- •Часть I
- •1.2. Испытания напряжением промышленной частоты
- •1.3. Испытания изоляции импульсными напряжениями
- •1.4. Испытание методом разрядного напряжения
- •1.5. Общие условия испытаний
- •1.6. Особенности испытаний изоляции силовых кабелей
- •1.7. Особенности испытаний изоляции вращающихся машин
- •1.8. Электрическая прочность изоляционных конструкций
- •Лекция 2
- •II. Высоковольтные испытательные установки промышленной частоты
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Установки высокого напряжения испытательных станций и лабораторий
- •2.3. Общие требования к устройству испытательного поля
- •2.4. Схема электропитания установки высокого напряжения
- •2.5. Испытательные электроустановки
- •2.6. Испытательные трансформаторы
- •2.7. Схемы включения испытательных трансформаторов
- •2.7. Каскадное соединение трансформаторов
- •2.8. Регуляторы напряжения
- •2.9. Электронные регуляторы напряжения
- •2.10. Тиристорные регуляторы напряжения
- •2.10.1 Двухтактный тиристорный преобразователь
- •2.10.2. Мостовые тиристорные преобразователи
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 4 каскадные генераторы постоянного тока
- •4.1. Схема удвоения напряжения, применяемая в каскадах
- •4.2. Каскадный генератор постоянного напряжения
- •1. Схемы каскадных генераторов с параллельным питанием ступеней (рис. 4.7).
- •4.3. Параметры и конструкции каскадных генераторов
- •Лекция 5 электростатические генераторы
- •Лекция 6 генераторы импульсов высокого напряжения
- •6.1. Стандартные формы импульсов
- •6.3. Заряд конденсаторов гин.
- •6.4. Разряд гин.
- •6.5. Разрядная цепь гин.
- •6.6. Инвертирование импульса гин
- •6.7. Методика расчета параметров гин.
- •6.8. Работа гин на нагрузку
- •6.9. Технологические гин.
- •6.10. Конструкции гин.
- •Лекция 7 генераторы коммутационных перенапряжений
- •7.1. Формы импульсов коммутационных перенапряжений
- •7.2. Схемы генерирования импульсов коммутационных напряжений
- •Лекция 8 высокочастотные резонансные трансформаторы (Трансформаторы Тесла)
- •Лекция 9 импульсные трансформаторы
- •9.1. Назначение импульсных трансформаторов
- •9.2. Эквивалентная схема импульсного трансформатора
- •9.3. Искажение фронта импульса
- •9.4. Искажение плоской части импульса
- •9.5. Процессы в ит после окончания импульса
- •9.6. Электромагнитные процессы в сердечнике ит
- •9.7. Потери в сердечниках
- •Лекция 10 импульсные конденсаторы
- •10.1. Специальные требования к высоковольтным импульсным конденсаторам
- •10.2. Изоляция конденсаторов
- •10.3. Условия работы изоляции конденсаторов
- •10.4. Индуктивность импульсных конденсаторов
- •10.5. Потери энергии в импульсных конденсаторах
- •10.6. Определение характеристик конденсаторов
- •10.6.1. Измерение индуктивности конденсаторов.
- •10.6.2. Определение внутреннего сопротивления конденсаторов.
- •10.7. Испытания конденсаторов высоким напряжением
- •10.8. Типы импульсных конденсаторов
- •Лекция 11 генераторы импульсных токов.
- •11.1. Назначение генераторов импульсных токов (гит)
- •11.2. Принципиальная схема генераторов больших импульсных токов (гит)
- •11.3. Эквивалентные схемы гит
- •11.4. Схемные и технические методы снижения индуктивности гит
- •11.5. Схемы с замыкателями нагрузки (кроубары)
- •Лекция 12 генераторы мощных наносекундных импульсов
- •12.1. Области применения
- •12.2. Методы формирования наносекундных импульсов на основе линий с распределенными параметрами
- •12.3. Схемы гни с умножением напряжения
- •12.4. Искажения импульсов в линиях с распределенными параметрами
- •12.5. Коммутация генераторов наносекундных импульсов
- •12.6. Наносекундные генераторы импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока
- •Лекция 13 индуктивные накопители энергии
- •13.1. Общие сведения об индуктивных накопителях энергии
- •13.2. Основные типы индуктивных накопителей, их параметры и показатели
- •13.3. Индуктивные накопители в виде цилиндрических катушек прямоугольного сечения
- •13.4. Индуктивный накопитель в виде тонкого соленоида
- •13.5 Тороидальные индуктивные накопители энергии.
