Заключение
В процессе выполнения курсовой работы были выполнены цели, поставленные во введении и получены навыки расчета каскада усилителя.
Установлено, что для заданных условий по параметрам подходит транзистор КТ312А. Рассчитан режим покоя транзистора, определены его параметры. При работе каскада рабочая точка не заходит в область недопустимых значений тока и напряжения коллектора. По входным характеристикам определены параметры входного сигнала. Также рассчитаны номиналы элементов усилительного каскада.
Рассчитанный усилительный каскад является экономичным, так как его схема не содержит лишних элементов. Все сопротивления, транзисторы выбраны малой мощности, что говорит об малом энергопотреблении и выбранная элементная база достаточно широко распространена, а значит стоит недорого.
Список использованных источников
1. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник/Под ред. Н. Н. Горюнова,-М.: Энергоатомиздат, 1983.
2. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника: Учебник для вузов / Под. ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1988.-320 с.
3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник/Под ред. Б, Л. Перельмана, – М.: Радио и связь, 1981.
Приложение а
(справочное)
К
Т375А,
КТ375Б
Общие
сведения.
Кремниевые эпитаксиально-планарные
транзисторы
предназначены для работы в импульсных
и других схемах радиотехнических
устройств.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами (рис. П1.32). Масса транзистора не более 0,25 г.
Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
,
,
,
.
наименование |
обозначение |
значения |
Режимы измерения |
||||||
номинальное |
типовое |
максимальное |
UК, В |
IК, мА |
IБ, мА |
IЭ, мА |
f, МГц |
||
Обратный ток коллектора, мкА КТ375А КТ375Б При Тс = +85оС: КТ375А КТ375Б При Тс = – 40оС: КТ375А КТ375Б |
|
0,1 0,1
0,3 0,3
0,05 0,05 |
0,3 0,3
1,0 1,0
0,3 0,3 |
1 1
10 10
1 1 |
60 30
60 30
60 30 |
|
|
|
|
Граничное напряжение транзистора, В: КТ375А КТ375Б |
|
60 30 |
|
|
|
|
|
5 5 |
|
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В |
|
0,12 |
0,2 |
0,4 |
|
10 |
1 |
|
|
Напряжение насыщения база – эмиттер, В |
|
0,72 |
0,8 |
1 |
|
10 |
1 |
|
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: |
│ |
2,5 |
|
|
10 |
|
|
5 |
106 |
Статический
коэффициент передачи тока в схеме с
ОЭ (при
КТ375А КТ375Б При Тс = +85оС: КТ375А КТ375Б При Тс = – 40оС: КТ375А КТ375Б |
|
10 50
10 50
8 25 |
40 140
|
100 280
200 560
100 280 |
2 2
2 2
2 2 |
|
|
20 20
20 20
20 20 |
50 50
50 50
50 50 |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс |
|
|
|
300 |
10 |
|
|
5 |
|
│
):
Максимально
допустимые параметры. Гарантируются
при температуре окружающей среды
.
постоянный
ток коллектора,
мА…………….......................................…100
импульсный
ток коллектора,
мА……..………..................................200
постоянное
напряжение эмиттер – база, В:………………….………..5
постоянное
напряжение коллектор – база, В:
КТ375А………………………….....…………………………………….……..….60
КТ375Б…………………………………….....………………..…………………..30
постоянное
напряжение коллектор – эмиттер (при
Ом),
В:
КТ375А………………………….....………………………………………..…….60
КТ375Б…………………………………….....………………………………....…30
постоянная
рассеиваемая мощность коллектора
мВт…………………..200
импульсная
рассеиваемая мощность коллектора, (при
),
мВт………………………………………………………………………………...400
температура
перехода,
.......................................................................150
тепловое
сопротивление переход – окружающая
среда,
…….0,5
Допустимая
температура окружающей среды,
При
,
.
При этом средняя
мощность за период не должна превышать
.