2.2. Дослідити схему з загальною базою (зб):
2.2.1. Змінюючи змінним резистором вхідну напругу (Uбе), зніміть залежність струму емітера (Іе) від напруги база-емітер (Uбе) при незмінній напрузі (Uкб=0 В; 5 В) (вхідна характеристика транзистора Іе=f(Uбе)).
Рис. 7. Схема включення транзистора із ЗБ
2.2.2.Зніміть залежність колекторного струму (Ік) від напруги колектор-база (Uкб) при постійному струмі емітера (Іе=0; 2 мА; 4 мА; 6 мА; 8 мА) (вихідна характеристика транзистора Ік=f(Uкб)).
2.2.3. За даними вимірювань побудувати вхідні, вихідні характеристики транзистора, включеного за схемою з ЗБ.
2.2.4.Визначити за характеристиками транзистора графоаналітичним методом параметри транзистора в схемі з ЗБ:
вхідний опір транзистора Rвх=∆Uбt/∆Iб;
вихідний опір транзистора Rвих=∆Uкt/∆Iк;
2.2.5. Вибрати на вхідних і вихідних характеристиках робочу точку і розрахувати для неї h-параметри для даної схеми.
Контрольні запитання
Класифікація транзисторів.
Устрій біполярних транзисторів (БТ) та принцип дії .
Схеми включення БТ:
а) з загальною базою (ЗБ);
б) з загальним емітером (ЗЕ);
в) з загальним колектором (ЗК).
Підсилювальні властивості БТ.
Статичні характеристики транзистора
а) за схемою ЗБ;
б) за схемою ЗЕ.
6. Динамічний режим роботи транзистора, динамічні характеристики та поняття робочої точки.
7. Ключовий режим роботи транзистора.
8. Транзистор як активний чотириполюсник, h – параметри та їх фізичний зміст. Визначення h – параметрів за статичними характеристиками.
Додаток
Таблиця1 Вибір марки транзистора для виконання роботи.
№ варіанта |
Марка транзистора |
|
№ варіанта |
Марка транзистора |
1 |
КТ3102А |
|
6 |
КТ3102Б |
2 |
КТ312Б |
|
7 |
КТ315В |
3 |
КТ315А |
|
8 |
2Т315Д |
4 |
2Т312 Б |
|
9 |
КТ3102Г |
5 |
КТ315Г |
|
0 |
КТ315Д |