4.2 Расчёт энергетических характеристик аг.

1. Напряжение на контуре.

В.

2. Выбираем напряжение:

В.

3. Проверка недонапряжённого режима работы:

В.

4. Потребляемая мощность

мА.

мВт.

5. Мощность, рассеиваемая на коллекторе.

мВт.

6. КПД коллекторной цепи.

4.3 Расчёт элементов цепей питания аг.

1. Индуктивность дросселя:

Гн.

2. Резистор в цепи эмиттера:

Ом R_э=470 Ом, Е6

3.Токи базы транзистора:

мкА.

4. Напряжения источника коллекторного питания:

В.

5. Сопротивление делителя смещения базы:

А.

Ом. Сопротивление делителя получилось много больше эквивалентного сопротивления контура, следовательно резистор R₃ можно не ставить.

В.

Ом, R₁=56кОм, E12.

Ом, R₂=27кОм, E12.

6.Ёмкость конденсатора в цепи эмиттера:

Ф, С_э=82 нФ, Е12.

7.Ёмкость разделительного конденсатора:

Ф, C_р = 47 нФ, Е6

Ёмкость конденсатора С_св находится исходя из свойств последующего за ОКГ каскада.

5. Расчёт транзисторного широкодиапазонного усилителя.

Для достижения необходимого уровня мощности на выходе генератора необходимо применить тракт усиления мощности, построенный на основе транзисторов. Транзисторы являются сравнительно маломощными приборами, поэтому для построения мощного усилителя нужно будет использовать несколько двухтактных ячеек, одна из которых изображена на рис. 5.1. Преимущество двухтактной схемы заключается в том, что на выходе её отсутствуют все нечётные гармоники кроме первой, а если установить угол отсечки 90˚, то можно добиться и отсутствие чётных гармоник.

Рис. 5.1 Принципиальная схема оконечного каскада.

Для расчёта оконечного каскада по заданию нужно использовать транзистор 2Т967А, который имеет следующие характеристики:

Тип	uк. доп, В	iк m доп, А	Iк0 доп, А	fт, МГц	0	Lэ, нГн	Lб, нГн	Lк, нГн	Ск, пФ	rб, Ом	rнас, Ом	Rт. п-к, °С/Вт	t п. доп, °С
2Т967А	36	-	15	220	55	2,0	2,2	2,2	350	0	0,1	1,7	200

Параметры транзисторов: u_к.доп, i_{к m доп} , I_{к0 доп} , t_{п. доп} – максимально допустимые значения напряжения между коллектором и эмиттером, В, амплитуды импульса и постоянной составляющей коллекторного тока, А, температуры перехода, С; f_т –граничная частота, МГц; ₀ = h_{21 оэ} – низкочастотное значение коэффициента передачи по току в схеме с общим эмиттером; L_э, L_к, L_б – индуктивности выводов транзистора, нГн; С_к – суммарная емкость коллекторного перехода, пФ; r_б – сопротивление тела базы, Ом; r_нас – сопротивление насыщения коллекторного перехода, Ом; R_т.п-к – тепловое сопротивление участка переход - корпус транзистора, С/Вт. Для f_т и ₀ приведены усредненные значения.