- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
Теоретические знания
1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
Рабочая
точка биполярного транзистора определяется
совокупностью значений постоянных
токов базы и коллектора, а также
напряжением коллектора. Эта точка
находится на нагрузочной прямой, которая
строится на семействе коллекторных
характеристик биполярного транзистора
(рис.4.4). Иначе говоря, нагрузочная прямая
– это геометрическое место рабочих
точек транзистора.
Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
для заданного напряжения питания ЕП определяется максимальный ток коллектора, который определяет резистор коллекторной нагрузки;
между точками IK ( при UKE =0) и ЕП проводится прямая линия, которая называется нагрузочной прямой.
Поскольку модуль коэффициента усиления для схемы с общим эмиттером равняется
,
(4.4)
где β – коэффициент передачи транзистора по току в схеме с общим эмиттером;
rBE – внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база;
то угол наклона прямой нагрузки определяется коллекторным резистором RК и характеризует коэффициент усиления схемы. Положение рабочей точки покоя (начальный ток базы) выбирается таким образом, чтобы допустимые изменения входного тока не приводили к ограничению выходного сигнала на уровне напряжения питания или к насыщению транзистора (рис.4.5).
Чтобы предотвратить искажения выходного сигнала необходимо, во-первых, задать начальный ток базы, который бы не зависел от температуры; во-вторых, необходимо обеспечить подачу на базу транзистора двухполярного сигнала (иначе говоря, нужно обеспечить смещение нулевого уровня входного сигнала на уровень рабочей точки); в-третьих, нужно исключить влияние начального уровня входного напряжения на величину начального тока базы.
У
казанные
условия выполняются при подаче базового
тока покоя с помощью базового делителя
R2, R3 (рис.4.2). Тогда ток через базовый
делитель равняется
,
(4.5)
а напряжение на базе транзистора
.
(4.6)
Оно состоит из напряжения на переходе база-эмиттер UBE и напряжения UE на эмиттерном резисторе R5. Поэтому ток через эмиттерный резистор R5 (который приблизительно равняется току коллектора) равняется
,
(4.7)
где IК – ток коллектора;
UBE = 0,5…0,6 В.
Тогда напряжение на резисторе коллекторной нагрузки равняется
. (4.8)
Значение резисторов R2, R3, R5 выбираются таким образом, чтобы UK = EП/2. Это дает оптимальное значение тока покоя транзистора.
2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
Технологическое отклонение номиналов резисторов, емкостей и коэффициента передачи транзистора по току β, а также их температурная зависимость, вызывает необходимость в стабилизации начального тока базы. Практически для этой цели используют отрицательную обратную связь с помощью введения эмиттерного резистора R5 (последовательная ООС по току). Использование такого резистора уменьшает коэффициент усиления каскада, но ток коллектора в этом случае уже не зависит от β
. (4.9)
Для того чтобы влияние ООС сказывалось только на постоянном токе, эмиттерный резистор R5 шунтируют емкостью С3. Тогда на высоких частотах ООС по переменному току будет отсутствовать. Конденсаторы С1 и С3 разделяют цепи постоянного и переменного тока, что обеспечивает независимость каскада усиления от других каскадов.
Коэффициент усиления по напряжению такого каскада приблизительно равняется
. (4.10)
Знак “−“ означает, что входной сигнал усилителем инвертируется.
Входное сопротивление такого усилителя определяется параллельным соединением сопротивления базового делителя и входного сопротивления базового перехода
(4.11)
где || - знак обозначения параллельного соединения элементов.
Выходное сопротивление усилителя определяется в первую очередь сопротивлением коллекторной нагрузки и выходным сопротивлением коллекторного перехода и поскольку последнее значительно больше, то выходное сопротивление усилителя приблизительно равняется
. (4.12)
Реально входное сопротивление усилителя достигает единиц…десятков кОм, а выходное - единиц кОм …сотен Ом.
