
- •1. Оперативная (основная, системная) память.
- •2. Принципы функционирования системной памяти.
- •3. Статическая память.
- •4. Синхронная динамическая память drаm
- •4.1. Разновидности dram.
- •4.2. Общая структура микросхемы памяти.
- •4.3. Банк памяти.
- •4.4. Скорость работы памяти.
- •5. Емкость оперативной памяти и размерность ее модулей.
- •6. Конструкция модулей памяти.
- •7. Организация виртуальной памяти в пк.
- •8. Современные системы оперативной памяти
5. Емкость оперативной памяти и размерность ее модулей.
Емкость ОП измеряется обычно в мегабайтах: 1 Мбайт - 1024 Кбайт - 10242 байт.
Увеличение емкости ОП вдвое повышает эффективную производительность компьютера при решении сложных задач (при дефиците памяти) примерно в 1,7 раза.
Модули памяти имеют размерность 256, 512 Мб, 1 Гб, 2 Гб и более.
Использование модулей конкретной размерности определяется возможностями системной платы. Например, в 2007 году в серверах HP ProLiant использовались модули памяти Kingston, размерностью 2 * 4 Гб PC2700 DDR SDRAM (цена 145792 руб.), а в 2009 году модуль памяти Apple 4GB 800MHz DDR2 стоил 51 050 р.
6. Конструкция модулей памяти.
64-разрядные DIMM-модули (Dual In-line Memory Module) появились в 1997 году. У этого поколения модулей памяти насчитывается 168 контактов, расположенных с двух сторон текстолитовой платы (по 84 контакта с каждой стороны).
Модули памяти выпускаются в вариантах Registered DIMM (с буферизацией данных) и Unbuffered DIMM (без буферизации данных); с различным числом контактов.
Для ноутбуков выпускаются малогабаритные модули SO-DIMM (Small Outline DIMM).
Для идентификации типа модуля по объему памяти и типу используемых микросхем на нем может устанавливаться микросхема флэш-памяти с записанной в нее служебной информацией (SPD — Serial Presense Detect). Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в плате делается несколько прорезей (ключей). Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, левый ключ определяет наличие или отсутствие буфера данных.
7. Организация виртуальной памяти в пк.
Виртуальная память создается при недостаточном объеме ОП, не позволяющем разместить в ней сразу всю необходимую информацию для выполняемого задания.
При загрузке очередной задачи в ОП необходимо выполнить распределение машинных ресурсов, в частности ОП между компонентами одновременно решаемых задач.
Обычно используется режим динамического распределения памяти - в случае недостаточной емкости ОП возможна организация виртуальной памяти, когда пользователь имеет дело не с физической ОП, действительно имеющейся в ПК, а с виртуальной (кажущейся) памятью, емкость которой равна всему адресному пространству. На всех этапах подготовки программы, (включая ее загрузку в ОП), используются виртуальные адреса, и лишь при непосредственном исполнении машинной команды выполняется преобразование виртуальных адресов в реальные физические адреса ОП. При этом программа частями может размещаться в ОП и во внешней памяти.
Технология организации виртуальной памяти - физические оперативная и дисковая (привлеченная к задаче) память и виртуальная память разбиваются на страницы одинакового размера, которым присваиваются номера, с одними и теми же значениями на весь период решения задачи. ОС формирует две логически связанные таблицы (Слайд 11):
страниц виртуальной памяти;
физического размещения страниц,
Физические страницы могут находиться в текущий момент времени как в ОП, так и во внешней памяти. Из внешней памяти виртуальные страницы автоматически перемещаются в ОП только тогда, когда к ним происходит обращение. При этом они замещают уже отработавшие страницы. Страничные таблицы для каждой программы формируются ОС в процессе распределения памяти и изменяются каждый раз, когда физические страницы перемещаются из ВЗУ в ОП. Виртуальная память может иметь и сегментно-страничную организацию. В этом случае она делится сначала на сегменты, а внутри них на страницы. Принцип организации такой памяти аналогичен принципу, рассмотренному выше.