- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
В
операционном усилителе, как и в другой
многокаскадной схеме начиная с какой-то
частоты, наблюдается уменьшение
коэффициента усиления, связанное с том,
что каскад усиления для сигналов от
источника, которой имеет конечный
импеданс, является емкостной нагрузкой.
Большой входной импеданс входного
каскада, емкость перехода транзисторов,
а также емкость обратной связи следующего
каскада, образуют RC-фильтр низких частот.
Спад коэффициента усиления на -3 дБ для
такого фильтра лежит в диапазоне 10…10000
Гц, в зависимости от типа ОП. Уменьшение
реактивного сопротивления емкости при
увеличении частоты вызывает появление
спада характеристики с наклоном 6
дБ/декаду. На достаточно высоких частотах
(которые могут не превышать 1 кГц) импеданс
коллекторной нагрузки имеет емкостный
характер, то есть спад обратно
пропорционалty
частоте. Кроме того, выходной сигнал
смещается по фазе на 900
относительно входного. Следующий каскад
усиления может привести к возникновению
следующих точек пересечения характеристики,
тогда наклон ее равняется уже 12 дБ/декаду
и т.д. (рис.6.4). А угол смещения фаз достигает
уже 1800
(рис.6.4).
В таком случае возникает проблема стабильности усилителя, поскольку, если его включить, как повторитель с коэффициентом усиления 1, то при некоторой частоте фазовое смещение достигнет 1800, тогда как коэффициент усиления может быть несколько более 1, то есть возникнет вместо отрицательной обратной связи, положительная обратная связь и в усилителе возникнут автоколебания (самовозбуждение). Вот почему современные ОУ имеют внутренние цепи коррекции.
Увеличение степени отрицательной обратной связи уменьшает коэффициент усиления, но повышает частотную полосу усилителя (см. рис.6.3).
Контрольные вопросы
Какие предположения верны для идеального усилителя?
Начертите принципиальные схемы инвертирующего, неинвертирующего усилителя и повторителя напряжения.
Чем определяются коэффициенты усиления схемы инвертирующего, неинвертирующего усилителя?
Чем определяется входное сопротивление инвертирующего и неинвертирующего усилителя?
Назовите и объясните основные параметры реального ОУ.
Объясните ход АЧХ ОУ без обратной связи.
Как изменяется полоса пропускания усилителя на базе ОУ при увеличении коэффициента усиления?
Что может вызывать “самовозбуждение” ОУ?
Что такое полоса пропускания операционного усилителя? От чего она зависит?
Чем отличается реальный операционный усилитель от идеального?
Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
Цель работы: ознакомиться с принципом работы мультивибратора на биполярных транзисторах с коллекторно-базовыми связями, мультивибратором на основе операционного усилителя и мультивибратором на логических элементах.
Лабораторные схемы
Схема лабораторного стенда для исследования мультивибраторов приведена на рис.7.1. С помощью такого стенда можно исследовать мультивибраторы, построенные на биполярных транзисторах, операционном усилителе и логических элементах.
В мультивибраторе на биполярных транзисторах изменять зарядную емкость С1 (перемычка 2), разрядный резистор (перемычка 3) и разрядный диод (перемычка 1).
В мультивибраторе на операционном усилителе имеется возможность изменять зарядную емкость С8 (перемычка 7), сопротивление отрицательной обратной связи R15 (перемычка 6) и степень положительной обратной связи (перемычка 8).
В мультивибраторе на логических элементах имеется возможность изменять значение зарядной емкости (перемычка 9).
