9 Классификация биполярных транзисторов

Классификация биполярных транзисторов проводится по следующим признакам:

1. По роду исходного материала – германиевые, кремниевые, арсенидогаллиевые.

2. По типу полярности – р-п-р и п-р-п транзисторы.

3. По технологическим особенностям – сплавные, планарные, эпитаксиально-планарные, диффузионно-сплавные, меза-планарные, меза-эпитаксиально-планарные и т.п.

4. По рассеиваемой мощности – маломощные (до 300 мВт), средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) и большой мощности (более 1,5 Вт).

5. По граничной частоте – низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 МГц до 30 МГц), высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (более 300 МГц).

6. По функциональному назначению. По этому признаку биполярные транзисторы подразделяются на 13 групп:

   0. Усилительные низкочастотные (менее 30 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   1. Усилительные низкочастотные (менее 30 МГц) с ненормированным коэффициентом шума.

   2. Усилительные высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   3. Усилительные высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   4. Усилительные сверхвысокочастотные (более 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.

   5. Усилительные сверхвысокочастотные (более 300 МГц) с ненормированным коэффициентом шума.

   6. Усилительные мощные высоковольтные.

   7. Высокочастотные генераторные.

   8. Сверхвысокочастотные генераторные.

   9. Переключающие маломощные.

   10. Переключающие мощные высоковольтные.

   11. Импульсные мощные высоковольтные.

   12. Универсальные.

10 Система обозначений биполярных транзисторов

В основу системы обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов (для биполярных транзисторов буква Т), третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения материала (первый элемент) используют: Г или 1 – германий и его соединения; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 – фосфид индия.

Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются букву Т – биполярный транзистор.

Значение третьего элемента (цифра), характеризующего основной признак прибора, для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту:

1 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

2,3 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

4,5 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

6,7 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

8 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

9 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

Примеры обозначений:

ГТ109Б – германиевый сплавной р-п-р транзистор низкочастотный и маломощный, порядковый номер разработки 09, группа Б.

2Т922В – кремниевый высокочастотный мощный транзистор, номер разработки 15, группа В.