- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
Теоретические знания
Униполярный (полевой) транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.
Униполярные транзисторы подразделяются на два больших класса: с управляющими р-п переходами и изолированным затвором.
Если в униполярном транзисторе с изолированным затвором в качестве изоляционного слоя между металлическим затвором и проводящим каналом используется оксид полупроводника, то такие транзисторы называют МОП - транзисторы (металл – окисел – полупроводник) или MOS - транзисторы (metal – oxide – semiconductor).
Если в униполярном транзисторе с изолированным затвором в качестве изоляционного слоя между металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик, то такие транзисторы называют МДП-транзисторы (металл – диэлектрик – полупроводник).
В
свою очередь униполярные транзисторы
с изолированным затвором подразделяются
на транзисторы
с индуцированным (наведенным) каналом
и транзисторы
со встроенным каналом.
Условно-графические обозначения униполярных (полевых) транзисторов приведены на рис.3.2.
1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
Полевой транзистор с управляющим р-п переходом – это униполярный транзистор, управление потоком основных носителей в котором происходит с помощью выпрямляющего перехода, смещенного в обратном направлении. В качестве выпрямляющего перехода может использоваться р-п переход или выпрямляющий переход Шотки.
Полевой транзистор
и управляющим р-п переходом имеет два
омических контакта к области полупроводника,
по которой протекает управляемый поток
о
сновных
носителей заряда, и один (рис.3.3 а) или
два (рис.3.3 б) управляющих р-п перехода,
смещенных в обратном направлении
(рис.3.3 в). При изменении обратного
напряжения на управляющем р-п переходе
изменяется его толщина, а следовательно
и толщина области, по которой проходит
управляемый поток основных носителей
заряда. Эта область называется проводящим
каналом.
Электрод полевого транзистора, через
который в проводящий канал входят
носители заряда, называется истоком
(на рис.3.3 а, б - это левый вывод). Электрод
полевого транзистора, через который из
проводящего канала выходят носители
заряда, называется стоком
(на рис.3.3 а, б это правый вывод). Электрод
полевого транзистора, на который подают
сигнал, управляющий шириной проводящего
канала, называется затвором
(на рис.3.3 а, б это нижний и средний
выводы).
Проводящий канал может иметь как п-, так и р-тип проводимости. Соответственно это полевые транзисторы с п- и р-каналом. Полевые транзисторы с разными типами проводящего канала называются комплементарными. Комплементарные транзисторы оказываются удобными для построения ряда схем, поскольку полярности напряжений смещений, подаваемых на электроды комплементарных полевых транзисторов, противоположны.
Управление током стока, т.е. током от внешнего относительно мощного источника питания в цепи нагрузки, происходит при изменении обратного напряжения на р-п переходе затвора (или на двух р-п переходах одновременно). В связи с малостью обратных токов мощность, необходимая для управления током стока и потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора, оказывается ничтожно малой. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электрических сигналов как по мощности, так по току и напряжению.
При отсутствии напряжения на затворе (UЗИ=0) проводящий канал полностью открыт и поток основных носителей заряда легко переносится от истока к стоку, создавая максимальный ток стока, который называется начальным током стока (рис.3.3 в, область 1). При подаче обратного (отрицательного) напряжения на затвор (UЗИ<0)происходит расширение обратно смещенного р-п перехода и проводящий канал сужается, уменьшая поток основных носителей заряда, а соответственно и ток стока (рис.3.3 в, область 2). При некотором отрицательном напряжении на затворе (UЗИ = UОТС), которое называется напряжением отсечки UЗИотс, области обратно смещенных р-п переходов смыкаются, полностью перекрывая проводящий канал (рис.3.3 в, область 3). Поток основных носителей заряда прекращается, и ток стока практически становится равным нулю. При дальнейшем изменении напряжения на затворе ток стока практически не изменяется.
В отличие от биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом осуществляется входным током, а в полевом транзисторе - входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление, что обусловлено обратным смещением управляющего р-п перехода. В-третьих, из-за отсутствия процессов инжекции и рекомбинации неосновных носителей заряда (что имеет место в биполярных транзисторах) полевые транзисторы обладают низким уровнем шумов, особенно низкочастотных.
Поскольку полевые транзисторы имеют большие входные и выходные сопротивления, статические характеристики полевых транзисторов следует исследовать с помощью источников напряжения в качестве источников питания. Важнейшими характеристиками полевого транзистора является семейство выходных статических характеристик и семейство передаточных характеристик:
Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированном значении входного напряжения:
.Характеристика передачи тока - это зависимость выходного тока от входного напряжения при фиксированном значении выходного напряжения:
.
Для схемы включения
полевого транзистора с управляющим р-п
переходом с общим истоком выходная и
передаточная характеристики приведены
на рис.4.4. Рассмотрим вначале характер
одной зависимости
.
Эта характеристика выходи из начала
координат под углом, соответствующим
начальному статическому сопротивлению
канала и сопротивлениям областей стока
и истока, прилегающих к проводящему
каналу с тем же типом проводимости.
Статическое сопротивление канала
определяется его технологическими
размерами. Первая часть характеристики,
которую называют крутой частью,
сублинейна, т.е. ток стока растет
замедленно с возрастанием напряжения
на стоке. Это связано с неэквипотенциальностью
прохождения тока стока по каналу,
поскольку последний имеет более узкую
часть в области, прилегающей к стоку
(см. рис.3.3 в). После перекрытия проводящего
канала, ток стока практически не зависит
от выходного напряжения, и выходная
характеристика имеет пологую часть.
При UЗИ=0
ток стока будет
максимальным и называется начальным
током стока IСТнач.
П
о
мере увеличения UЗИ
значение
максимального тока стока уменьшается,
что связано с уменьшением размеров
проводящего канала. При некотором
напряжении на затворе равном напряжению
отсечки UЗИотс,
канал полностью перекрывается и ток
стока становится равным нулю, что хорошо
видно на передаточной характеристике
(рис.3.4 б).
