
- •Часть I
- •1.2. Испытания напряжением промышленной частоты
- •1.3. Испытания изоляции импульсными напряжениями
- •1.4. Испытание методом разрядного напряжения
- •1.5. Общие условия испытаний
- •1.6. Особенности испытаний изоляции силовых кабелей
- •1.7. Особенности испытаний изоляции вращающихся машин
- •1.8. Электрическая прочность изоляционных конструкций
- •Лекция 2
- •II. Высоковольтные испытательные установки промышленной частоты
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Установки высокого напряжения испытательных станций и лабораторий
- •2.3. Общие требования к устройству испытательного поля
- •2.4. Схема электропитания установки высокого напряжения
- •2.5. Испытательные электроустановки
- •2.6. Испытательные трансформаторы
- •2.7. Схемы включения испытательных трансформаторов
- •2.7. Каскадное соединение трансформаторов
- •2.8. Регуляторы напряжения
- •2.9. Электронные регуляторы напряжения
- •2.10. Тиристорные регуляторы напряжения
- •2.10.1 Двухтактный тиристорный преобразователь
- •2.10.2. Мостовые тиристорные преобразователи
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 4 каскадные генераторы постоянного тока
- •4.1. Схема удвоения напряжения, применяемая в каскадах
- •4.2. Каскадный генератор постоянного напряжения
- •1. Схемы каскадных генераторов с параллельным питанием ступеней (рис. 4.7).
- •4.3. Параметры и конструкции каскадных генераторов
- •Лекция 5 электростатические генераторы
- •Лекция 6 генераторы импульсов высокого напряжения
- •6.1. Стандартные формы импульсов
- •6.3. Заряд конденсаторов гин.
- •6.4. Разряд гин.
- •6.5. Разрядная цепь гин.
- •6.6. Инвертирование импульса гин
- •6.7. Методика расчета параметров гин.
- •6.8. Работа гин на нагрузку
- •6.9. Технологические гин.
- •6.10. Конструкции гин.
- •Лекция 7 генераторы коммутационных перенапряжений
- •7.1. Формы импульсов коммутационных перенапряжений
- •7.2. Схемы генерирования импульсов коммутационных напряжений
- •Лекция 8 высокочастотные резонансные трансформаторы (Трансформаторы Тесла)
- •Лекция 9 импульсные трансформаторы
- •9.1. Назначение импульсных трансформаторов
- •9.2. Эквивалентная схема импульсного трансформатора
- •9.3. Искажение фронта импульса
- •9.4. Искажение плоской части импульса
- •9.5. Процессы в ит после окончания импульса
- •9.6. Электромагнитные процессы в сердечнике ит
- •9.7. Потери в сердечниках
- •Лекция 10 импульсные конденсаторы
- •10.1. Специальные требования к высоковольтным импульсным конденсаторам
- •10.2. Изоляция конденсаторов
- •10.3. Условия работы изоляции конденсаторов
- •10.4. Индуктивность импульсных конденсаторов
- •10.5. Потери энергии в импульсных конденсаторах
- •10.6. Определение характеристик конденсаторов
- •10.6.1. Измерение индуктивности конденсаторов.
- •10.6.2. Определение внутреннего сопротивления конденсаторов.
- •10.7. Испытания конденсаторов высоким напряжением
- •10.8. Типы импульсных конденсаторов
- •Лекция 11 генераторы импульсных токов.
- •11.1. Назначение генераторов импульсных токов (гит)
- •11.2. Принципиальная схема генераторов больших импульсных токов (гит)
- •11.3. Эквивалентные схемы гит
- •11.4. Схемные и технические методы снижения индуктивности гит
- •11.5. Схемы с замыкателями нагрузки (кроубары)
- •Лекция 12 генераторы мощных наносекундных импульсов
- •12.1. Области применения
- •12.2. Методы формирования наносекундных импульсов на основе линий с распределенными параметрами
- •12.3. Схемы гни с умножением напряжения
- •12.4. Искажения импульсов в линиях с распределенными параметрами
- •12.5. Коммутация генераторов наносекундных импульсов
- •12.6. Наносекундные генераторы импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока
- •Лекция 13 индуктивные накопители энергии
- •13.1. Общие сведения об индуктивных накопителях энергии
- •13.2. Основные типы индуктивных накопителей, их параметры и показатели
- •13.3. Индуктивные накопители в виде цилиндрических катушек прямоугольного сечения
- •13.4. Индуктивный накопитель в виде тонкого соленоида
- •13.5 Тороидальные индуктивные накопители энергии.
