- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
Исследуемый мультивибратор построен на основе операционного усилителя типу К140УД1А (рис.7.1,б). Операционный усилитель обхвачен резистивной положительной обратной связью (ПОС) (резисторы R16, R17, R18) и резистивно-емкостной отрицательной обратной связью (ООС) (резисторы R14, R15, конденсаторы C8, C9). Резистивно-емкостная ООС является частотозадающей цепью мультивибратора.
Р
аботу
мультивибратора на ОУ рассмотрим по
упрощенной схеме, представленной на
рис.7.4 а. При подключении питания к схеме
инверсный вход ОУ имеет потенциал
близкий к нулю U1=0,
т.к. конденсатор не успевает зарядиться.
В тоже время на неинвертирующий вход
поступает напряжение
.
Полярность напряжения U2
определяется полярностью выходного
напряжения ОУ. Пусть UВЫХМАХ
>0, тогда U2>0.
При этом конденсатор С1 начнет заряжаться
через резистор R1 (интервал времени 0 –
t1
на рис. 7.4 б). В момент времени t1
напряжение на
конденсаторе достигнет уровня + U2,
а затем немного превысит его, т.е.
напряжение на инвертирующем входе ОУ
окажется больше, чем на неинвертирующем.
Выходное напряжение ОУ при этом скачком изменяет свою полярность и становится равным −UВЫХМАХ. При этом начинается разряд конденсатора С1 током противоположного направления. Как только напряжение на инвертирующем входе U1 достигнет уровня − U2 (момент времени t2) , полярность выходного напряжения опять меняется на противоположную, и процесс повторяется снова. Таким образом, под воздействием ООС, схема регенеративно переключается в одно из возможных квазипостоянных состояний, в котором ОУ находится в режиме ограничения напряжения. Скорость перезарядки конденсатора С1 определяет частоту выходного сигнала.
Если уровни ограничения выходного напряжения операционного усилителя одинаковые по модулю, то период выходных колебаний генератора согласно рис.7.4 определится как
.
(7.5)
Таким образом, частота выходных колебаний мультивибратора, построенного на операционном усилителе, определяется степенью положительной и отрицательной обратной связи и емкостью разряжающего конденсатора.
Контрольные вопросы
Объясните зависимость частоты генерации от смещения на базах транзисторов.
Какие компоненты схемы мультивибратора на биполярном транзисторе изменяют частоту генерации?
Каким образом можно обеспечить равенство положительных и отрицательных импульсов мультивибратора на биполярных транзисторах?
Каким образом можно достичь плавной регулировки частоты генерации?
Какую функцию выполняет диод отсечки VD1 в схеме мультивибратора на биполярных транзисторах? Как это отражается на форме выходных импульсов?
Объясните зависимость частоты генерации от сопротивления и емкости цепи отрицательной обратной связи в схеме мультивибратора на операционном усилителе.
Объясните зависимость частоты генерации от степени положительной обратной связи в схеме мультивибратора на операционном усилителе.
От чего зависит длительность выходных импульсов в схеме мультивибратора на операционном усилителе?
Поясните работу мультивибратора, построенного на биполярных транзисторах.
Поясните работу мультивибратора, построенного на операционном усилителе.
