
- •3.1.2.2. Оптическая схема
- •3 .1.3. Устройство спектрофотометра
- •3.1.4. Назначение органов управления и индикации
- •3.1.5. Порядок работы
- •3.1.5.1. Включение спектрофотометра
- •3.1.5.2. Подготовка к работе
- •3.1.5.3. Измерение коэффициента пропускания
- •3.2. Регистрация показаний сф-46 с помощью пэвм
- •3.3. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника с непрямыми переходами.
- •4. Ход работы
- •5. Содержание отчета.
- •6.Задание для выполнения работы.
- •7. Контрольные вопросы
6.Задание для выполнения работы.
Измерить спектральные зависимости коэффициентов прозрачности светофильтров №1 и №2.
Сравнить полученные зависимости с эталонными кривыми.
Сделать выводы о качестве юстировки спектрофотометра.
Измерить спектральную зависимость коэффициента пропускания пленки кремния в спектральном диапазоне 200 – 1100 нм (шаги по длинам волн для различных диапазонов указаны в п.7 раздела 4. ХОД РАБОТЫ).
7. Контрольные вопросы
На чем основан принцип проведения измерений коэффициента пропускания с помощью спектрофотометра СФ-46?
Каков спектральный диапазон измерений спектрофотометра СФ-46?
По какой оптической схеме построен монохроматор спектрофотометра СФ-46?
Какой фотоэлемент используется для регистации излучения в диапазоне длин волн 600 до 1100 нм?
Какая лампа используется для диапазона длин волн 190 до 350 нм?
Какой фотоэлемент используется для регистации излучения в диапазоне длин волн 186 до 700 нм?
Какая лампа используется для диапазона длин волн 340 до 1100 нм?
Каково обязательное условие размещения исследуемых образцов в кюветном отделении спектрофотометра при проведении измерений коэффициента пропускания?
Сколько образцов можно одновременно исследовать в спектрофотометре?
Как рассчитывается коэффициент пропускания по измеренным напряжениям на выходе усилителя?
Какие соотношения могут использоваться для определения величины приблизительно пропорциональной показателю поглощения α?
Дать описание процедуры обработки резудьтатов измерения коэффициента пропускания для определения ширины запрещенной зоны полупроводника с непрямыми переходами.