- •13.6. Процессы заряда и разряда в индуктивных накопителях
- •13.7. Трансформаторные индуктивные накопители
- •13.8. Тепловые процессы в индуктивных накопителях
- •13.9. Коммутаторы для цепей с индуктивными накопителями
- •13.9.1. Управляемые полупроводниковые коммутаторы
- •13.9.2. Вакуумные выключатели высокого напряжения
- •13.9.3. Электровзрывные, взрывные и реостатные коммутаторы
- •Часть II
- •Измерения на высоком напряжении,
- •Устройства диагностики аппаратов высокого напряжения
- •Лекция 1
- •Измерение высоких напряжений
- •1.1. Шаровые измерительные разрядники
- •Нормированные расстояния a и b (рис. 1.1) для шаровых разрядников
- •1.2. Измерение высокого напряжения электростатическими киловольтметрами
- •1.3. Измерение высокого напряжения стрелочными или цифровыми приборами с добавочным сопротивлением
- •1.4. Измерение переменного напряжения с использованием прибора и измерительного конденсатора
- •1.5. Измерение импульсных напряжений с помощью делителей напряжения
- •1.5.1. Омические делители напряжения
- •1.5.2. Емкостные делители напряжения
- •1.5.3. Демпфированные и смешанные делители
- •Лекция 2 измерение больших импульсных токов
- •2.1. Измерения импульсных токов с помощью низкоомных шунтов
- •2.2. Мостовые шунты
- •2.2. Измерительные трансформаторы тока.
- •2.3. Измерения больших токов с использованием устройств, основанных на эффекте Холла.
- •Лекция 3 частичные разряды в изоляции и их измерения
- •3.1. Основные характеристики частичных разрядов
- •3.2. Частичные разряды в бумажно-масляной изоляции.
- •3.3. Методика измерений характеристик частичных зарядов.
- •3.4. Особенности измерений характеристик чр в силовых трансформаторах.
- •Лекция 4 осциллографирование импульсных процессов
- •5.1. Электронно-лучевые осциллографы
- •5.2. Цифровые осциллографы.
- •4.3. Вопросы электромагнитной совместимости при высоковольтных измерениях электронно-лучевыми осциллографами.
- •Лекция 5 помехи при измерениях в лабораторияхвысокого напряжения
- •5.1. Заземление и экранировка залов высоковольтных лабораторий
- •5.2. Источники помех при измерениях
- •5.3. Выполнение разрядных контуров
- •5.4. Особенности выполнения измерительных схем
- •5.5. Экранированные кабины
- •5.6. Инженерные коммуникации высоковольтной лаборатории
- •5.7. Ослабление влияния помех при измерениях
3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
В настоящее время широкое применение в мощной электронике находят схемы регулирования постоянного напряжения, простроенные на применении транзисторов типа IGBT, позволяющих регулировать токи до 1200 А при напряжениях до 6500 В. (IGBT – insulate gate bipolar transistor – биполярный транзистор с изолированным затвором).
Принцип регулирования основан на изменении длительности управляемого импульса, поступающего на затвор транзистора. Данное время характеризуется коэффициентом скважности, равным отношению длительности управляемого импульса Т1 к длительности периода следования управляемых импульсов Т2 (рис. 3.12):
|
(3.14) |
Рис. 3.12. Параметры для определения коэффициента скважности.
Схема регулирования выходного напряжения на его понижение (типа Step Down) приведена на рис. 3.13. Напряжение на выходе будет равно:
|
(3.15) |
Управляющий импульс на базу IGBT открывает его на время длительностью Т1 и в интервале времени t1 – t2 начинается процесс заряда конденсатора С через дроссель.
В интервале времени t2 – t3 IGBT – закрыт, но энергия магнитного поля, запасенная в дросселе (принцип непрерывности тока в индуктивности) в поддерживает ток заряда конденсатора, который протекает по контуру: диод D – дроссель Lдр – конденсатор С, т.е. продолжается процесс подзаряда конденсатора.
