Полупроводниковый лазер типа "Комета"-1м"

Полупроводниковый лазер типа "Комета"-1М" является инжекционным генератором, излучающим в ближайшем диапазоне инфракрасной облас­ти спектра и предназначенным для научных исследований, разработки си­стем связи, локации, наведения и т.д.

Конструкция прибора показана на рисунке. На общем основании (1) расположен криостат(5) и генератор импульсов тока (13). Основной часты криостата является сосуд с двойной стенкой и вакуумной изоляцией по­добно сосуду Дюара. В нижней части сосуда впаян хладопровод, на котором с помощью накидной гайки крепится патрон с полупроводниковым диодом.

Сосуд Дюара вакуумно-плотно соединен с наружным цилиндром, кото­рый образует вторую вакуумную полость, необходимую, для предотвраще­ния намерзания льда на хладопроводе и диоде. В сосуд Дюара заливается жидкий азот для поддержания рабочей температуры диода 77 К. Сосуд свер­ху закрывается пробкой (7).

В стенке криостата на одной оси с диодом помещен объектив (4) слу­жащий для уменьшения расходимости пучка. Частота повторения импульсов меняется плавно с помощью ручки 12 "частота" от 1 до 10 кГц. Контроль частоты производится по осциллографу или частотомеру. Прибор работает только при наличии азота в криостате, работа генератора без азота недопустима. Питание прибора осуществляется от сети переменного тока 220 В, 50 Гц.

Включение прибора осуществляется тумблером 11, при этом должна загореться лампочка 10.

Технические данные прибора:

Длина волны излучения	0,85 мкм
Длительность импульсов излучения	0,2 мкс
Мощность излучения в импульсе	3 Вт
Частота повторения импульсов	1—10 кГц
Продолжительность непрерывной работы	5 час
Рабочая температура диода	77 К
Потребляемая мощность	6 Вт
Ширина спектральной линии излучения	2 нм

Упрощенная схема лазера «Комета-1М»

Полупроводниковой инжекционный лазер непрерывного режима работы

Полупроводниковой инжекционный лазер непрерывного режима работы предназначен для использования в качестве источника оптического излу­чения в системах слежения: и передачи информации, а также в измери­тельных устройствах.

Конструктивно прибор выполнен в виде блока излучателя, внешний вид которого показан на рисунке и источника питания.

В качестве источника питания может быть использован любой источник электрическо­го тока со следующими ха­рактеристиками:

• ток накачки не более 0,5 А

• напряжение до 5 В

• выходное сопротив­ление 10 Ом

• коэффициент пульса­ций тока ± 0,5 %

Полупроводниковой лазер непрерывного режима работы

Если выходное сопротивление источника значительно превышает 10 Ом, то необходимо использовать согласующие электрические узлы (трансфор­матор, эмиттерный повторитель и т.п.) между источником и полупроводни­ковым излучателем. Собственно излучатель представляет собой корпус, в котором закреплен полупроводниковый диод с p-n переходом. Корпус является положительным вводом напряжения источника накачки и должен быть закреплен на теплоотводящее основание, обеспечивающее термостабилизацию полупроводникового лазера. Выходные характеристики излучения полу­проводникового лазера значительно зависят от температуры окружающей среда. В случае невозможности термостабилизации излучателя необходимо управлять рабочим током в соот­ветствии с изменением температуры в пределах от -60°C до +55°С.

Излучающий p-n переход толщиной около 1 мкм расположен параллель­но нижнему основанию корпуса и поэтому диаграмма направленности вытя­нута вдоль вертикальной плоскости.

Технические данные прибора ИЛПН-102:

Длина волны излучения	0,82 … 0.92 мкм
Мощность излучения	Не менее 5 мВт
Ширина спектральной линии по уровню 0,5	Не более 4 нм
Расходимость лазерного излучения по уровню 0,5	не более 60°
Долговечность	2000 час
Потребляемая мощность	не более 2 Вт

Примечание: Не допускается подача на прибор тока обратной полярности.