- •Часть I
- •1.2. Испытания напряжением промышленной частоты
- •1.3. Испытания изоляции импульсными напряжениями
- •1.4. Испытание методом разрядного напряжения
- •1.5. Общие условия испытаний
- •1.6. Особенности испытаний изоляции силовых кабелей
- •1.7. Особенности испытаний изоляции вращающихся машин
- •1.8. Электрическая прочность изоляционных конструкций
- •Лекция 2
- •II. Высоковольтные испытательные установки промышленной частоты
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Установки высокого напряжения испытательных станций и лабораторий
- •2.3. Общие требования к устройству испытательного поля
- •2.4. Схема электропитания установки высокого напряжения
- •2.5. Испытательные электроустановки
- •2.6. Испытательные трансформаторы
- •2.7. Схемы включения испытательных трансформаторов
- •2.7. Каскадное соединение трансформаторов
- •2.8. Регуляторы напряжения
- •2.9. Электронные регуляторы напряжения
- •2.10. Тиристорные регуляторы напряжения
- •2.10.1 Двухтактный тиристорный преобразователь
- •2.10.2. Мостовые тиристорные преобразователи
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 4 каскадные генераторы постоянного тока
- •4.1. Схема удвоения напряжения, применяемая в каскадах
- •4.2. Каскадный генератор постоянного напряжения
- •1. Схемы каскадных генераторов с параллельным питанием ступеней (рис. 4.7).
- •4.3. Параметры и конструкции каскадных генераторов
- •Лекция 5 электростатические генераторы
- •Лекция 6 генераторы импульсов высокого напряжения
- •6.1. Стандартные формы импульсов
- •6.3. Заряд конденсаторов гин.
- •6.4. Разряд гин.
- •6.5. Разрядная цепь гин.
- •6.6. Инвертирование импульса гин
- •6.7. Методика расчета параметров гин.
- •6.8. Работа гин на нагрузку
- •6.9. Технологические гин.
- •6.10. Конструкции гин.
- •Лекция 7 генераторы коммутационных перенапряжений
- •7.1. Формы импульсов коммутационных перенапряжений
- •7.2. Схемы генерирования импульсов коммутационных напряжений
- •Лекция 8 высокочастотные резонансные трансформаторы (Трансформаторы Тесла)
- •Лекция 9 импульсные трансформаторы
- •9.1. Назначение импульсных трансформаторов
- •9.2. Эквивалентная схема импульсного трансформатора
- •9.3. Искажение фронта импульса
- •9.4. Искажение плоской части импульса
- •9.5. Процессы в ит после окончания импульса
- •9.6. Электромагнитные процессы в сердечнике ит
- •9.7. Потери в сердечниках
- •Лекция 10 импульсные конденсаторы
- •10.1. Специальные требования к высоковольтным импульсным конденсаторам
- •10.2. Изоляция конденсаторов
- •10.3. Условия работы изоляции конденсаторов
- •10.4. Индуктивность импульсных конденсаторов
- •10.5. Потери энергии в импульсных конденсаторах
- •10.6. Определение характеристик конденсаторов
- •10.6.1. Измерение индуктивности конденсаторов.
- •10.6.2. Определение внутреннего сопротивления конденсаторов.
- •10.7. Испытания конденсаторов высоким напряжением
- •10.8. Типы импульсных конденсаторов
- •Лекция 11 генераторы импульсных токов.
