Выходные характеристики.

Т° С		IБ, мкА	0	1	2	5	10	20	50
20	UКЭ=0В	UБЭ , В	0	0.747	0.767	0.794	0.816	0.839	0.868618
	UКЭ=1В	UБЭ , В	1мк	0.873	0.892	0.917	0.931	0.934	0.936832
	UКЭ=5В	UБЭ , В	5мк	0.873	0.892	0.917	0.937	0.956	0.980284
50	UКЭ=5В	UБЭ , В	5.073мк	0.843	0.864	0.891	0.912	0.933	0.959913

20°С, 5В:

Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

50°С, 5В:

Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Выходные характеристики.

Т° С	UКЭ (В)	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	15	20
27	IБ =0	-380.684*10−15	-608.93*10−15	-1.509*10−12	-3.009*10−12	-6.009*10−12	-15.009*10−12	-30.01*10−12	-45.011*10−12	-60.009*10−12
	10мВ=IБ =ΔIБ	-45.638мА	-121.62 мА	-382.265 мА	-825.648 мА	-999.907мА	-999.907мА	-999.907мА	-999.907мА	-999.907мА
	20мВ=IБ =2ΔIБ	-55.22 мА	-136.601 мА	-406.075 мА	-875.946 мА	-1.807	-2	-2	-2	-2
	30мВ=IБ =3ΔIБ	-60.281 мА	-144.499 мА	-417.743 мА	-892.561 мА	-1.856	-3	-3	-3	-3
	40мВ=IБ =4ΔIБ	-63.53 мА	-149.656мА	-425.329мА	-902.544мА	-1.873	-4	-4	-4	-4
50	IБ =2ΔIБ	-52.864 мА	-132.851 мА	-400мА	-867.717мА	-1.795	-2	-2	-2	-2
	IБ =4ΔIБ	-61.427 мА	-146.551 мА	-420.416 мА	-895.96 мА	-1.864	-4	-4	-4	-4

Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

Статические параметры транзистора с ОЭ

Статические параметры в активном режиме.

Статическим параметром для этого режима служит статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:

(3.3)

По сути дела этот параметр является интегральным коэффициентом передачи базового тока .

В большинстве случаев, однако, статический коэффициент определяют как

, (3.4)

что в большинстве применений транзистора вполне допустимо. Как правило, при инженерных расчётах схем на транзисторах пренебрегают зависимостью тока I_K от напряжений U_KБ или U_KЭ. В этих условиях коэффициент h_21Э однозначно определяет положение рабочей точки на статических характеристиках транзистора, если только при этом задан ток I_Э или ток I_Б.

В качестве статического параметра активного режима используется также статическая крутизна прямой передачи в схеме с ОЭ:

(3.5)

Статические параметры в режиме отсечки. В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе, т.е. токи через эмиттерный или коллекторный переход, находящийся под обратным напряжением.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчётах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:

Обратный ток коллектора I_КБ0 – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.

Обратный ток эмиттера I_ЭБ0 – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора.

Обратный ток коллектора I_КБК – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и замкнутом накоротко выводах эмиттера и базы.

Обратный ток эмиттера I_ЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и замкнутых накоротко выводах коллектора и базы.

Обратный ток коллектор – эмиттер – это ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер. Этот ток обозначается I_КЭ0 – при разомкнутом выводе базы; I_КЭR – при заданном сопротивлении в цепи эмиттер - база; I_КЭX – при заданном напряжении U_БЭ.

3.3.3. Статические параметры в режиме насыщения. В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений между электродами транзистора, включённого по схеме ОЭ.

Напряжение насыщения коллектор – эмиттер U_{КЭ нас}- это напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

Напряжение насыщения база – эмиттер U_{БЭ нас}- это напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

При измерениях U_{КЭ нас} и U_{БЭ нас} ток коллектора задаётся чаще всего равным номинальному значению, а ток базы задаётся в соответствии с соотношением:

I_Б=K_НАС I^/_Б (3.6)

где K_НАС – коэффициент насыщения; I^/_Б - ток на границе насыщения.

В качестве параметра в режиме насыщения иногда используется величина сопротивления насыщения

(3.7)

где I_{К нас}- постоянный ток коллектора в режиме насыщения.

Статические параметры в области пробоя. Основными параметрами в этом режиме являются следующие величины.

Пробивное напряжение коллектор – база U_{KБ0 проб} - это пробивное напряжение между выводами коллектора и базы при заданном обратном токе коллектора I_КБ0 при I_Э=0.

Пробивное напряжение коллектор – эмиттер - U_{KЭ0 проб} - это пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора I_К.

Напряжение U_{KЭ0 проб} определяется соотношением

(3.8)

График H₂₁ для выходных параметров

График H₂₁ для входных параметров