Для исключения пульсаций параметры К и нагрузка согласуются так, чтобы ток в дросселе не прерывался.
Рис. 3 13. Схема регулирования выходного напряжения на его понижение
(типа Step Up)
Схема регулирования выходного напряжения на его повышение (типа Step Up) приведена на рис. 3.14.
Рис. 3.14. Схема регулирования выходного напряжения на его повышение
(типа Step Down)
Здесь также должен соблюдаться принцип непрерывности тока через дроссель. Ток заряда емкости поддерживается в паузу t2 – t3 , при этом к входному напряжению добавляется напряжение, генерируемое запасенной энергией в дросселе. Напряжение на выходе будет равно:
|
(3.16) |
Широко используются также инверторные схемы, в которых регулируемое напряжение на выходе изменяет полярность (типа Invert). Схема приведена на рис. 3.15.
Рис. 3.15. Инверторная схема регулирования постоянного напряжения (типа Invert).
В интервале времени t1 – t2 ток i1 течет через дроссель, в котором запасается энергия. В интервале t2 – t3 протекает ток i2 , который реализует эту энергию в заряд конденсатора, при этом величина зарядного напряжения определяется:
|
(3.17) |
Лекция 4 каскадные генераторы постоянного тока
4.1. Схема удвоения напряжения, применяемая в каскадах
Эта схема наиболее часто используется для заряда конденсаторов (на рис. 4.1 это конденсатор С2 , который сам является элементом формирующей схемы), но может также использоваться как источник удвоенного напряжения на активной высокоомной нагрузке. Схема является составным элементом каскадных генераторов напряжения, поэтому ее функционирование необходимо рассмотреть подробно.
Рис. 4.1. Схема удвоения напряжения.
Переходные процессы в схеме при включении переменного напряжения протекают следующим образом.
1. Режим холостого хода ( ключ К – отключен, R = )
В первую четверть периода переменного напряжения (полярность указана на рис. 4.1) диод D1 открыт и через него заряжается конденсатор С1.
С начала второй четверти периода положительный потенциал точки «в» (t1) становится выше потенциала точки «d», диод D1 закрывается и открывается диод D2, при этом начинается заряд конденсатора С2 путем перезаряда на него конденсатора С1.
В третьей четверти полупериода, когда напряжение на входе схемы (точка «а») становится положительным, конденсатор С2 заряжается от двух последовательно включенных источников: вторичной обмотки и заряженного конденсатора С1.
С начала четвертой четверти периода потенциал точки «с» превышает потенциал точки «в» и диод D2 запирается.
К этому моменту конденсатор С2 может быть заряжен до двойного напряжения. Все процессы перезаряда конденсаторов представлены на рис. 4.2.
Рис. 4.2. Переходные процессы в схеме удвоения напряжения.
Случай, когда все процессы практически заканчиваются за указанное время (за один период), имеет место при условии С1 С2. Изменения напряжений между указанными точками в установившемся режиме можно описать уравнениями:
|
(4.1) |
Если
С1
С2
процесс заряда до удвоенного напряжения
происходит в несколько периодов. Так
при С1
= С2
конденсатор
С1
при перезаряде на С2
теряет половину своего заряда, полученного
в первую четверть периода. Этот процесс
приведен на рис. 4.3.
Рис. 4.3. Многоцикловый процесс заряда емкости С2 (С1 С2)
Если схема имеет активную нагрузку R, включенную параллельно С2, то этот конденсатор будет разряжаться, причем за полупериод, когда диод D2 закрыт, напряжение на С2 снизится до величины:
|
(4.2) |
где
-
время полупериода.
В связи с этим установившееся напряжение на нагрузке будет иметь пульсирующую форму (рис. 4.4.) Снижение пульсаций достигается, исходя из выше приведенной формулы, увеличением сопротивления нагрузки и увеличением емкости С2, причем пульсации будут минимальны при С2>>C1. Чтобы уменьшить снижение напряжения при низкоомной нагрузке увеличивают частоту питающего напряжения. Величина частоты ограничивается возможностями трансформатора и диодов.
Рис. 4.4. Форма напряжения на активной нагрузке.