
- •1. Оперативная (основная, системная) память.
- •2. Принципы функционирования системной памяти.
- •3. Статическая память.
- •4. Синхронная динамическая память drаm
- •4.1. Разновидности dram.
- •4.2. Общая структура микросхемы памяти.
- •4.3. Банк памяти.
- •4.4. Скорость работы памяти.
- •5. Емкость оперативной памяти и размерность ее модулей.
- •6. Конструкция модулей памяти.
- •7. Организация виртуальной памяти в пк.
- •8. Современные системы оперативной памяти
3. Статическая память.
Статическая память современного ПК представляет собой сверхоперативные ЗУ (СОЗУ), использующиеся для хранения небольших объемов информации и имеющие значительно меньшее время (в 2-10 раз) считывания/записи, чем основная память.
Ячейкой в статической памяти является триггер — логический элемент с двумя устойчивыми состояниями, которые сохраняются до тех пор, пока подается питание. Как правило, он состоит из 4-6 транзисторов.
Определение. ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на т.н. вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти характеризуется технологическими сложностями изготовления: группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, чем один транзистор. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть созданы линии связи.
СОЗУ обычно строятся на регистрах и регистровых структурах.
Регистр представляет собой электронное устройство, способное хранить занесенное в него число неограниченно долго (при включенном питании). Наибольшее распространение получили регистры на статических триггерах (Слайд 3).
По назначению регистры делятся на регистры хранения и регистры сдвига. Информация в регистры может заноситься и считываться либо параллельно, сразу всеми разрядами, либо последовательно, через один из крайних разрядов с последующим сдвигом занесенной информации.
Сдвиг записанной в регистр информации может производиться вправо или влево. Если регистр допускает сдвиг информации в любом направлении, он называется реверсивным.
Регистры могут быть объединены в единую структуру. Возможности такой структуры определяются способом доступа и адресации регистров.
Если к любому регистру можно обратиться для записи/чтения по его адресу, такая регистровая структура образует СОЗУ с произвольным доступом.
Безадресные регистровые структуры могут образовывать два вида устройств памяти: магазинного типа и память с выборкой по содержанию (ассоциативные ЗУ).
Память магазинного типа образуется из последовательно соединенных регистров (Слайд 4).
Если запись в регистровую структуру производится через один регистр, а считывание - через другой, то такая память является аналогом линии задержки и работает по принципу «первым вошел - первым вышел» (first input, first output - FIFO).
Если же запись и чтение осуществляются через один и тот же регистр такое устройство называется стековой памятью, работающей по принципу «первым вошел - последним вышел» (first input, last output - FILO).
Стековая память получила широкое распространение. Для ее реализации в ЭВМ разработаны специальные микросхемы. Но часто работа стековой памяти эмулируется в основной памяти ЭВМ: с помощью программ операционной системы выделяется часть памяти под стек (в IBM PC для этой цели выделяется 64 Кбайта).
Память с выборкой по содержанию является безадресной. Обращение к ней осуществляется по специальной маске, которая содержит поисковый образ. В микропроцессорах ассоциативные ЗУ используются в составе кэш-памяти для хранения адресной части команд и операндов исполняемой программы.
Кэш-память (Cache — запас) служит в качестве буферной памяти при обмене данными между процессором и оперативной (системной) памятью. Так как кэш организован на микросхемах типа SRAM (Static Random Access Memory — статическая память с произвольным доступом), которые работают примерно на порядок быстрее микросхем памяти типа DRAM, процессор обрабатывает данные из кэш-памяти сразу, практически не тратя рабочие циклы на ожидание доступа.
Кэш-память может быть размещена в кристалле процессора (так называемая кэш-память I уровня) или выполнена в виде отдельной микросхемы или модуля, содержащего несколько микросхем (внешняя кэш-память или кэш-память II уровня).
Например, некоторые модели процессоров Intel и AMD имели кэш-память II уровня в ядре самого процессора. Поэтому кэш на системной плате в таких системах относится уже к III уровню (Слайд 5).
Параметры работы кэш-памяти чрезвычайно сильно влияют на производительность подсистемы памяти в целом. Кэш-память I уровня практически у всех ныне выпускаемых процессоров для IBM PC работает на частоте ядра.