / авт. - сост. Д.В. Погодин, - Казань; КГТУ им. Туполева, 2005 - 39с.

Учебное пособие написано в соответствие с типовой программой дисциплины “Электроника”, которая принята для студентов обучающихся по направлению подготовки дипломированного специалиста 654200 - радиотехника по специальности 200700 – радиотехника, а также направления 654400 – телекоммуникация по специальности 2010 – многоканальные телекоммуникационные системы и предназначена для студентов заочного и дневного отделения.

Табл. 4. Ил.6. Библиогр: 2 назв.

Рецензенты: кафедра Электротехники и электропривода Казанского государственного технологического университета.

Зав. кафедрой д.т.н., профессор Миляшов Н.Ф.;

к.т.н., доцент Кропачев Г.Ф. (Казанский государственный технологический университет).

Рекомендовано к изданию Учебно-методическим центром

КГТУ им. А. Н. Туполева

Оглавление

Глава 1. Общие сведения об электронных приборах

1. Назначение и классификация электронных приборов

1.2 Характеристики, параметры, эквивалентные схемы ЭП

Глава 2. Физические основы электроники. Электрофизические свойства полупроводников.

Электропроводность полупроводников

2.1 Собственные полупроводники

2.2 Примесные полупроводники

2.3. Токи в полупроводнике. Дрейф и диффузия

2.4 Электрические переходы.

2.4.1. Классификация электрических переходов

2.4.2. p-n переход

2.5 Образование p-n перехода. p-n переход в равновесном состояние

2.6 Р-n переход при внешнем напряжении, приложенном к нему

2.7. Математическая модель р-п –перехода. Вольт – амперная характеристика.

2.8 Ёмкость p-n перехода

2.9 Пробой p-n перехода

Глава 3. Полупроводниковые диоды

3.1. Вольт-амперная характеристика диода

3.2 Эквивалентная схема диода

3.3 Влияние температуры на ВАХ диода

3.4 Выпрямительные диоды

3.5 Импульсные диоды

3.6 Диоды Шотки.

3.7 Стабилитроны и стабисторы

3.8 Варикапы

3.9. Туннельные и обращенные диоды

3.10 Маркировка полупроводниковых диодов

Глава 4. Биполярные транзисторы

4.1 Общие сведения о биполярных транзисторах

4.2 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме

и соотношения для его токов

4.3. Распределение концентрации носителей в базе. Влияние напряжений на переходах на токи транзистора

4.4. Режимы работы биполярного транзистора

4.5. Схемы включения биполярного транзистора

4.6. Математическая модель транзистора

4.7. Вольтамперные характеристики (ВАХ) биполярного транзистора

4.8. Физические эквивалентные схемы транзистора и их параметры

4.9. Формальные схемы замещения транзистора и их параметры

4.10. Методика графического определения h – параметров транзистора

4.11. Зависимости характеристик и параметров транзистора от температуры и положения рабочей точки

1.12. Собственные шумы электронных приборов

4.13. Предельно допустимые параметры транзистора

Глава 5. Полевые транзисторы

5.1. Основные сведения и классификация

5.2. Устройство и принцип действия и ВАХ полевого транзистора с электронно-дырочным переходом

5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

5.4. ВАХ полевого транзистора (математическая модель)

5.5. Дифференциальные параметры полевого транзистора и формальная схема замещения

5.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора

5.7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры