- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
1 Статические параметры полевых транзисторов
К
ак
и биполярный транзистор, полевой
транзистор описывается выходной
(стоковой) характеристикой
при фиксированных значениях положительного
для р-канального транзистора напряжения
UЗИ.
Эта характеристика состоит из двух
участков: крутого участка (участка
нарастания) и пологого участка (участка
насыщения) (рис.5.4). На первом участке
транзистор ведет себя как резистор,
который управляется напряжением
затвор-исток
UЗИ
, (5.4)
где UO – граничное напряжение, т.е. напряжение, при котором появляется индуцированная проводимость между стоком и истоком (для транзистора с МОП структурой), или напряжение отсечки (для транзистора со встроенным каналом). Для транзистора с управляющим р-п переходом UO=0.
На участке насыщения ток стока практически не зависит от напряжения на стоке, что обеспечивает усиление входного сигнала
. (5.5)
В этих, выше приведенных выражениях, gO - удельная крутизна, которая определяется из характеристики транзистора как
,
(5.6)
где ІС*
- ток стока
при
для МОП-транзистора или при
для транзистора со строенным каналом.
При работе полевых транзисторов в режиме усиления используют участок насыщения выходных характеристик. В этой области при оптимальных значениях малосигнальних параметров можно достигнуть минимальных нелинейных искажений.
2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
Полевые транзисторы широко используют в схемах с общим истоком (рис5.2,а). Эта схема характеризуется большим входным импедансом и коэффициентом усиления по напряжению большим 1. Аналогом этой схемы в биполярной схемотехнике является схема с общим эмиттером.
Статический коэффициент усиления для схемы с общим истоком равняется
,
(5.7)
где
– крутизна усиления полевого транзистора;
RC = R8 – сопротивление стоковой нагрузки;
rСИ – внутренние сопротивление сток-исток.
Знак “-“ означает, что входной сигнал усилителем инвертируется.
Входное сопротивление такого усилителя определяется практически резистором затвора
. (5.8)
Выходное сопротивление усилителя определяется в первую очередь сопротивлением стоковой нагрузки и приблизительно равняется
. (5.9)
Реально входное сопротивление усилителя составляет сотни…тысячи кОм, а выходное - единицы кОм …сотни Ом.
Выбор рабочей точки полевого транзистора такой же, как и в случае биполярного транзистора. Для этого используют стоковую характеристику транзистора и нагрузочную прямую, но определяют не начальный ток управления (поскольку ток затвора практически равняется нулю), а начальное напряжение. Значение начального тока стока определяется, с одной стороны, необходимым коэффициентом усиления по напряжению (что задается значением стокового резистора и крутизной транзистора), а с другой стороны – требованиями к мощности, которая может быть рассеяна транзистором.
3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) – это зависимость коэффициента усиления каскада от частоты входного сигнала. Схематически АХЧ идеального усилителя приведенная на рис.5.5. Из нее можно видеть, что коэффициент усиления для каскада с непосредственной связью практически не зависит от частоты. Наличие в усилителе входной и выходной емкости, а также емкости, шунтирующей истоковый резистор, приводит к спаду АЧХ на участке низких и высоких частот. Если рассматривать АЧХ RC - усилителя на полевом транзисторе (см. рис.5.2 а), то спад АЧХ на низких частотах связан с RC - фильтром высоких частот, который состоит из входной емкости С7 и резистора R7. Поэтому частота среза АЧХ для уровня –3дБ на участке низких частот определяется как
. (5.10)
Спад АЧХ на высоких частотах такого каскада связан с наличием фильтра низких частот, который состоит из резистора стоковой нагрузки R8 и емкости нагрузки СН. Поэтому частота среза АЧХ на уровне –3дБ на участке высоких частот определяется из
. (5.11)
где СН = 100…500 пФ – емкость нагрузки.
Разница
этих частот определяет полосу пропускания
усилителя.
