
- •7 Ноября 2012 Содержание
- •Введение
- •1. Задание
- •Выводы по работе.
- •Литература.
- •2. Пояснительная записка к выполнению курсовой работы
- •3. Справочные параметры транзистора кт-301г1
- •3.1 Электрические параметры транзистора
- •3.2 Максимально допустимые параметры:
- •5.3 Расчет основных энергетических параметров.
- •5.4 Построение нагрузочных и временных характеристик
- •6. Построение исходной рабочей точки (ирт)
- •6.1 Определение rк и rэ
- •6.2 Расчет ирт /Рисунок 4/.
- •6.3 Углы наклона нагрузочных характеристик по постоянному и переменному токам (токи в мА).
- •6.4 Мощность рассеивания тепла на rк и rэ
- •7. Расчет параметров и элементов усилителя
- •7.1 Расчет делителя r1 и r2 /ас/
- •7.2 Обоснование расчета, расчет и выбор величин конденсаторов cНдоп , сэ, с1, с2.
- •7.2.1 Расчет c4 : /ас/
- •7.2.2 Расчет с3:/ас/.
- •7.2.3 Расчет с1, с2 : /ас/
- •8. Анализ результатов расчета
- •9. Выводы по работе
- •10. Экспериментальная проверка методики расчета широкополосного транзисторного усилителя
- •10.1 Задание
- •7. Выводы по работе.
- •10.2 Пояснительная записка
- •10.3 Справочные параметры транзистора мп42б2
- •10.3.1 Электрические параметры транзистора
- •10.3.2 Максимально допустимые параметры:
- •10.5.3 Расчет основных энергетических параметров.
- •10.5.4 Построение нагрузочных и временных характеристик
- •10.6. Построение исходной рабочей точки (ирт)
- •10.6.1 Определение rк и rэ
- •10.6.2 Расчет ирт /Рисунок 8/.
- •10.6.3 Углы наклона нагрузочных характеристик по постоянному и переменному токам.
- •10.6.4 Мощность рассеивания тепла на rк и rэ
- •10.7 Расчет параметров и элементов усилителя
- •10.7.1 Расчет делителя r1 и r2 /ас/
- •10.7.2 Обоснование расчета, расчет и выбор величин конденсаторов cНдоп , сэ, с1, с2.
- •10.7.2.1 Расчет c4 : /ас/ рис.6
- •10.7.2.2 Расчет с3:/ас/.
- •10.7.2.3 Расчет с1, с2 : /ас/
- •10.8 Анализ результатов расчета
- •10.9 Экспериментальная проверка методики расчета
- •10.9.1 Структурная схема лабораторной установки
- •10.9.2 Порядок выполнения работы
- •10.9.3 Анализ результатов
- •Заключение
- •11. Литература
- •12. Приложение
- •12.1 Методические основы проектирования радиотехнических устройств.
- •12.2 Печатная плата. Основные характеристики. [10,с. 493]
- •12.3 Проект методического пособия
- •7. Выводы по работе.
7. Выводы по работе.
8. Приложения:
а. Электрическая схема усилителя.
б. Перечень элементов.
в. Установочная плата.
г. Спецификация.
10.2 Пояснительная записка
Тема: «Широкополосный импульсный транзисторный усилитель. Анализ работы и расчет схемы усилителя».
Расчет режимов работы и элементов схемы.
В курсовой работе рассмотрен вариант проектирования импульсного широкополосного транзисторного усилителя в режиме обеспечения его потенциальных возможностей. Следует определить входные параметры сигнала Uвх, Iвх, rвх, режимы и параметры усилителя, параметры источников питания Eп, Iп и КПД η, обеспечивающие выполнение поставленной задачи: обеспечить требуемое UН на нагрузке RН, для предложенного транзистора, усиливающего импульсный сигнал длительностью τС, частотой повторения Tп при t˚max.
Энергетический расчет режима усилителя следует провести для гармоник среднего диапазона частот усилителя.
В заключении должна быть приведена сравнительная таблица заданных и рассчитанных параметров усилителя и сделаны выводы по проведенному проектированию.
И, как итог работы, должна быть представлена полная (рабочая) электрическая схема усилителя и перечень элементов.
В каждом разделе для каждого искомого параметра намечен порядок расчета искомого параметра. Пометка «Анализ - Синтез» - /АС/.
Расчет должен быть проведен по номинальным значениям элементов /без учета технического разброса элементов/.
10.3 Справочные параметры транзистора мп42б2
Общие сведения: Германиевый сплавный p-n-p-транзистор предназначен для работы в схемах усиления и генерирования колебаний в диапазоне частот до 1 МГц, в схемах переключения и других схемах.
10.3.1 Электрические параметры транзистора
Таблица 3 «Электрические параметры»
Наименование |
Обозначение |
Значение |
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА |
IКБО |
25 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В |
UКЭ нас |
0.2 |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В |
UБЭ нас |
0.4 |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ |
h21Э |
45-100 |
Граничный частотный коэффициент |
fh21э |
1,0 |
10.3.2 Максимально допустимые параметры:
1.
Постоянный ток коллектора:
2.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
.
3.
Постоянная рассеиваемая мощность
коллектора при
,
4.
Допустимая температура окружающей
среды:
.
10.4. Электрическая схема импульсного резистивного усилителя
Рисунок 6 «Электрическая схема импульсного резистивного усилителя».
Пути постоянного→ и переменного→← токов.
10.5. Расчет основных частотных и энергетических параметров
10.5.1 Расчет основных частотных параметров.
Полоса частот усилителя состоит из трех полос: нижние, средние и высокие, разделенные пороговыми частотами, связанными с τС и ТП соотношениями:
Полоса частот:
10.5.2 Построение АЧХ и ФЧХ усилителя.
Рисунок 7 «АЧХ (а) и ФЧХ (б) усилителя».
После определения fНП и fВП выбирается частота в области средних частот, где нормированный коэффициент усиления по напряжению 0.707≤КUН≤1, и на этих частотах рассчитываются энергетические параметры КU, КI, КP. И выбирается ИРТ {Uk0, Ik0, Uб0,Iб0}. По величинам этих параметров производится расчет всех резисторов, выбор их стандартных значений и расчет всех емкостей, обеспечивающих требуемое значение fНП и fВП.
Найденные стандартные значения резисторов и конденсаторов позволяют рассчитать реальные /рабочие /значения τС ,ТП , fНП, fВП , П>, КU, КI, КP, ЕП, IП и η, которые следует занести в таблицу, сравнив с заданными и сделав общие выводы по работе.