Импульсные диоды.
Они имеют малую длительность переходных процессов (Сд- мало) и предназначены для работы в импульсных цепях.
Принцип работы можно пояснить следующим образом[рис. 181:
В момент переключения импульсного диода с прямого включения на обратное наблюдается большой обратный ток (IBOCCT.MAX>Iпр)- Он вызван тем, что неосновные носители, инжектированные ранее в базу, начинают возвращаться через р-n переход или частично рекомбинироваться.
В течение некоторого времени tBОССT происходит рассасывание избыточны неосновных носителей заряда в базе. Это время называется временем восстановления обратного сопротивления.
По этому параметру импульсные диоды делятся на 3 группы:
-
миллисекундные tBОССT > 0,1 мс,
-
микросекундные tBОССT = 0,1 -:- 100 мкс,
-
наносекундные tBОССT < 0,1 мкс. Вообще время восстановления:
Наиболее эффективным методом снижения tBОССT является уменьшение τР-времени жизни неосновных носителей. Для этого в полупроводник вводят золото (Na=10-16cm-3).
Типичные значения времени жизни для (Si) составляет 0,1 -:- 1,0 мкс. Если легировать (Si) «ловушечной» примесью (Аu), то время жизни уменьшится до 10 нc и менее [рис. 19].
