- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
Цифровые интегральные микросхемы оперируют с дискретными уровнями входных и выходных сигналов значения, напряжения которых являются строго фиксированными. Существует два типа таких дискретных сигналов: логический 0 и логическая 1.
Логической “1”
интегральных ТТЛ микросхем отвечает
уровень сигнала с напряжением большим
2,4 B, а логическому “0” – уровень сигнала
с напряжением меньшим 0,8 B. Для КМОП
интегральных микросхем логическая “1”
отвечает уровню большому 2/3 напряжения
питания, а логический “0” отвечает
уровню меньшему 1/3 напряжения питания.
Следует помнить, что промежуточные
уровни для микросхем не определены и
могут привести к неверной работе
микросхем.
Порядок работы логических элементов определяется с помощью таблиц истинности, которые представляют собой перебор всех возможных состояний входных сигналов и соответствующие этому набору уровни выходных сигналов. Таблицы истинности определяют логику работы ИМС.
Условно-графические обозначения основных логических элементов и их таблицы истинности приведены на рис.10.3.
3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
Базовым элементом ТТЛ интегральных микросхем является логический элемент И-НЕ, а базовым элементом КМОП интегральных микросхем является логический элемент ИЛИ-НЕ.
Схема
транзисторно-транзисторной логики
(ТТЛ) состоит из цепи “И”, которая
построена на основе многоэмиттерного
транзистора VT1 и транзисторного инвертора
(VT2-VT3). На рис.10.4,a показана принципиальная
схема двухвходового элемента И-НЕ ТТЛ
микросхемы серии 555. Многоэмиттерный
транзистор VT1 определяет двухвходную
цепь “И”. Если хоть один из эмиттеров
присоединен к потенциалу близкому к
нулю (логический “0”), транзистор
насыщается и присоединяет к нулевому
потенциалу вход инвертора, который
состоит из трех одноэмиттерных
транзисторов VT2-VT4. Транзистор VT2
закрывается, что открывает транзистор
VT3 и закрывает транзистор VT4 и на выходе
Y
возникает высокий потенциал (логическая
“1”). Если на все эмиттеры транзистора
подан потенциал близкий к потенциалу
питания (логическая “1”), то переход
база – коллектор этого транзистора
будет смещен в прямом направлении. Этой
переход открывается и ток из базовой
цепи транзистора VT1 идет на вход инвертора.
Транзистор VT2 откроется, что закроет
транзистор VT3 и откроет транзистор VT4.
На выходе элемента Y
возникнет низкий потенциал (логический
“0”). Таким образом, будет реализована
логическая функция И-НЕ.
Базовый КМОП элемент построен на полевых МОП транзисторах обоих полярностей, которые работают как ключи (рис.10.4,б). Открытый транзистор подобен низкоомному резистору. Таким образом, если на каком-то входе существует высокий потенциал (логическая “1”), то откроется один из транзисторов VT1 или VT4 и выход будет соединен с землей (логический “0”). Если оба входа элемента подключены к низкому потенциалу (логический “0”), то откроются транзисторы VT2.VT3, и на выход элемента будет подан потенциал близкий к напряжению питания (логическая “1”). Таким образом будет реализуется логическая функция ИЛИ-НЕ.
