
- •Микропроцессоры
- •Классификация мп
- •Основные характеристики мп
- •Структурная схема мп
- •Назначение основных узлов мп
- •Микропрограммное устройство управления
- •Способ кодирования мк
- •Рабочий цикл мп
- •Стековая память
- •Общая последовательность реакций мп на сигналы прерываний
- •Вложенные прерывания
- •Аппаратные прерывания
- •Внешние прерывания
- •Маскируемые прерывания
- •Многокристальные секционные мп
- •Однокристальные мп
- •Электронная память пк
- •Динамическая память (оп) /dram/
- •Основные характеристики памяти
- •Основные способы повышения производительности памяти пк
- •Микросхемы rdram
- •Модули памяти
- •Модули rimm
- •Статическая память
- •Основные компоненты системной платы
- •Микросхемы системной логики (чипсет)
- •Шинный интерфейс
- •Микро эвм
- •Вычислительные системы
- •Вычислительные сети
- •Протоколы сетей
Модули памяти
Увеличение емкости динамической памяти привело к тому, что микросхемы DRAM, устанавливаемые на материнскую плату в первых ПК, были заменены небольшими платами, на которые припаивались микросхемы. Такие платы назвали модулями памяти. Применение модулей уменьшило размер материнских плат, а технологию установки микросхем в модулях не только с одной, но и с двух сторон назвали технологией поверхностного монтажа (SMT).
Разъемов, в которые устанавливаются модули на материнской плате, может быть несколько, и их называют слотами.
Модули организуются в группы по 2 или 4 в зависимости от разрядности модуля и разрядности системной шины. Такие группы модулей называют банками. Разрядность системной шины должна совпадать с разрядностью групп модулей.
В динамической памяти используются следующие разновидности модулей:
SIPP (30- контактный)
SIMM (30, 72- контактный)
DIMM (168, 184- контактный)
RIMM (184-контактный)
Современные модули памяти имеют разрядность 8 бит (SIPP, SIMM (30)), 32 бита (SIMM (72- контактный, DIMM (168- контактный)), и 64 бит (DIMM (184- контактный), RIMM (184-контактный)).
Если модули с контролем ЕСС или паритетом четности, то они имеют разрядность 9, 36, или 72 бит, т.е. каждый байт имеет свой контрольный разряд.
Модули SIMM в основном, односторонние – микросхемы смонтированы на передней поверхности.
Сигналы модулей SIMM, в основном, совпадают с сигналами микросхем динамической памяти.
Модули DIMM, в отличие от модулей SIMM, являются двусторонними. Стандартный модуль DIMM имеет 168 контактов, расположенных с обеих сторон с 1 по 84 контакт на передней стороне, а с 85 по 168 – на задней. Разрядность шины данных – 8 байт. Благодаря широкой шине данных их можно устанавливать по 1 на материнскую плату, имеющую 64-разрядную системную шину. Модули устанавливаются на плату вертикально, в специальные разъемы, называемые слотами, с ключевыми перегородками, задающими допустимое питающее напряжение и тип применяемых модулей. Первый ключ располагается между 10-м и 11-м контактами и определяет тип памяти (EDO, SDRAM), второй ключ располагается между 40 и 41-м контактами и служит для определения питания модуля (5В-3,3В).
Модули DIMM 184-контактные предназначены для микросхем DDR SDRAM. По габаритам они аналогичны модулям DIMM-168, но у них имеются дополнительные вырезы по бокам, и отсутствует левый ключ. Разрядность таких модулей 64 или 72 бит. Напряжение питания 2,5В. Эти модули отличаются большим количеством входных сигналов по линии на каждые 4 бита данных. Вход тактовой частоты один, но дифферентный.
В модулях DIMM кроме микросхем памяти устанавливается микросхема буфера ввода-вывода и микросхема SPD, которая определяет наличие микросхем памяти методом последовательного поиска. Для реализации этого метода в микросхемах SPD устанавливается энергонезависимая память EEPROM или Flash, емкостью в 2 Кбит, которая содержит описание модуля DIMM, необходимое BIOS для правильной конфигурации системы.
Модули rimm
Модули RIMM по форме похожи на обычные модули памяти DIMM, но они специально предназначены для установки микросхем RDRAM. У них 30-проводная шина проходит вдоль модуля слева направо, и на эту шину без ответвлений напаиваются микросхемы в корпусах BGA.
Модули RIMM содержат до 16 микросхем RDRAM, которые всеми выводами (кроме 2х) соединяются параллельно. В отличие от SIMM и DIMM, у которых объем памяти кратен степени числа 2, модули RIMM могут иметь более равномерный ряд объемов, т.е. в канал RDRAM память можно устанавливать хоть по одной микросхеме.
Кроме того, модуль RIMM отличается от модуля DIMM количеством контактов и их расположением, а также тем, что модуль RIMM закрыт с обеих сторон металлическим экраном, защищающим его от наводок и взаимного влияния модулей, работающий на больших частотах.
Фирма Intel планировала размещать на одной плате до 3-х модулей RIMM, однако наборы чипсет i880/810E/820 поддерживают только два модуля RIMM (технические проблемы)
Стоимость модуля RIMM достаточно высока.
Дешевые модули памяти чаще вообще не маркируются. Вместо маркировки в этом случае на корпусе чаще всего имеется лишь логотип производителя, страна или номер памяти. Если же маркировка нанесена, то это не значит, что всегда ее можно прочесть.
По первым буквам маркировки определяют фирму изготовителя, а последние цифры обозначают время доступа. Остальную информацию обычно расшифровать невозможно. При необходимости – обратиться на сайт производителя.
SRAM