
- •Часть I
- •1.2. Испытания напряжением промышленной частоты
- •1.3. Испытания изоляции импульсными напряжениями
- •1.4. Испытание методом разрядного напряжения
- •1.5. Общие условия испытаний
- •1.6. Особенности испытаний изоляции силовых кабелей
- •1.7. Особенности испытаний изоляции вращающихся машин
- •1.8. Электрическая прочность изоляционных конструкций
- •Лекция 2
- •II. Высоковольтные испытательные установки промышленной частоты
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Установки высокого напряжения испытательных станций и лабораторий
- •2.3. Общие требования к устройству испытательного поля
- •2.4. Схема электропитания установки высокого напряжения
- •2.5. Испытательные электроустановки
- •2.6. Испытательные трансформаторы
- •2.7. Схемы включения испытательных трансформаторов
- •2.7. Каскадное соединение трансформаторов
- •2.8. Регуляторы напряжения
- •2.9. Электронные регуляторы напряжения
- •2.10. Тиристорные регуляторы напряжения
- •2.10.1 Двухтактный тиристорный преобразователь
- •2.10.2. Мостовые тиристорные преобразователи
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 4 каскадные генераторы постоянного тока
- •4.1. Схема удвоения напряжения, применяемая в каскадах
- •4.2. Каскадный генератор постоянного напряжения
- •1. Схемы каскадных генераторов с параллельным питанием ступеней (рис. 4.7).
- •4.3. Параметры и конструкции каскадных генераторов
- •Лекция 5 электростатические генераторы
- •Лекция 6 генераторы импульсов высокого напряжения
- •6.1. Стандартные формы импульсов
- •6.3. Заряд конденсаторов гин.
- •6.4. Разряд гин.
- •6.5. Разрядная цепь гин.
- •6.6. Инвертирование импульса гин
- •6.7. Методика расчета параметров гин.
- •6.8. Работа гин на нагрузку
- •6.9. Технологические гин.
- •6.10. Конструкции гин.
- •Лекция 7 генераторы коммутационных перенапряжений
- •7.1. Формы импульсов коммутационных перенапряжений
- •7.2. Схемы генерирования импульсов коммутационных напряжений
- •Лекция 8 высокочастотные резонансные трансформаторы (Трансформаторы Тесла)
- •Лекция 9 импульсные трансформаторы
- •9.1. Назначение импульсных трансформаторов
- •9.2. Эквивалентная схема импульсного трансформатора
- •9.3. Искажение фронта импульса
- •9.4. Искажение плоской части импульса
- •9.5. Процессы в ит после окончания импульса
- •9.6. Электромагнитные процессы в сердечнике ит
- •9.7. Потери в сердечниках
- •Лекция 10 импульсные конденсаторы
- •10.1. Специальные требования к высоковольтным импульсным конденсаторам
- •10.2. Изоляция конденсаторов
- •10.3. Условия работы изоляции конденсаторов
- •10.4. Индуктивность импульсных конденсаторов
- •10.5. Потери энергии в импульсных конденсаторах
- •10.6. Определение характеристик конденсаторов
- •10.6.1. Измерение индуктивности конденсаторов.
- •10.6.2. Определение внутреннего сопротивления конденсаторов.
- •10.7. Испытания конденсаторов высоким напряжением
- •10.8. Типы импульсных конденсаторов
- •Лекция 11 генераторы импульсных токов.
- •11.1. Назначение генераторов импульсных токов (гит)
- •11.2. Принципиальная схема генераторов больших импульсных токов (гит)
- •11.3. Эквивалентные схемы гит
- •11.4. Схемные и технические методы снижения индуктивности гит
- •11.5. Схемы с замыкателями нагрузки (кроубары)
- •Лекция 12 генераторы мощных наносекундных импульсов
- •12.1. Области применения
- •12.2. Методы формирования наносекундных импульсов на основе линий с распределенными параметрами
- •12.3. Схемы гни с умножением напряжения
- •12.4. Искажения импульсов в линиях с распределенными параметрами
- •12.5. Коммутация генераторов наносекундных импульсов
- •12.6. Наносекундные генераторы импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока
- •Лекция 13 индуктивные накопители энергии
- •13.1. Общие сведения об индуктивных накопителях энергии
- •13.2. Основные типы индуктивных накопителей, их параметры и показатели
- •13.3. Индуктивные накопители в виде цилиндрических катушек прямоугольного сечения
- •13.4. Индуктивный накопитель в виде тонкого соленоида
- •13.5 Тороидальные индуктивные накопители энергии.
- •13.6. Процессы заряда и разряда в индуктивных накопителях
- •13.7. Трансформаторные индуктивные накопители
- •13.8. Тепловые процессы в индуктивных накопителях
- •13.9. Коммутаторы для цепей с индуктивными накопителями
- •13.9.1. Управляемые полупроводниковые коммутаторы
- •13.9.2. Вакуумные выключатели высокого напряжения
- •13.9.3. Электровзрывные, взрывные и реостатные коммутаторы
- •Часть II
- •Измерения на высоком напряжении,
- •Устройства диагностики аппаратов высокого напряжения
- •Лекция 1
- •Измерение высоких напряжений
- •1.1. Шаровые измерительные разрядники
- •Нормированные расстояния a и b (рис. 1.1) для шаровых разрядников
- •1.2. Измерение высокого напряжения электростатическими киловольтметрами
- •1.3. Измерение высокого напряжения стрелочными или цифровыми приборами с добавочным сопротивлением
- •1.4. Измерение переменного напряжения с использованием прибора и измерительного конденсатора
- •1.5. Измерение импульсных напряжений с помощью делителей напряжения
- •1.5.1. Омические делители напряжения
- •1.5.2. Емкостные делители напряжения
- •1.5.3. Демпфированные и смешанные делители
- •Лекция 2 измерение больших импульсных токов
- •2.1. Измерения импульсных токов с помощью низкоомных шунтов
- •2.2. Мостовые шунты
- •2.2. Измерительные трансформаторы тока.
