4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.

4.1 Определите напряжение отсечки U_ОТС транзистора. Для этого:

4.1.1 Установите перемычку J1 в положение 4.

4.1.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».

4.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».

4.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение U_СИ=10 В.

4.1.5 Установите тумблер К1 в положение «U_R».

4.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».

4.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U_3И от 0 В до тех пор, пока ток стока транзистора I_C по данным вольтметра V1 не станет равным 0. При этом показания вольтметра V2 будут соответствовать искомому напряжению отсечки транзистора U_ОТС. Сравните полученное напряжение со справочными данными.

4.2 Для снятия статических характеристик этого транзистора:

4.2.1 Установите перемычку J1 в положение 4.

4.2.2 Установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К5 в положение «−».

4.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

4.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U_3И согласно табл. 3.3 (например, −3,0 В).

4.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

4.3.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение U_СИ согласно табл. 3.3 (например, 0,5 В).

4.3.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 3.3 (в данном примере на пересечении колонки −3,0 В и строки 0,5 В).

4.3.8 Повторите действия согласно п.4.3.4…4.3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и отрицательного напряжения на затворе U_3И согласно табл.3.3.

4.3.9 Измените полярность напряжения на затворе установкой тумблера К5 в положение «+».

4.3.10 Повторите измерения согласно п. 4.3.4…4.3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и положительного напряжения на затворе U_3И согласно табл.3.3.

4.3.11 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затворе U_3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при U_ЗИ =−1,0 В, U_ЗИ =0 и U_ЗИ =+1,0 В.

4.3.12 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_СИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U_CИ =0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения I_C=0 определить напряжение отсечки U_ЗИотс.

Таблица 3.3 Статические характеристики МДП транзистора с изолированным

затвором и встроенным каналом п-типа КТ306А

Ток I_С = 10*U_R, мА

UСИ, В	UЗИ, В
	-3	-2	-1	-0,5	0	+1	+2
0	0	0	0	0	0	0	0
0,5
1
1,5
2
4
6
8
10

5. Сделать выводы по работе, в которых поясните различие в передаточных характеристиках разных типов униполярных транзисторов.

В табл.3.4 приведены основные параметры исследуемых униполярных транзисторов.

Таблица 3.4 Основные параметры исследуемых униполярных транзисторов

Транзистор	Тип	IСнач, мА	S, мА/В	UЗИотс, В	UЗИмах, В	UСИмах, В	IСмах, мА	Рмах, мВт
КП303И	р-п переход, п-канал	1,5-5,0	2-6	−0,5… −2,0	30	25	20	200
КП306А	Изолированный затвор, встроенный п-канал	−	2-8	−0,5… −3,0	±20	20	20	150
КП301Б	Изолированный затвор, индуцированный р-канал	5·10−4	1,0-2,6	2,7-5,4 (UЗИпор)	30	20	15	200