- •13.6. Процессы заряда и разряда в индуктивных накопителях
- •13.7. Трансформаторные индуктивные накопители
- •13.8. Тепловые процессы в индуктивных накопителях
- •13.9. Коммутаторы для цепей с индуктивными накопителями
- •13.9.1. Управляемые полупроводниковые коммутаторы
- •13.9.2. Вакуумные выключатели высокого напряжения
- •13.9.3. Электровзрывные, взрывные и реостатные коммутаторы
- •Часть II
- •Измерения на высоком напряжении,
- •Устройства диагностики аппаратов высокого напряжения
- •Лекция 1
- •Измерение высоких напряжений
- •1.1. Шаровые измерительные разрядники
- •Нормированные расстояния a и b (рис. 1.1) для шаровых разрядников
- •1.2. Измерение высокого напряжения электростатическими киловольтметрами
- •1.3. Измерение высокого напряжения стрелочными или цифровыми приборами с добавочным сопротивлением
- •1.4. Измерение переменного напряжения с использованием прибора и измерительного конденсатора
- •1.5. Измерение импульсных напряжений с помощью делителей напряжения
- •1.5.1. Омические делители напряжения
- •1.5.2. Емкостные делители напряжения
- •1.5.3. Демпфированные и смешанные делители
- •Лекция 2 измерение больших импульсных токов
- •2.1. Измерения импульсных токов с помощью низкоомных шунтов
- •2.2. Мостовые шунты
- •2.2. Измерительные трансформаторы тока.
- •2.3. Измерения больших токов с использованием устройств, основанных на эффекте Холла.
- •Лекция 3 частичные разряды в изоляции и их измерения
- •3.1. Основные характеристики частичных разрядов
- •3.2. Частичные разряды в бумажно-масляной изоляции.
- •3.3. Методика измерений характеристик частичных зарядов.
- •3.4. Особенности измерений характеристик чр в силовых трансформаторах.
- •Лекция 4 осциллографирование импульсных процессов
- •5.1. Электронно-лучевые осциллографы
- •5.2. Цифровые осциллографы.
- •4.3. Вопросы электромагнитной совместимости при высоковольтных измерениях электронно-лучевыми осциллографами.
- •Лекция 5 помехи при измерениях в лабораторияхвысокого напряжения
- •5.1. Заземление и экранировка залов высоковольтных лабораторий
- •5.2. Источники помех при измерениях
- •5.3. Выполнение разрядных контуров
- •5.4. Особенности выполнения измерительных схем
- •5.5. Экранированные кабины
- •5.6. Инженерные коммуникации высоковольтной лаборатории
- •5.7. Ослабление влияния помех при измерениях
4.3. Вопросы электромагнитной совместимости при высоковольтных измерениях электронно-лучевыми осциллографами.
При отладке высоковольтных измерений электронно-лучевыми осциллографами, сталкиваются с наличием большого числа помех, различными путями достигающих пластин осциллографа. В результате вместо ожидаемого расчетного осциллографируется импульс с наложенными высокочастотными биениями, как показано на рис. 4.5.
Рис. 4.5. Высокочастотные наводки, накладывающиеся на осциллографируемый импульс.
Причинами высокочастотных наводок следующие.
1. Непосредственное воздействие
электромагнитного поля импульсного
генератора на пластины плохо экранированного
осциллографа, что устраняется путем
удаления осциллографа от источника
помех и путем помещения осциллографа
в экранированную кабину, выполненную
из металла или металлической сетки. при
этом коэффициент экранирования
может достичь величины до 80-100 дБ.
(Напомним,
,
где
-
отношение напряжения помехи до и после
экранирования. Если
=
1000, то
60).
2. Помехи, проникающие по сети питания осциллографа, наведенные электромагнитным полем импульсного генератора в частотном в диапазоне от 10 - 100 МГц; для их снижения наиболее эффективно применение автономного питания осциллографа, размещаемого в экранированной кабине.
При питании от сети применяют системы емкостно‑режекторных фильтров, одна из схем которых - на рис. 4.6. Провода питания при этом также должны быть экранированы.
3. Наводки на измерительную цепи делителя, шунта и их кабелей. Наводка на кабели возникает за счет их неплотной оплетки и эксцентриситета центральной жилы. Последнее проверяется путем двух опытов: отключив кабель от шунта или делителя оценивают величины наводок при короткозамкнутом кабеле в месте подключения к делителю или шунту и при разомкнутом конце кабеля.
4. Наводки, вызванные падением напряжения при протекании импульсных токов по оболочкам кабелей, заземляющим проводам, заземленным металлоконструкциям. Рассмотрим этот тип помех подробнее.
Положим, что по металлоконструкциям протекает ток I=100A с частотой f=106 Гц. Индуктивность линейного проводника длиной 1м равна L 10-6 Г.
