- •Казань 2005
- •1. Основные понятия и расчетные соотношения
- •1.1 Устройство и принцип действия полевого транзистора с электронно-дырочным переходом
- •1.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •1.3. Вах полевого транзистора (математическая модель).
- •1.5. Дифференциальные параметры полевого транзистора
- •1.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
- •Из записанного следует, что
- •Отсюда следует, что граничная частота крутизны определяется из соотношения
- •Постоянная времени определяется выражением
- •Элементарная теория пт
- •2. Задания на теоретические расчёты
- •3. Задания на экспериментальные исследования и методика их выполнения
- •4. Указания к отчёту
- •4. Контрольные вопросы
4. Указания к отчёту
Отчет должен содержать:
название работы, ф.и.о. студента и номер группы;
схемы измерений; таблицы экспериментальных данных и графики ВАХ .
4. Контрольные вопросы
Расскажите об устройстве полевого транзистора с p-n – переходом.
. Расскажите о принципе управления током в полевом транзисторе.
Нарисуйте выходные характеристики полевого транзистора с р — n - переходом. Расскажите о характерных областях характеристик.
Как устроен полевой транзистор МДП-типа с встроенным каналом.
Как устроен полевой транзистор МДП-типа с индуцированным каналом.
Расскажите о дифференциальных параметрах полевых транзисторов.
Нарисуйте физическую эквивалентную схему полевого транзистора.
Как зависят параметры полевого транзистора от режима работы и температуры.
Чем отличаются МДП-транзисторы со встроенным и индуцированным каналом?
Как связана удельная емкость затвора с толщиной подзатворного диэлектрика?
Что такое пороговое напряжение МДП-транзистора?
Как влияют заряды в окисле и на поверхностных состояниях на пороговое напряжение?
Чему равен поверхностный потенциал при пороговом напряжении?
Чему равно напряжение спрямления зон?
Чему равна разность потенциалов затвор-исток на границе насыщения?
С чем связан наклон ВАХ в области насыщения?
В каком режиме МДП-транзистор может использоваться в качестве омического сопротивления?
Дайте определение крутизны МДП-транзистора.
Как зависит внутреннее сопротивление МДП-транзистора в пологой области от тока стока?
Как соотносятся крутизны по затвору и подложке?
Чему соответствует критический ток МДП-транзистора?
В чем состоит причина нестабильности параметров МДП-транзистора?
Как связана постоянная времени крутизны с длиной канала МДП-транзистора?
Дайте определение напряжения отсечки полевого транзистора.
Как соотносятся входные сопротивления МДП- и полевого транзистора?
Как изменяется длина канала полевого транзистора в пологой области при увеличении напряжения на стоке?
Сравните быстродействие МДП- и полевых транзисторов.
Сравните уровень шумов МДП- и полевых транзисторов.
Каков порядок величины сопротивлений пассивных областей полевого транзистора?
