Индуцированный
канал
Рассмотрим
полевые
транзисторы
с
затвором
в
виде
р
- n
перехода.
Его
устройство
с
плоскими
электродами
имеет
вид:
Канал
полевого
транзистора
представляет
собой пластину
полупроводника (Si)
с электропроводностью
типа п.
С двух
сторон созданы
р -области
с более
высокой
концентрацией
примеси. При
включении на
сток подается
(+) относительно
истока (-).
Рассмотрим
работу
прибора,
когда
Ucи=0,
Узи<0
При
такой полярности
из р
- n
переход смешен
в обратном
направлении.
Т.к.
концентрация
носителей в
р - области
много больше,
чем в
n-
области, то
ширина обедненного
слоя в
канале много
больше, чем
в р
- области.
Сопротивление
канала зависит
от размеров
поперечного
сечения:
где
I
- длина
канала
a,
в
- поперечное
размеры
(высота
и
ширина)
канала