Тогда индуктивное падение напряжения на таком проводнике:
Если участком такой металлоконструкции является оплетка кабеля, то этот ток наводит Э.Д.С. на центральную жилу. Уровень наводки характеризуется сопротивлением связи кабеля Zсв, определяемым по схеме на рис. 4.7, где Uн – наведенное на центральную жилу напряжение.
Рис. 4.6. Схема емкостно-режекторного фильтра для защиты осциллографа от наводок по питающей сети
Рис. 4.7. Схема определения сопротивления связи.
=
;
Чем выше , тем больше величина наводки. Для снижения выполняют двойное экранирование кабеля. При протекании тока наводки по внешнему экрану можно снизить на 60 - 80 ДБ. То же самое происходит при протекании токов наводки по корпусу осциллографа. Падение напряжения на нем приложено к пластинам ЭЛТ (рис. 4.8). Таким образом, для исключения таких наведенных напряжений необходимо рациональное размещение генератора, измерительной аппаратуры и нагрузки и их взаимное соединение.
5. Способы защиты от наводок, вызываемых сетью 50 Гц, 220 В следующие.
Нулевой провод сети связан с заземлением и по правилам ТБ, к нему должны быть подключены все корпуса приборов. Приборы могут иметь между собой взаимные подключения кабелями, по оболочкам которых могут протекать часть токов сети (рис. 4.9).
Рис. 4.8. Падение напряжения на элементах корпуса осциллографа при протекании импульсного тока. СП - паразитная емкость конструкции.
Как и в рассмотренных выше случаях, ток Iн вызывает мешающие падения напряжения. Для снижения наведенного напряжения отключают от земли корпус одного из приборов, при этом будет разорван контур паразитного тока. Заземление обеспечивается через корпус другого прибора и оболочку соединительного кабеля.
6. Защита от наведенных Э.Д.С. при быстро протекающих процессах.
Если источником наведенной Э.Д.С. является контур с импульсным током, то его влияние может быть представлено схемой замещения, как показано на рис. 4.10.
Рис. 4.9. Токи сети 220 В, которые могут протекать по корпусам приборов.
Рис. 4.10. Контуры влияния разрядного контура на измерительные цепи.
Снижение таких наводок достигается экранированием кабелей стальными трубами, использованием экранированной кабины осциллографа и стальных полов, под которыми размещают измерительные кабели (рис. 4.11). Тогда индуктивно связанные контуры отсутствуют, действие электростатических наводок практически нейтрализовано экранами.
Рис. 4.11. Экранирование осциллографа и измерительных кабелей.
7. Наводки, вызываемые смещением потенциала и защита от них.
Паразитные емкости элементов разрядного контура Сп имеют контуры, которые замыкаются также через сопротивление заземления высоковольтной установки Z3 (рис. 4.12А). Токи в этих контурах могут иметь большие значения, поскольку собственная частота контуров имеет большие величины.
Рис. 4.12. Паразитные емкости неэкранированного (А) и экранированного (Б) разрядного контура.
За счет падения напряжения на Z3 потенциал точки А относительно измерительных приборов не равен нулю. Защитой от этой наводки является размещение разрядного контура в клетке Фарадея (полное металлическое экранирование (рис. 4.12Б), из которой не выходят силовые линии электрического поля, поэтому не происходит импульсного смещения потенциала точки А.
Последнее решение технически не всегда выполнимо, поэтому следует выбирать точку заземления так, чтобы смещение потенциала было минимальным.
На рис. 4.13 приведены неправильный (А) и правильный (Б) выбор точки заземления импульсного генератора. В случае А на обратном проводе падения напряжения приводит к появлению потенциала смещения Uсм , который вызывает появления паразитного тока в измерительной цепи. В контуре (Б) смещение обусловлено только наличием паразитной емкости обратного провода на землю и по величине значительно меньше, чем в случае А.
Для уменьшения влияния через оболочку кабеля применяют также режекторную конструкцию: наматывают кабель на стальной замкнутый сердечник. Тогда для наводимого в оболочке тока дополнительным сопротивлением является , которое не препятствует прохождению измеряемого сигнала, поскольку в коаксиальной системе проводов электрическое и магнитное поля заключены между жилой и оплеткой.
Рис. 4.13. Выбор точки заземления высоковольтного импульсного генератора.
При развертывании генераторного и измерительного оборудования, в которое входят также цепи заряда, выпрямления, управления, сигнализации, следует так размещать цепи, чтобы не создавались дополнительные замкнутые контуры, магнитосвязанные с контуром генерирования. Должны исключаться пересечения проводников различного назначения (силовых, импульсных, измерительных, управления).
Заземление всех элементов генераторного контура для снижения смещения потенциала необходимо производить в одной точке.
