-удельная проводимость для кристалла n- типа

Изменяя размеры, путем изменения величины запирающего напряжения можно изменять сопротивление канала R. При этом переход расширяется или сужается.

При некотором напряжении на затворе Uзи =U зо обедненные слои смыкаются ( и сопротивление прибора между И и С становится очень большим) это напряжение называется напряжением отсечки.

Если напряжение на затворе равно 0, а на стоке Uси >0, то через прибор будет протекать ток:

При протекании тока (Iс) на сопротивлении канала создается падение напряжения и переход оказывается смещенным в обратном направлении. Причем вблизи стокового конца ширина перехода будет больше , а вблизи истока меньше, т.к. здесь напряжение на переходе оказывается близким к нулю. С ростом напряжения на стоке растет ток через прибор и соответственно напряжение смешения. Проводящий канал сужается:

При Uc=Uch (напряжение насыщения ) объединенные слои смыкаются у стокового конца. Дальнейший рост тока с ростом Uc прекращается. Напряжение насыщения Uch измеряется при напряжении на затворе относительно истока равном нулю и численно равно напряжению отсечки, т.е.

Соседние файлы в папке Полевые транзисторы