1

Транзисторы

Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с двумя или более электронно-дырочными переходами.

Отсюда по конструкции и принципу действия транзисторы подразделяются на две большие группы:

1. биполярные транзисторы (в т.ч. тиристоры);

2. полевые транзисторы.

Транзисторы с двумя переходами и тремя выводами называются полупроводниковым триодом. Такой транзистор представляет собой систему р-п-р или п-р-п, полученную в одном монокристалле.

Классификация транзисторов

Классификация транзисторов отображена в их условном обозначении (маркировке) и содержит определённую информацию об их свойствах.

Первый элемент обозначения указывает на тип используемого материала:

- буквы для транзисторов широкого применения

Г-Ge

К-Si

A-GaAs

- цифры для транзисторов специального назначения

1-Ge

2-Si

3-GaAs

Второй элемент обозначения буква:

Т - биполярные транзисторы;

П - полевые транзисторы.

Третий элемент обозначения определяет назначение транзисторов с точки зрения частотных и мощностных свойств:

Мощность, рассеиваемая транзистором [Вт]	Граничные частоты коэффициента передачи тока, МГц
	до 3 МГц	3-30 МГц	более 30 МГц
до 0,3 Вт (малой мощности)	1	2	3
0,3 -f-1,5 Вт (средней мощности)	4	5	6
более 1,5 Вт (большой мощности)	7	8	9

Четвёртый и пятый элементы обозначения указывают на порядковый номер разработки данного типа транзистора и обозначаются цифрами от 01 до 99.

Последний (шестой) элемент обозначения (буквы от А до Я) показывает разделение транзисторов данного типа на группы по классификационным параметрам.

Например, ГТ320А - германиевый, биполярный (р-п-р), маломощный, высокочастотный, № разработки 20, группа А с классификационным параметром

	Uкэ0 гр [В]	|h21э|
ГТ320А	13	4
ГТ320Б	11	6
ГП320В	9	8

Следует отметить, что иногда в обозначения транзистора вкрадываются ошибки из-за неправильного определения их частотных и мощностных свойств. Например, КТ104А-КТ104Г или ГТ906А - ГТ906М и т.д.

В настоящее время новое семизначное обозначение, где изменяется третий элемент обозначения:

Мощность, рассеиваемая транзистором [Вт]	Граничные частоты коэффициента передачи тока, МГц
	до 30	30 -300	более 300
до 1 Вт	1	2	4
свыше 1 Вт	7	8	9

Кроме того, номер разработки будет трёхзначным.

Например, КП7235Г обозначает: кремниевый, полевой, с граничной частотой до 30 МГц и рассеиваемой мощностью более 1 Вт, разработка №235, группа Г.

В настоящее время выпускаются транзисторы на мощности от 20 мВт до 250 Вт с граничными частотами от 0,1 МГц до 8 ГГц, максимально допустимыми напряжениями на переходах от 0,3 В до 1500 В и токами от 5 мА до 50 А, с уровнем собственных шумов от 3дБ до 20 дБ.

В корпусах с R_t =1÷200°С/Вт, без корпусов и в виде кристаллов с выводами и без выводов, но смонтированных на плате герметизированной пластмассой.