- •2.3. Измерения больших токов с использованием устройств, основанных на эффекте Холла.
- •Лекция 3 частичные разряды в изоляции и их измерения
- •3.1. Основные характеристики частичных разрядов
- •3.2. Частичные разряды в бумажно-масляной изоляции.
- •3.3. Методика измерений характеристик частичных зарядов.
- •3.4. Особенности измерений характеристик чр в силовых трансформаторах.
- •Лекция 4 осциллографирование импульсных процессов
- •5.1. Электронно-лучевые осциллографы
- •5.2. Цифровые осциллографы.
- •4.3. Вопросы электромагнитной совместимости при высоковольтных измерениях электронно-лучевыми осциллографами.
- •Лекция 5 помехи при измерениях в лабораторияхвысокого напряжения
- •5.1. Заземление и экранировка залов высоковольтных лабораторий
- •5.2. Источники помех при измерениях
- •5.3. Выполнение разрядных контуров
- •5.4. Особенности выполнения измерительных схем
- •5.5. Экранированные кабины
- •5.6. Инженерные коммуникации высоковольтной лаборатории
- •5.7. Ослабление влияния помех при измерениях
12.5. Коммутация генераторов наносекундных импульсов
При разряде ЛРП, формирующей импульсы тока и напряжения в наносекундном диапазоне следует учитывать два фактора, влияющие на параметры импульса, в особенности его фронта, а именно:
- параметры контура подключения нагрузки;
- время коммутации.
Контур подключения нагрузки должен быть практически безиндуктивным. Это достигается тем, что нагрузка должна быть так подключена к ЛРП, чтобы стать элементом или продолжением самой линии, хотя и с другими параметрами. Это достигается конструкцией подключения, приведенной на рис. 12.9. В этом случае узел подключения отвечает приведенным требованиям.
К коммутаторам ГНИ предъявляются особые требования. При их соответствии коммутируемым значениям напряжения (до 106 В) и тока (до 106 А) они должны:
- иметь минимальную индуктивность;
- иметь малое время коммутации, определяемое требуемой длительностью фронта импульса; для коммутаторов ГНИ это время лежит в пределах 10-10 – 10-8 с.
Рисунок 12.9. Схема безиндуктивного подключения нагрузки к ЛРП.
Процесс
перехода искрового промежутка из
непроводящего состояния в проводящее
определяется характером зависимости
падения напряжения
на искровом промежутке или сопротивления
разрядного промежутка от времени. Кривую
называют характеристикой коммутации.
Длительность коммутации определяется
временем
между двумя фиксированными значениями
напряжения на искровом промежутке,
обычно между
и
(рис. 12.10).
Рис. 12.10. Характеристика коммутации искрового разрядника.
Сопротивление искры в газе во времени определяется зависимостью Ромпе-Вайцеля:
|
(12.14) |
при этом ток разряда
и напряжение электрического поля
связаны соотношением:
|
(12.15) |
где
- концентрация и подвижность электронов,
d – длина искрового
промежутка,
-
радиус канала,
- давление газа,
- коэффициент. Показано, что проводимость
единицы длины канала пропорциональна
концентрации
.
Требование
малой индуктивности коммутаторов ГНИ
достигается, в частности, высокой
предпробойной напряженностью разрядника.
Напомним, что прочность промежутка
определяется законом Пашена:
.
При заданном промежутке
зависимость
имеет вид, приведенный на рис. 12.11, из
которого видно, что прочность промежутка
высока при высоких давлениях или весьма
малых (близких к вакуумным). При этом
достигаются малые расстояния между
электродами при больших напряженностях
поля и, соответственно, сокращается
индуктивность разрядника.
Устройства коммутации в технике формирования наносекундных импульсов выполняются на основе вакуумных коммутаторов или разрядников под высоким давлением, чем решается задача минимизации размера коммутатора и его индуктивности.
Механизм пробоя вакуумного промежутка основан на автоэлектронной эмиссии с катода в сильном электрическом поле и формировании взрывного катодного факела. При длительности импульсов в диапазоне десятков наносекунд выполняются специальные меры ускорения путем применения систем поджига коммутатора или обострения фронта.
Рис. 12.11. Качественная зависимость пробивного промежутка то давления газа и длины промежутка. (Закон Пашена).
Длительность коммутации между двумя фиксированными напряжениями для разрядника в сжатом газе определяется приближенной зависимостью:
|
(12.16) |
По закону Пашена при
= const
const, и из данной формулы
получим, что
~
,
т. е. с ростом давления время
будет уменьшаться, что показано на рис.
12.12.
Рисунок 12.12. Зависимость времени tм от давления воздуха для промежутка 2,5 мм.
Таким образом, у коммутаторов в сжатом газе формирование фронтов длительностью в единицы наносекунд может быть достигнуто без специальных мер.
Конструкции разрядников наносекундного диапазона адаптируются к конструкции формирующей линии, уровня коммутируемого напряжения, необходимости управления временем коммутации, поэтому их разработка проводится в зависимости от условий решаемой задачи и их работы.