лекции, учебные пособия / лекции полупроводниковые диоды кулагин в.с. / Электроника / 5

где Ск- емкость корпуса диода, Ск<0,3 пФ;

L_s - индуктивность выводов и контактной пружины, соединяющей

кристалл с одним из выводов, r_п - сопротивление перехода; С_п - емкость р-n перехода;

r_б - сопротивление базы, омического контакта и выводов диода. Емкость С_п диода состоит из барьерной С_Бар и диффузионной С_диф емкостей. Емкость, определяемая отношением изменения величины инжектированного заряда к изменению приложенного напряжения, называется диффузионной емкостью:

Диффузионная емкость пропорциональна прямому току и времени жизни t_P неосновных носителей в области базы:

Барьерная (или зарядная) емкость перехода (ее иногда называют дифференциальной) определяется отношением изменения пространственного заряда перехода к вызвавшему это изменение напряжению:

Величину этой емкости модно подсчитать по формуле плоского конденсатора:

Для диодов с редким переходом (сплавных):

где А₀- коэффициент, учитывающий константы и геометрию сплавного

перехода,

фк- контактная разность потенциалов. Для диодов с плавным переходом (диффузионные диоды):

Начальный участок ВАХ в относительных единицах имеет вид [рис 13]: