При прямых напряжениях зависимость I(U) настолько крутая, что получить нужный ток, задавая напряжение, очень трудно, т.к. ток резко растет, особенно после U/φ=4.
Поэтому для р-n перехода здесь характерен режим заданного прямого тока. Исследуем зависимость U(I). Для этого запишем ВАХ в следующем виде (продифференцировав выражение (1)):
Обычно I/I0»1 и можно пользоваться формулой:
На практике диапазон изменения прямых токов редко бывает широким. Поэтому прямое падение напряжения можно считать постоянным и рассматривать как своего рода параметр открытого перехода. Обозначим его U* и будем его называть напряжением открытого перехода. Например, если переход (Si) и I0=10 5А, а I=(10-3 -:- 10-4) А, то U*=0,69 -:- 0,64 В.
Далее, если Uпрямое на 0,1 В (т.е. 4(φт) меньше напряжения U*, то переход можно считать практически закрытым, т.к. токи при таких напряжениях в десятки раз меньше номинальных.
Поэтому условно можно называть величину U*-0,1B напряжением отпирательного перехода [рис. 14]:
Важной особенностью идеальной ВАХ является обратная зависимость между прямым напряжением и тепловым током: | Чем больше прямое напряжение, тем меньше тепловой ток и наоборот.
Так, у Ge диодов обратный ток теоретически на 6 порядков больше, чем у Si диодов. Поэтому прямые напряжения у Ge диодов при прочих равных условиях меньше, чем у Si диодов (примерно на 0,35 -f- 0,4 В).
Кроме того, т.к. 10 прямопропорционален S- площади перехода, то с увеличением площади перехода Unp изменится Грис. 151.
