3. 5. Контрольные вопросы.

1. Изобразить энергетические зоны в кристалле с прямой и непрямой структурой зон, обозначить на зонной диаграмме прямые и непрямые переходы.

2. Дать определение понятиям: функция плотности состояний, вероятность переходов, разрешенные и запрещенные переходы. Определить плотность состояний в случае прямых и непрямых переходов.

3. Дать аналитические выражения для формы края сособственного поглощения для прямых и непрямых, разрешенных и запрещенных переходов. Представить для каждого из рассмотренных типов поглощения графические зависимости коэффициента поглощения.

4. Описать метод измерения ширины запрещенной зоны в кристаллах.

3. 6. Основная литература.

• Панков Ж. «Оптические процессы в полупроводниках»; М., Мир, 1973 год – стр. 44-63.

14