- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
Теоретические знания
1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
Л
инейно
изменяющимся напряжением называется
напряжение, которое в течение некоторого
времени изменяется по закону, близкому
к линейному, а затем быстро возвращается
к начальному уровню. Если изменение
происходит от меньшего к большему, то
его называют линейно возрастающим. Если
же изменение происходит от большего
абсолютного значения к меньшему, то оно
называется линейно спадающим. Линейно
изменяющееся напряжение часто называют
пилообразным напряжением.
Типичная форма периодических импульсов линейно изменяющегося напряжения представлена на рис.9.2. Такое напряжение характеризуется следующими основными параметрами:
период следования импульсов: Т;
– частота следования импульсов: (9.1);
амплитуда импульса: Um;
начальный уровень напряжения: UО;
длительность рабочего (прямого) хода: tP;
длительность обратного хода: tО;
длительность паузы, в течении которой напряжение неизменно: tП;
крутизна (скорость нарастания) выходного напряжения:
(9.2);коэффициент нелинейности:
,
(9.3)
где
и
скорость
изменения напряжения в начале и конце
рабочего хода.
Линейно изменяющееся напряжение используется в электронике для развертки электронного луча в электронно-лучевых трубках, получения широтно-импульсной модуляции в системах автоматического управления, преобразователях время – амплитуда, генераторах качающейся частоты и т.п.
По способу управления генераторы линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН) делятся на формирователи ГЛИН, ждущие и автоколебательные. Формирователи ГЛИН обеспечивают получение линейно изменяющегося во времени сигнала, длительность и амплитуда которых зависят от длительности и управляющего сигнала. Частота следования импульсов в этом варианте определяется частотой запускающих импульсов. В автоколебательных ГЛИН параметры выходного сигнала зависят от параметров компонентов схемы и питающими напряжениями.
Принцип формирования линейно изменяющегося напряжения чаще всего основан на заряде (разряде) конденсатора стабильным током. В этом случае зависимость между скоростью изменения напряжения на конденсаторе и протекающем через него током, выражается следующим образом:
,
(9.4)
где iC и UC – ток, протекающий через конденсатор и напряжение на нем,
соответственно;
С – емкость конденсатора.
Из
(9.4) следует, что для получения линейного
изменения напряжения на конденсаторе,
т.е. для получения
в течение всего рабочего хода, необходимо
обеспечить постоянство тока, протекающего
через конденсатор в течении рабочего
хода.
2 Формирователь глин со следящей связью
С
хема
формирователя ГЛИН со следящей связью
приведена на рис.9.3 а. Рассмотрим его
работу, начиная с момента, когда закончится
импульс управления, и конденсатор С3
полностью разрядился током разряда iР
через насыщенный транзистор
VT1.
Этому моменту соответствует точка а
на временных диаграммах, показанных на
рис.9.3 б.
Сразу после момента а транзистор VT1 закроется и начнется заряд накопительного конденсатора С3 током iЭ, в результате чего напряжение на его верхней обкладке увеличится (рис.9.3 б, график UC3). Некоторое время (интервал аb) транзистор VT2 будет закрыт, так как напряжение на его эмиттере, вызванное током подзаряда конденсатора С2, частично разрядившегося при формировании предыдущего рабочего хода, превышает напряжение UC3 на его базе.
В момент b напряжение UC3 станет больше напряжения на резисторе R3, транзистор VT2 откроется и перейдет в активный режим, при котором напряжение на его эмиттере повторяет напряжение на конденсаторе С3.
Выходное напряжение схемы суммируется с напряжением заряженного почти до напряжения источника питания ЕК конденсатора С2, поэтому напряжение в общей для диода VD1, резистора R2 и конденсатора С2 точке схемы становится больше напряжения ЕК на значение выходного напряжения. Диод VD1 закроется и в течение всего времени формирования линейно нарастающего отрицательного напряжения будет закрыт. При этом конденсатор С3 заряжается по цепи: + ЕК, С3, R2, С2, коллектор – эмиттер VT2, − ЕК. Ток заряда конденсатора С3 почти не изменяется, т.к. напряжение на верхнем выводе резистора R2 следит за напряжением UC3 на его нижнем выводе, т.е. напряжение на резисторе R2 в течение всего времени формирования также не изменяется. Следовательно, конденсатор С3 заряжается постоянным током, а напряжение на нем возрастает по линейному закону.
Некоторое снижение напряжения на резисторе R2 и тока заряда iЭ все же происходит из-за частичного разряда конденсатора С2 током заряда конденсатора С3. Емкость конденсатора С3 меньше емкости конденсатора С2, который поэтому разряжается незначительно и не влияет на линейность выходного напряжения генератора.
В момент с очередной импульс управления откроет транзистор VT1 до насыщения и конденсатор С3 быстро разрядится через него практически до нуля, т.е. будет сформирован обратный ход пилообразного напряжения. При этом конденсатор С2 подзарядится до первоначального значения по цепи: + ЕК, R3, С2, VD1, − ЕК. Чем меньше емкость С2, тем быстрее он восстановит заряд.
Частота следования импульсов ГЛИН определяется частотой запускающих импульсов, а амплитуду выходного напряжения можно определить из выражения:
. (9.4)
