Выходная характеристика.

Т° С	UКБ (В)	0,1	0,2	0,5	1	2	5	10	15	20
27	IЭ =0	429,4*10−15	5,584*10−12	263.4*10−9	121.385*10−3	1.062	4.025	9.003	13.99	18.982
	10мА=IЭ = Δ IЭ	10*10−9	10.006*10−9	273.4*10−9	123.27*10−3	1.062	4.025	9.003	13.99	18.982
	20мА=IЭ = 2Δ IЭ	20*10−9	20.006*10−9	283.4*10−9	125.265*10−3	1.062	4.029	9.003	13.99	18.982
	40мА=IЭ = 4Δ IЭ	40*10−9	40.005 *10−9	303.4*10−9	129.63*10−3	1.062	4.029	9.003	13.99	18.982
	80мА=IЭ = 8Δ IЭ	80*10−9	80.005*10−9	343.399*10−9	136.914*10−3	1.064	4.025	9.003	13.991	18.982
50	20мА=IЭ = 2Δ IЭ	20*10−9	20.111*10−9	2.311*10−6	149.238*10−3	1.086	4.046	9.021	14.008	18.999
	80мА=IЭ = 8Δ IЭ	80.004*10−9	80.11*10−9	2.371*10−6	162.529*10−3	1.087	4.046	9.021	14.008	18.999

50°С, 5В:

Статические параметры транзистора с об

Статические параметры в активном режиме. Статическим параметром для этого режима служит статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ:

(3.1)

По сути дела этот параметр является интегральным коэффициентом передачи эмиттерного тока α.

Однако, на практике, статический коэффициент определяют как

, (3.2)

что в большинстве применений транзистора вполне допустимо.

Статические параметры в режиме отсечки. В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе, т.е. токи через эмиттерный или коллекторный переход, находящийся под обратным напряжением.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчётах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:

Обратный ток коллектора I_КБ0 – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.

Обратный ток эмиттера I_ЭБ0 – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора.

Обратный ток коллектора I_КБК – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и замкнутом накоротко выводах эмиттера и базы.

Обратный ток эмиттера I_ЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и замкнутых накоротко выводах коллектора и базы.

Статические параметры в режиме насыщения. В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений между электродами транзистора, включённого по схеме ОБ.

Напряжение насыщения коллектор – база U_{КБ нас}- это напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

Напряжение насыщения эмиттер – база U_{ЭБ нас}- это напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

Статические параметры в области пробоя. Основными параметрами в этом режиме являются следующие величины.

Пробивное напряжение коллектор – база U_{KБ0 проб} - это пробивное напряжение между выводами коллектора и базы при заданном обратном токе коллектора I_КБ0 при I_Э=0.

График H₂₁ для входных параметров

График H₂₁ для выходных параметров