- •11.1. Назначение генераторов импульсных токов (гит)
- •11.2. Принципиальная схема генераторов больших импульсных токов (гит)
- •11.3. Эквивалентные схемы гит
- •11.4. Схемные и технические методы снижения индуктивности гит
- •11.5. Схемы с замыкателями нагрузки (кроубары)
- •Лекция 12 генераторы мощных наносекундных импульсов
- •12.1. Области применения
- •12.2. Методы формирования наносекундных импульсов на основе линий с распределенными параметрами
- •12.3. Схемы гни с умножением напряжения
- •12.4. Искажения импульсов в линиях с распределенными параметрами
- •12.5. Коммутация генераторов наносекундных импульсов
- •12.6. Наносекундные генераторы импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока
- •Лекция 13 индуктивные накопители энергии
- •13.1. Общие сведения об индуктивных накопителях энергии
- •13.2. Основные типы индуктивных накопителей, их параметры и показатели
- •13.3. Индуктивные накопители в виде цилиндрических катушек прямоугольного сечения
- •13.4. Индуктивный накопитель в виде тонкого соленоида
- •13.5 Тороидальные индуктивные накопители энергии.
- •13.6. Процессы заряда и разряда в индуктивных накопителях
- •13.7. Трансформаторные индуктивные накопители
- •13.8. Тепловые процессы в индуктивных накопителях
- •13.9. Коммутаторы для цепей с индуктивными накопителями
- •13.9.1. Управляемые полупроводниковые коммутаторы
- •13.9.2. Вакуумные выключатели высокого напряжения
- •13.9.3. Электровзрывные, взрывные и реостатные коммутаторы
- •Часть II
- •Измерения на высоком напряжении,
- •Устройства диагностики аппаратов высокого напряжения
- •Лекция 1
- •Измерение высоких напряжений
- •1.1. Шаровые измерительные разрядники
- •Нормированные расстояния a и b (рис. 1.1) для шаровых разрядников
- •1.2. Измерение высокого напряжения электростатическими киловольтметрами
- •1.3. Измерение высокого напряжения стрелочными или цифровыми приборами с добавочным сопротивлением
- •1.4. Измерение переменного напряжения с использованием прибора и измерительного конденсатора
- •1.5. Измерение импульсных напряжений с помощью делителей напряжения
- •1.5.1. Омические делители напряжения
- •1.5.2. Емкостные делители напряжения
- •1.5.3. Демпфированные и смешанные делители
- •Лекция 2 измерение больших импульсных токов
- •2.1. Измерения импульсных токов с помощью низкоомных шунтов
- •2.2. Мостовые шунты
- •2.2. Измерительные трансформаторы тока.
- •2.3. Измерения больших токов с использованием устройств, основанных на эффекте Холла.
- •Лекция 3 частичные разряды в изоляции и их измерения
- •3.1. Основные характеристики частичных разрядов
- •3.2. Частичные разряды в бумажно-масляной изоляции.
- •3.3. Методика измерений характеристик частичных зарядов.
- •3.4. Особенности измерений характеристик чр в силовых трансформаторах.
- •Лекция 4 осциллографирование импульсных процессов
- •5.1. Электронно-лучевые осциллографы
- •5.2. Цифровые осциллографы.
- •4.3. Вопросы электромагнитной совместимости при высоковольтных измерениях электронно-лучевыми осциллографами.
- •Лекция 5 помехи при измерениях в лабораторияхвысокого напряжения
- •5.1. Заземление и экранировка залов высоковольтных лабораторий
- •5.2. Источники помех при измерениях
- •5.3. Выполнение разрядных контуров
- •5.4. Особенности выполнения измерительных схем
- •5.5. Экранированные кабины
- •5.6. Инженерные коммуникации высоковольтной лаборатории
- •5.7. Ослабление влияния помех при измерениях
2.2. Мостовые шунты
Как было показано выше, основной проблемой при измерении больших импульсных токов является индуктивность шунтов, которую погасить полностью практически невозможно. Однако существуют специальные методы ее компенсации, основанные на дифференциальном методе измерения сигнала с шунта. В самом деле, если на вход регистрирующего прибора (осциллографа) подать два сигнала, как это показано на рис. 2.3, и эти два сигнала сложить, то на входе осциллографа будем иметь сигнал:
|
(2.9) |
где
- индуктивность шунта,
дополнительная
индуктивность.
