5. Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.

   0. Для снятия вольтамперной характеристики этого диода установите перемычку J1 в положение 4.

   1. . Снимите прямую ветвь вольтамперной характеристики.

      0. Для этого установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К3 в положение «мА».

      1. Установите тумблер K2 в положение «U_R». Потенциометром R1 установите напряжение 10 В, что соответствует току, протекающему через диод 10 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K2 в положение «U». При этом тестер покажет прямое падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 1.2.

      2. Повторите п.5.2.2 для значений напряжений U_R, указанных в таблице 1.2.

   2. . Снимите обратную ветвь вольтамперной характеристики.

      0. Для этого установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К3 в положение «мА».

      1. Установите тумблер K2 в положение «U_R». Потенциометром R1 установите напряжение 0,05 В, что соответствует току, протекающему через диод 0,05 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА] (сопротивление измерительного резистора R2 равно 1 кОм). Переключите тумблер K2 в положение «U». При этом тестер покажет обратное падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 1.2.

      2. Повторите п.5.3.2 для значений напряжений U_R, указанных в таблице 1.2.

   3. Постройте вольтамперную характеристику стабилитрона 1N5201. По ней определите минимальное напряжение стабилизации U_СТмин, максимальное напряжение стабилизации U_СТмин, минимальный I_{СТ мин} и максимальный I_{СТ мах} токи стабилизации, считая, что номинальное напряжение стабилизации этого стабилитрона равно 3,3 В, а отклонение напряжения стабилизации не должно превышать ±5 %. Рассчитайте дифференциальное сопротивление стабилитрона r_Диф при обратном смещении используя выражение (1.12).

Таблица 1.2 – Вольтамперная характеристика исследуемых стабилитронов

Стабилитрон 1N5201		Стабилитрон REF1004-2.5
U, B	I=UR, мА	U, B	I=UR, мА
прямая		прямая
	10		10
	8		8
	6		6
	4		4
	2		2
	1		1
	0,75		0,75
	0,5		0,5
	0,25		0,25
	0		0
обратная		обратная
	0		0
	-0,05		-0,002
	-0,1		-0,005
	-0,25		-0,01
	-0,5		-0,1
	-1		-0,5
	-2		-1
	-3		-2
	-4		-3
	-5		-4
	-6		-5
	-8		-6

6. Сделайте выводы по работе, сравнив сопоставимые параметры исследуемых диодов. Опишите области применения исследуемых диодов.

При определении параметров диодов, воспользуйтесь пояснениями к рис.1.3 и 1.9. В таблице 1.3 приведены основные параметры исследуемых диодов.

Таблица 1.3 – Параметры исследуемых диодов

Тип диода	Материал	Применение	UПр, В	UОбр max, В	IОбр , мкА	IПр max , мА	UCT, В	ΔUCT, %	IСТ max , мА	IСТ min , мА	rДиф, Ом
ГД508А	Ge	Импульсный	0,6	8	3-10	10	-	-	-	-	-
1N4148	Si	Универсальный	1,0	100	0,025	150	-	-	-	-	-
SB1100	Si	Диод Шоттки	0,4	100	0,5-2	500	-	-	-	-	-
1N5201	Si	Стабилитрон	1,1	-	-	20	3,3	±5	20	1	60