Федеральное агентство связи

ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

Расчёт усилителей на биполярных транзисторах

Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники»

Пояснительная записка

210300 000 000 052 ПЗ

Руководитель		В.А. Матвиенко
канд. техн. наук, доцент
Студент группы

Екатеринбург

2011

Содержание

Введение………………………..……………………………………………......3

1. Исходные данные………………………..…………………….…………......4

2. Расчет усилительного каскада…………………………………………...….6

   1. Выбор режима работы транзистора……….. …………………………..6

   2. Расчет делителя в цепи базы…………………………….…………….....8

   3. Определение h – параметров транзистора по статистическим характеристикам ……………………………………………….……..….9

   4. Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора ……....12

   5. Расчет основных параметров каскада……………………….…………14

   6. Оценка нелинейных искажений каскада………………………………15

   7. Выбор резисторов и конденсаторов………………………...……….....18

Заключение…………….………………………………………..………………21

Список литературы ……..…………………………………..………………….22

Схема устройства………..……………………………...………………………23

Перечень элементов……..………..…………………………………………….24

Введение

Для курсовой работы мне была предложена тема, касающаяся расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме общим эмиттером. Умение делать такие расчеты необходимо будущему радиотехнику, т.к усилительные каскады широко используются области информатики, радиотехники.

Целью выполнения работы является закрепление знаний по дисциплине «Основы схемотехники», а также в получение опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, активизация самостоятельной учебной работы студентов, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получать разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать режим работы транзистора.

1. Исходные данные

1. Тип активного элемента	Биполярный транзистор
2. Схема включения активного элемента	С общим эмиттером
3. Используемый активный элемент	КТ208М
4. Напряжение источника питания, Eп	36 В
5. Номинал резистора в цепи, Rк	2,7 кОм
6. Номинал резистора в выходной цепи, Rн	3,6 кОм

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208М. Транзистор КТ208М – кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p типа, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7г.

Максимально допустимые параметры

(гарантируются при температуре окружающей среды Т_С=25…125^о С):

Постоянный ток коллектора: I_{К max}=0,3 А

Импульсный ток коллектора: I_{К и max}=0,5 А

Постоянный ток базы: I_{Б max}=0,1 А

Постоянное напряжение коллектор – база: U_{КБ max}=60 В

Постоянное напряжение коллектор – эмиттер (R_Б≤10 кОм): U_{КЭ R max}=60 В

Постоянное напряжение эмиттер – база: U_{ЭБ max}=20 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: p_{К max}=200 мВт

Температура перехода: Т_{П max}=150^о С

Допустимая температура окружающей среды: -60≤Т_max ≤+125, ^оС

Классификационные параметры:

Наименование	Обозначение	Значения			Режимы измерения
		Min	Типовое	Max		Uк, В	Iк, мА	Iб, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО			1		UКБ мах
Обратный ток эмиттера при UЭ=UЭВ max, мкА	IЭБО			1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UКЭ нас			0,4			300	60
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UБЭ нас			1,5			300	60
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ;	h21Э	40	80	120		1	30		0,27
Отношение статического коэффициента передачи тока в прямом и инверсном включении	h21Э/ h21Э инв	2	4,5	12		1	30		0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ при IЭ=5 мА, В	h11Э	130	800	2500		5			0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х. при IЭ=1 мА, 10-4 См	h22Э	0,15	0,3	0,55		5			0,27
Емкость коллекторного перехода, пФ	CК			50		10			500
Емкость эмиттерного перехода при UЭ=0,5 В, пФ	CЭ			100					500
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fГР	5				5	10