Если
,
то
и шунт передает сигнал тока без искажений.
На этом принципе основано устройство
шунта Пашена (рисунок 2.4 А). Условием его
компенсации является соблюдение условий:
|
(2.10) |
при этом предполагается, что конструктивно плечи одинаковы, при этом одинакова их индуктивность, а входное сопротивление осциллографа (клеммы а – б) на несколько порядков (3 и более) больше любого из сопротивлений шунта.
Рисунок 2.3. Способ компенсации индуктивности шунта дифференциальным методом.
Шунт Пашена имеет недостатки. Во первых, вход и корпус осциллографа поднят на потенциал падения напряжения на сопротивлении R4 относительно земли. Поскольку измерительная аппаратура имеет относительно земли емкость, корректность измерений будет зависеть от того, насколько эта емкость будет шунтировать одно из плечей мостового шунта. Во-вторых, требование высокого входного сопротивления осциллографа. В высоковольтных измерениях используются главным образом осциллографы с низким входным сопротивлением: 50 и 75 Ом, которые равны волновым сопротивлениям наиболее широко используемых кабелей, применяемых в качестве линий передачи и задержки, и включаемых между шунтом или делителем напряжения и осциллографом.
Рисунок 2.4. А – шунт Пашена; Б - шунт с индуктивной компенсацией.
Наличие
сопротивления в диагонали мостового
шунта при сопротивлении шунта в единицы
или доли Ом приводит к его разбалансировке.
В связи с этим разработана модифицированная
схема мостового шунта (рисунок 2.4Б). В
такой схеме шунта:
>>
;
где
- собственное активное сопротивление
шунта. За счет того, что
имеют большие величины, постоянные
времени их ветвей:
|
(2.11) |
где
и
собственные индуктивности резисторов
и
.
Вместо
сопротивления
устанавливается закорачивающий проводник
или параллельные проводники, размеры
которых такие же, как и у сопротивления
,
в этом случае выполняется условие
За счет того, что
,
исключается первый недостаток шунта
Пашена: через закорачивающий проводник
с ничтожно малой индуктивностью
осциллограф приобретает потенциал
земли. В том случае, когда входное
сопротивление осциллографа высокое,
напряжение между точками а – б определяется
уравнением:
|
(2.12) |
где
Из этой
формулы следует, что шунт будет
неискажающим, если множитель при
,
будет равен нулю:
|
(2.13) |
Поскольку то условием отсутствия искажений будет:
|
(2.14) |
Расчет
переходного процесса в шунте с учетом
конечной величины сопротивления
дает:
|
(2.15) |
где
и
Такой шунт имеет некомпенсируемую постоянную времени, при этом минимальное искажение сигнала будет при условии:
. |
(2.16) |
Данное условие будем считать режимом согласования шунта. Подставив это уравнение в две предыдущих формулы и выполнив преобразования, получим:
|
(2.17) |
Величина
- собственная постоянная времени шунта.
Оценим величину
для типичного исполнения шунта. Если
индуктивность шунта
,
Ом,
где
волновое сопротивление кабеля линии
задержки и
Ом,
то
|
(2.18) |
Можно отметить, что в согласованном режиме собственная постоянная времени шунта крайне мала. Мостовая весьма чувствительна к рассогласованию. Рассмотрим конкретный пример исполнения шунта, определив коэффициент рассогласования выражением:
|
(2.19) |
Пример.
Примем величины:
Ом,
,
Ом.
Расчетные реакции шунта в зависимости
от
при воздействии ступени тока приведены
на рис. 2.5. Следует отметить, что с
увеличением
уменьшается
и амплитуда установившегося сигнала
,
а также растет чувствительность шунта
к рассогласованию, поэтому не целесообразно
увеличение значения
>
.
Рисунок 2.5. Реакция шунта на единичную ступень тока в зависимости от коэффициента рассогласования.

,
,