3.6 Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду

Визначаємо корисну потужність, що віддає транзистор VT5, і яка більше потужності, споживаної колом наступного каскаду, на величину потужності, розсіюванню в колі зміщення:

А

Визначаємо амплітудне значення змінної складової струму колектора транзистора VT6:

А (3.35)

Для зменшення впливу нелінійності вхідної характеристики транзистора доцільно прийняти:

А (3.36)

Тоді максимальний колекторний струм буде дорівнювати:

(3.37)

А

Визначаємо потужність, споживану транзистором VT5 від джерела електроживлення:

(3.38)

Визначаємо максимальну потужність розсіювання на колекторі транзистора:

(3.39)

Вт

Визначаємо граничний коефіцієнт передачі частоти за струмом:

кГц (3.40)

За розрахованими параметрами вибираємо тип транзистора VT5. Розраховані параметри та параметри вибраного транзистора занести в таблицю 3.

Таблиця 3.3 - Параметри вибраного транзистора VT5 передкінцевого каскаду.

Параметри	IKmax A	UKEmax В	PKmax Вт	f21Emax кГц	Тип транзистора	h21E	h11E
Розрахункові граничні параметри	0,00476	48	0,1116	100	_	_	_
Параметри вибраного транзистора VT2	0,3	60	0.5	5	КТ503Д	40	0,58

Визначаємо величину резистора R8 позитивного зворотного зв'язку за формулою:

(3.41)

Ом

Вибираємо стандартне значення резистора зворотного зв'язку R9 = 1,0 кОм.

Визначаємо потужність розсіювання на резисторі за формулою:

(3.42)

Вт

Обираємо резистори R9 типу: МЛТ – 0,125 – 11 кОм ± 10%.

Визначаємо амплітудне значення струму бази транзистора за формулою:

(3.43)

мА

Визначаємо значення постійної складової струму бази:

(3.44)

А

Визначаємо вхідний опір каскаду, зібраного на транзисторі VT2 за формулою:

(3.45)

Ом

_{де h11E} - вхідний опір транзистора, включеного за схемою ОЕ.

Визначаємо амплітудне значення змінної напруги на базі транзистора:

(3.46)

В

Визначаємо потужність сигналу, споживану базовим колом транзистора за формулою:

(3.47)

мВт