10.5.3 Расчет основных энергетических параметров.
– будут
найдены после определения Uбm
и Iбm.
Для дальнейших расчетов следует на выходных характеристиках транзистора построить нагрузочные характеристики по постоянному и переменному токам – треугольники {0-EП-Ik доп}и {abc}. Рисунок
Пересечение нагрузочной характеристики с линией критического режима – ЛКР с крутизной SКР позволяет определить два параметра Ikmax=8.9 мА, Uкэmin=1.1 В и определить крутизну SТ КР по выходным характеристикам рисунка 8:
10.5.4 Построение нагрузочных и временных характеристик
Рисунок 8 «Нагрузочные и временные характеристики»
10.6. Построение исходной рабочей точки (ирт)
10.6.1 Определение rк и rэ
R4=RК, R3=RЭ.
Треугольник {Ikдоп-0-EП} рис. позволяет определить сопротивление коллекторной цепи по постоянному току r=:
RЭ =0.1÷0.3RK.
Возьмем RЭ =0.2RK:
Ом,
Стандартные значения резисторов:
R3: ОМЛТ – 0.1 –18 Ом ± 5%-А, ГОСТ 7113-66,
R4: ОМЛТ – 0.125 –82 кОм ± 5%-А, ГОСТ 7113-66.
10.6.2 Расчет ирт /Рисунок 8/.
Построение рабочего треугольника abc /Рисунок 8/.
Рабочая точка «a» определена координатами IK0 и UK0 :
Учитывая, что IБmin=300 мА, Ikmin=20 мА.
10.6.3 Углы наклона нагрузочных характеристик по постоянному и переменному токам.
При расчете углов наклона необходимо учитывать, что масштаб рисунка 8 – 1:10 (1 В : 10 мА).
;
.
10.6.4 Мощность рассеивания тепла на rк и rэ
где
10.7 Расчет параметров и элементов усилителя
По входной и выходной характеристикам транзистора VT …. Рис. определим:
Расчет KU, KI, KP :
10.7.1 Расчет делителя r1 и r2 /ас/
Резисторы R1и R2 связаны с ЕП, Id, Iб0,Uб0 уравнениями Кирхгофа:
ЕП, Iб0,Uб0 определяем из графиков (рисунки 6 и 8), а величину тока делителя Id получим, используя теорему Тевенена и связь величин резисторов R1,R2 и RЭ, с нестабильностью коллекторного тока SНС под воздействием температуры t˚. [3. С. 24]
где
Kмaт для германиевых транзисторов равно 2.[ , с]
Решение систем уравнений:
позволит определить предварительное значение тока I’d /окончательное – после выбора стандартных значений R1, R2/
Ближайшие стандартные значения R1, R2:
R2=510 Ом, R1=3.6 кОм.
И, тогда окончательное /рабочее/ значение тока делителя Id:
Проверка решения: должно быть ЕП ≈10 В.
Расходуемая мощность усилителя:
Расчет мощности рассеяния на резисторах R1, R2:
Стандартные значения резисторов:
R1: ОМЛТ – 0.1 –3.6кОм ± 5%-А, ГОСТ 7113-66,
R2: ОМЛТ – 0.125 –510 Ом ± 5%-А, ГОСТ 7113-66.
10.7.2 Обоснование расчета, расчет и выбор величин конденсаторов cНдоп , сэ, с1, с2.
10.7.2.1 Расчет c4 : /ас/ рис.6
C4=CНдоп,
Ориентировочное значение g22 для транзисторов малой мощности 5 мкСм [3. С. 16]. И тогда
Ближайшее стандартное значение C4: СГМ-2-240-Г-18±5% /ГОСТ 9687-75 / [10. С. 272].
10.7.2.2 Расчет с3:/ас/.
C3=CЭ←XCЭ=(0.01…0.05)RЭ.
Пусть XCЭ=0.03RЭ.
Ближайшее стандартное значение конденсатора С3 /ОЖО.464.042 ТУ/:
К 50-6-25-2±10% [10. С. 254].