Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовой проект ВИС ЧУДАКОВ.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
2.33 Mб
Скачать
    1. Выпрямительно-инверторный преобразователь

Упрощённая схема выпрямительно-инверторного преобразователя (ВИП) представлена на рисунке 3.

Рисунок 3 – Упрощённая схема ВИП

Параметры выпрямительно-инверторного преобразователя выбирают с учётом принятых решений о схеме силовой цепи. Параметры полупроводниковых приборов обозначаются по ГОСТ 20332 – 84. Для расчёта необходимы следующие исходные данные.

Напряжение на тиристорных плечах ВИП.

На рисунке 4 представлены упрощённые схемы ВИП для 1÷4 зон регулирования для двух полупериодов питающего напряжения. Тиристорные плечи, находящиеся в проводящем состоянии, показаны на рисунке утолщёнными линиями. Действующие значения напряжений секций тяговой обмотки обозначены: секции I и секции II – UТ; секции III - 2UТ.

В таблице 4 приведены амплитудные значения напряжения на тиристорных плечах ВИП в зависимости от зоны регулирования и полупериода питающего напряжения. Значения напряжений даны при следующих допущениях:

  1. напряжение в контактной сети номинальное;

  2. тиристоры – идеальные ключи;

  3. углы регулирования тиристорных плеч αр < 90º.

В таблице 5 представлены максимально возможные в эксплуатации напряжения на тиристорных плечах ВИП. Коэффициент учитывает возможное повышение напряжения контактной сети выше номинального. Амплитудное значение импульсных перенапряжений принимается равным величине импульсного пробивного напряжения полупроводникового ограничителя напряжения (ПОН), подключённого к тяговой обмотке трансформатора.

Расчётный ток тягового электродвигателя определяется для грузовых электровозов по условию реализации максимального коэффициента сцепления (рисунок 2).

Число полупроводниковых приборов в одном плече ВИП определяется в соответствии с таблицей 6.

а) 1 зона регулирования в) 3 зона регулирования

1-й полупериод 2-й полупериод 1-й полупериод 2-й полупериод

б) 2 зона регулирования г) 4 зона регулирования

1-й полупериод 2-й полупериод 1-й полупериод 2-й полупериод

Рисунок 4 – Упрощённые схемы ВИП для 1÷4 зон регулирования для двух полупериодов питающего напряжения

Таблица 4 – Амплитудные значения напряжения на тиристорных плечах ВИП (напряжение контактной сети – номинальное)

Зона регулиро-

вания

Полу-

период

Тиристорные плечи

VS1

VS2

VS3

VS4

VS5

VS6

VS7

VS8

1

UT

обратное

·UT

прямое

·UT

обратное

0

0

·UT

обратное

2· UT

прямое

2· UT

обратное

·UT

прямое

2· UT

обратное

0

·UT

обратное

·UT

обратное

0

3· ·UT

обратное

2· ·UT

прямое

2

2· ·UT

0

·UT

·UT

0

2· ·UT

2· ·UT

4· ·UT

0

2· ·UT

·UT

·UT

2· ·UT

0

4· ·UT

2· ·UT

3

4· ·UT

·UT

3· ·UT

0

2· ·UT

·UT

0

3· ·UT

·UT

4· ·UT

0

3· ·UT

·UT

2· ·UT

3· ·UT

0

4

4· ·UT

0

3· ·UT

·UT

2· ·UT

2· ·UT

0

4· ·UT

0

4· ·UT

·UT

3· ·UT

2· ·UT

2· ·UT

4· ·UT

0

Таблица 5 – Максимально возможные в эксплуатации напряжения на тиристорных плечах ВИП

Напряжение

на тиристором плече ВИП

Тиристорные плечи ВИП

VS1,VS2

VS3,VS4

VS5,VS6

VS7,VS8

Амплитудное (при номинальном напряжении в контактной сети)

Амплитудное (при максимальном напряжении в контактной сети)

Амплитудное импульсных перенапряжений (атмосферных и коммутационных)

Таблица 6 – Число полупроводниковых приборов в одном плече ВИП

Число полупроводниковых

приборов в плече ВИП

Тиристорное плечо ВИП

VS1, VS2, VS7, VS8

VS3, VS4

VS5, VS6

Последовательно

включённых

Параллельно

включённых

Основные параметры выбранных тиристоров:

тип тиристора Т353-800, тип охладителя 0153;

Расшифровка терминов:

– повторяющееся импульсное обратное напряжение;

– повторяющийся импульсный обратный ток;

– максимально допустимый средний прямой ток;

– динамическое сопротивление;

– тепловое сопротивление переход-корпус;

– критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии;

– критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии.

– повторяющееся импульсное обратное напряжение, определяемое классом прибора;

– коэффициент, учитывающий неравномерность распределения напряжения по последовательно соединенным полупроводниковым приборам;

– неповторяющееся импульсное обратное напряжение, указываемое в справочных данных по прибору (обычно );

– число параллельно включенных двигателей, питающихся от выпрямительно-инверторного преобразователя;

– максимально допустимый средний ток полупроводникового прибора, работающего в однофазной однополупериодной схеме выпрямления с активной нагрузкой при частоте 50 Гц, синусоидальной форме тока с углом проводимости 180° в установившемся тепловом состоянии;

– коэффициент, учитывающий подогрев охлаждающего воздуха в преобразователе при последовательном расположении нескольких охладителей;

– коэффициент, учитывающий неравномерность деления тока по параллельным цепям полупроводниковых приборов при наличии делителей тока.

Тип и класс прибора выбирают по минимальной стоимости ВИП на основании сравнения вариантов по таблице 7. При выполнении курсового проекта ограничиваются одним вариантом без определения стоимости выпрямителя.

Таблица 7 – Число приборов в ВИП

Тип прибора

Число приборов в ВИП

по таблице 6

округленно

по таблице 6

округленно

Т353-800

1,64

1,73

2

2,31

3

40

Полученные значения и округляют до ближайшего большего целого числа.

Сопротивление резисторов, шунтирующих последовательно соединенные приборы VS1, VS2:

(1.5.1)

где – амплитуда напряжения, приложенного к тиристорному плечу (таблица 5);

– наибольшее допустимое повторяющееся напряжение тиристора;

– наибольший обратный ток.

Сопротивление резисторов, шунтирующих последовательно соединенные приборы VS3, VS4:

(1.5.2)

Сопротивление резисторов, шунтирующих последовательно соединенные приборы VS5, VS6:

(1.5.3)

Мощность шунтирующего резистора для VS1, VS2:

(1.5.4)

Мощность шунтирующего резистора для VS3, VS4:

(1.5.5)

Мощность шунтирующего резистора для VS5, VS6:

(1.5.6)

Ёмкость конденсаторов, шунтирующих соединенные последовательно тиристоры VS1, VS2:

(1.5.7)

где –возможная наибольшая разность зарядов восстановления последовательно включённых приборов.

Ёмкость конденсаторов, шунтирующих соединенные последовательно тиристоры VS3, VS4:

(1.5.8)

Ёмкость конденсаторов, шунтирующих соединенные последовательно тиристоры VS5, VS6:

(1.5.9)

Схема включения RC - цепочек показана на рисунке 5.

Рисунок 5 – Схема включения RC - цепочек