Контрольные вопросы
Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в термодинамическом равновесии.
Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в прямом смещении (обратном смещении).
Приведите ВАХ р-п перехода и укажите на ней основные параметры перехода.
Приведите классификацию диодов и области их применения.
Приведете систему условных обозначений диодов, а также их условно-графические обозначения.
Приведите основные параметры выпрямительных диодов.
Приведите основные параметры импульсных диодов.
Приведите основные параметры стабилитронов. Укажите основные методы стабилизации напряжения с помощью диодов.
Приведите основные особенности диодов Шоттки.
Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
Цель работы – изучить физические процессы, статические вольтамперные характеристики, графическое определение малосигнальных параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Лабораторные схемы
В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры биполярных транзисторов 3 различных типов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:
1. Кремниевый транзистор Дарлингтона п-р-п типа КТ3102Е.
2. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.
3. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа ВС547.
4. Германиевый сплавной биполярный транзистор р-п-р типа МП41А.
И
1
~16 В
3
LM7812
J1
−
К1
2
+
+
К4
+
220,0
35 В
100,0
25 В
=12 В
4
Рис.2.1 Схема лабораторного стенда для
исследования статических характеристик
биполярных транзисторов
U
UR
ТV1
1
~9 В
3
LM7805
−
К2
2
+
+
К5
+
220,0
16 В
100,0
10В
=5 В
КТ315Е
ВС547
МП41А
R1 100
R4 1к0
20 к
20 к
20 к
R3 100
R2 220
3
2
J1
КТ3102Е
20 к
1
сследование
статических характеристик биполярного
транзистора при
его включении по схеме с общим эмиттером проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.2.1.
Требуемый исследуемый биполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения UКЭ, приложенного к коллектору относительно эмиттера. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения UБЭ, приложенного к базе относительно эмиттера. Величина этого напряжения определяет величину базового тока IБ и устанавливается потенциометром R2. Измерение напряжения UКЭ и величины коллекторного тока IК, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения UКЭ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение коллекторного тока IК проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «UR» переключателя К1. Измерение базового тока IК проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R4 известного сопротивления в положении «UR» переключателя К2.