НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

“КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ”

Інститут телекомунікаційних систем

Кафедра Інформаційно-телекомунікаційних мереж

Рекомендовано

Вченою радою ІТС НТУУ «КПІ»

протокол № ­­____ від _______ 20 р.

Основи дискретної схемотехніки (одс) Методичні матеріали з виконання домашньої контрольної роботи (дкр)

	Ухвалено Навчально-методичною комісією Інституту телекомунікаційних систем НТУУ «КПІ» Протокол № ____ від ________ 2012 р. Голова НМК ІТС ______________ О.А. Вульпе (підпис) « » ____________ 2012 р.
Автори: Ладик О. І. Лебедєв О.М.

Київ - 2012

Зміст

Вступ

Коди варанів контрольних робіт

1. Біполярні транзистори

1.1 Нелінійні моделі БТ

1. Передавальна модель Еберса-Молла

2. Класична модель Еберса-Молла

1.2 Варіанти завдань контрольних робіт

1.3 Методичні рекомендації

2. Напівпровідникові діоди

3. Варикапи

Додаток. Приклад оформлення ДКР

Вступ

Домашня контрольна робота (ДКР) присвячена розрахунку напівпровідникових приладів з одним та двома p-n переходами (діодів та транзисторів).

Метою ДКР є закріплення теоретичного лекційного матеріалу та отримання практичних навичок розрахунку вольт-амперних характеристик (ВАХ) і параметрів напівпровідникових приладів.

Перед виконанням контрольної роботи необхідно вивчити відповідний теоретичний матеріал та познайомитись з методичними вказівками.

В посібнику наводяться теоретичний матеріал, рекомендації та приклади розв’язування задач. Наводяться літерно-цифрові коди варіанта задач для кожного студента, перша літера коду відповідає типу елемента: Б – біполярні транзистори, Д – діоди. Далі йдуть цифри, які визначають початкові дані (див. п.1.3 – для біполярних транзисторів та табл. 2.1 та 2.2 – для діодів).

Коди варіантів контрольних робіт за темами

– Т ХХХХ – розрахунок ВАХ транзистора: ТБ – транзистор біполярний;

ТП – транзистор польовий;

– DX – розрахунок ВАХ діодів;

– BX – розрахунок ВФХ варикапа.

1. Біполярні транзистори

Мета контрольної роботи: розрахувати ВАХ біполярного транзистора БТ за заданою нелінійною моделлю, побудувати графіки вхідної та вихідної ВАХ та знайти графоаналітичним методом h- параметри для заданої робочої точки, пояснити фізичні процеси в БТ.

Перед початком розв’язування задач необхідно ознайомитися з схемами заміщення БТ.

1.1. Нелінійні схеми заміщення бт

Для аналізу роботи БТ у вузлах електронних приладів транзистор замінюють його схемою заміщення. Вони мають властивості, наближені до властивостей транзистора і тому можуть заміняти транзисторів з достатньою точністю.

Частіше застосовують нелінійні схеми заміщення Еберса-Молла двох видів: передавальна і класична. В цих схемах транзистор можна розглядати підключеним зі СБ або зі СЕ, він може бути n-p-n і p-n-p типу.

Перевагою схеми Еберса-Молла є те, що вона дозволяє зробити аналіз статичних ВАХ при будь-яких підключеннях транзистора: нормальному та інверсному (активному режимі та режимі насичення).

Проте, модель Еберса-Мола враховує тільки активну частину функції БТ і не враховує параметри пасивних областей бази та колектора, такі як розподілені опори бази та колектора, ефект модуляції бази, залежність коефіцієнта передавання від струму, пробій p-n переходу. Але для інженерних розрахунків вона є зручною.