- •Электроника и микросхемотехника
- •Вступление
- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд503а.
- •Исследование кремниевого импульсного диода 1n4148.
- •Исследование кремниевого выпрямительного диода Шоттки типа sb1100.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа мп41а.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа вс547.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора Дарлингтона п-р-п типа кт3102е.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •3. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа кп301б.
- •4. Исследование мдп транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа кп306а.
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- •6 Классификация униполярных транзисторов
- •7 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- •Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- •2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- •3. Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Эмиттерный повторитель напряжения
- •Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование rc–усилителя и истокового повторИтеля на полЕвом транзисторЕ
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні знання
- •1 Статические параметры полевых транзисторов
- •2 Схема включения полевого транзистора с общим истоком
- •3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- •4 Истоковый повторитель напряжения
- •Выходное сопротивление истокового повторителя приблизительно равняется
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Идеальный операционный усилитель
- •2 Параметры реального операционного усилителя
- •3 Основные схемы включения операционных усилителей
- •4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Теоретические знания
- •1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование блокинг-генератора
- •Лабораторные схемы
- •Д омашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме.
- •Исследование схемы блокинг-генератора, работающего в ждущем режиме.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о блокинг-генераторах
- •2 Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме
- •3 Блокинг-генератор, работающий в ждущем режиме
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 исследование генераторов пилообразного напряжения
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения со следящей связью.
- •Исследование схемы генератора пилообразного напряжения на основе генератора стабильного тока.
- •Теоретические знания
- •1 Общие сведения о генераторах пилообразного напряжения
- •2 Формирователь глин со следящей связью
- •3 Формирователь глин на основе генератора стабильного тока
- •4 Автоколебательный глин на основе операционного усилителя
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 10 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Классификация интегральных микросхем
- •2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- •3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- •4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
Задание к лабораторной работе
Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик униполярного транзистора, включенного по схеме с общим истоком.
1.1 Установите плату с исследуемыми транзисторами в разъемы на верхней поверхности измерительного стенда.
1.2 В правые гнезда стенда включите вольтметр, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2.000 В. Включите вольтметр. Этим вольтметром будет измеряться стоковое напряжение UСИ и стоковый ток IС.
В левые гнезда стенда включите вольтметр, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2.000 В. Включите вольтметр. Этим вольтметром будет измеряться напряжение на затворе транзистора U3И.
1.4 Движки потенциометров R1 и R2 установите в крайнее левое положение, что соответствует отсутствию напряжения на транзисторе.
1.5 Включите измерительный стенд в сеть. При этом загорится светодиод.
2. Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
2.1 Определите напряжение отсечки UОТС транзистора. Для этого:
2.1.1 Установите перемычку J1 в положение 1.
2.1.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».
2.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение UСИ=10 В.
2.1.5 Установите тумблер К1 в положение «UR».
2.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».
2.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U3И от 0 В до тех пор, пока ток стока транзистора IC по данным вольтметра V1 не станет равным 0. При этом показания вольтметра V2 будут соответствовать искомому напряжению отсечки транзистора UОТС. Сравните полученное напряжение со справочными данными.
2.2 Для снятия статических характеристик транзистора:
2.2.1 Установите перемычку J1 в положение 1.
2.2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», К5 в положение «−».
2.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».
2.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U3И согласно табл. 4.1 (например, −0,25 В).
2.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.2.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение UСИ согласно табл. 3.1 (например, 0,5 В).
2.2.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 3.1 (в данном примере на пересечении колонки −0,25 В и строки 0,5 В).
2.2.8 Повторите действия согласно п.2.2.4…2.2.7 для последующих значений стокового напряжения UСИ и напряжения на затворе U3И согласно табл.3.1.
2.2.9 Постройте
семейство
выходных характеристик
при фиксированных значениях напряжения
на затворе U3И.
Графически из этих характеристик найти
выходное сопротивление
при UЗИ
=0 и UЗИ
=−0,5
В.
2.2.10
Постройте
семейство
передаточных характеристик
при фиксированных значениях напряжения
UСИ.
Из этих характеристик графически найти
крутизну
при
UCИ
=0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики
переходных характеристик до значения
IC=0
определить напряжение отсечки UЗИотс.
По данным характеристикам определить
величину начального тока стока IСнач
при UCИ
=0,5 В и 10 В и напряжении UЗИ
=0 В.
Таблица 3.1 Статические характеристики полевого транзистора управляемого
р-переходом и каналом п-типа КТ303И
Ток IС = 10*UR, мА
UСИ, В |
UЗИ, В |
||||
0 |
-0,25 |
-0,5 |
-0,75 |
-1 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
1,5 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
