3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.

3.1 Определите пороговое напряжение U_ПОР транзистора. Для этого:

3.1.1 Установите перемычку J1 в положение 2.

3.1.2 Установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К5 в положение «−».

3.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».

3.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение U_СИ=10 В.

3.1.5 Установите тумблер К1 в положение «U_R».

3.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».

3.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U_3И от 0 В до тех пор, пока по данным вольтметра V1 не появится ток стока транзистора. При этом показания вольтметра V2 будут соответствовать искомому пороговому напряжению транзистора U_ПОР. Сравните полученное напряжение со справочными данными.

3.2 Для снятия статических характеристик этого транзистора:

3.2.1 Установите перемычку J1 в положение 2.

3.2.2 Установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К5 в положение «−».

3.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».

3.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U_3И согласно табл. 3.2 (например, −3,0 В).

3.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».

3.3.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение U_СИ согласно табл. 3.2 (например, 0,5 В).

3.3.7 Установите тумблер К1 в положение «U_R». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 3.2 (в данном примере на пересечении колонки −3,0 В и строки 0,5 В).

3.3.8 Повторите действия согласно п.3.3.4…3.3.7 для последующих значений стокового напряжения U_СИ и отрицательного напряжения на затворе U_3И согласно табл.3.2.

3.3.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затворе U_3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при U_ЗИ =−5,0 В, U_ЗИ =0 и U_ЗИ =−8,0 В.

3.3.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения U_СИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при U_CИ =0,5 В и 8 В. Аппроксимируя графики переходных характеристик до значения I_C=0 определить пороговое напряжение U_ЗИпор.

Таблица 3.2 Статические характеристики МДП транзистора с изолированным

затвором и индуцированным каналом р-типа КТ301Б

Ток I_С = 10*U_R, мА

UСИ, В	UЗИ, В
	-3	-4	-5	-6	-8
0	0	0	0	0	0
0,5
1
1,5
2
4
6
8
10