3. Нарисовать схемы для снятия вах биполярных транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером и общей базой. Описать последовательность действий при снятии семейств входных и выходных вах.

Каждая из схем должна обеспечивать снятие семейств входных и выходных характеристик. При этом во входной и выходной цепях должны быть регулируемые источники напряжения. Для измерения токов и напряжений во входную и выходную цепи ставится по одному прибору для измерения тока и по одному прибору для измерения напряжения. Значит, в каждой схеме должно быть два вольтметра и два амперметра

Последовательность снятия ВАХ транзистора следующая. При снятии входных ВАХ с помощью R₂ устанавливаются значения напряжений U_кэ начиная с нулевого значения. Для каждого установленного значения U_кэ снимается входная ВАХ. Для этого с помощью r₁ изменяется напряжение на базе, которое измеряется вольтметром V₁, и для каждого его значения измеряется базовый ток с помощью амперметра А₁.

При снятии выходных ВАХ с помощью r₁ устанавливаются разные значения базового тока, который измеряется амперметром a₁ . Для каждого установленного значения базового тока I₆ снимается выходная ВАХ. Для этого с помощью R₂ изменяется напряжения на коллекторе, которое измеряется вольтметром V₂, и для каждого его значения измеряется ток коллектора с помощью амперметра А₂ (рисунок П.6).

4. Для заданного биполярного транзистора по семейству входных и вы­ходных характеристик определить h-параметры, дать пояснения для h-пара-метров, привести таблицу основных его параметров.

Для заданного варианта биполярного транзистора составляются таблицы семейства входных и выходных характеристик, указанных в таблицах 6-9. По данным этих таблиц строится семейство входных (две) и семейство выходных (три) характеристик. Построенные характеристики продлить до начала коорди­нат. При необходимости можно построить дополнительно характеристики путем транспонирования построенных характеристик. Значения h-параметров оп­ределяются по известным соотношениям.

Назовите физический смысл каждого из h-параметров.

Пользуясь справочной литературой, составляется таблица основных па­раметров заданного транзистора. Необходимо сравнить найденное значение h₂₁ со значением коэффициента усиления по току, указанным в справочнике (рисунок П.8).

5. Для заданного биполярного транзистора по семейству входных и вы­ходных характеристик построить проходную динамическую характеристику (пдх).

По результатам выполнения п.4 задания уже имеются входные и выходные ВАХ. Они перерисовываются. Из таблицы 2 берутся значения E_к и R_к. По этим значениям находятся координаты точек прямой линии динамической нагрузки на семействе выходных ВАХ. На оси напряжения этой прямой соответствует точка со значением при I_к=0, а на оси коллекторного тока ей соответствует точка со значением . Эти точки соединяются прямой линией, что и является линией динамической нагрузки (ЛДН). При построении проходной динамической характеристики в качестве входной дина­мической характеристики используется входная ВАХ при коллекторном на­пряжении, неравном нулю.

ПДХ представляет собой зависимость тока коллектора от напряжения на базе. Поэтому в процессе построения ПДХ необходимо находить эти токи и на­пряжения, связанные с динамической прямой. Для этого берутся точки пересечения динамической прямой с выходными ВАХ транзистора. Для каждой точки находится на этом графике ток коллектора. Это будет одна координата ПДХ. Для нахождения второй координаты берется ток базы выходной ВАХ, на которой была взята точка, и для этого тока базы с помощью входной динамической ВАХ находится напря­жение на базе. Это будет вторая координата ПДХ. Аналогично поступают с остальными точками пересечения ЛДН с выходными ВАХ транзистора. Соединяя построенные точки, получаем ПДХ (рисунок П.9)